Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Транзістары - IGBT - адзінкавыя

NGB8204NT4G
ON Semiconductor

NGB8204NT4G

частка акцыі: 5688

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 430V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 18A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 50A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 4V, 15A, Магутнасць - Макс: 115W,

Пажаданні
FGI3040G2-F085
ON Semiconductor

FGI3040G2-F085

частка акцыі: 6451

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 400V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 41A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A, Магутнасць - Макс: 150W,

Пажаданні
HGT1S14N36G3VLS
ON Semiconductor

HGT1S14N36G3VLS

частка акцыі: 6647

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 390V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 18A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 5V, 14A, Магутнасць - Макс: 100W,

Пажаданні
HGT1S20N36G3VL
ON Semiconductor

HGT1S20N36G3VL

частка акцыі: 6649

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 395V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 37.7A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 5V, 20A, Магутнасць - Макс: 150W,

Пажаданні
SGH80N60UFTU
ON Semiconductor

SGH80N60UFTU

частка акцыі: 6614

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 220A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 195W,

Пажаданні
HGTP7N60C3D
ON Semiconductor

HGTP7N60C3D

частка акцыі: 6675

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 14A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 56A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A, Магутнасць - Макс: 60W,

Пажаданні
FGA40T65UQDF
ON Semiconductor

FGA40T65UQDF

частка акцыі: 27758

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.67V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 231W,

Пажаданні
SGF40N60UFTU
ON Semiconductor

SGF40N60UFTU

частка акцыі: 5660

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 40A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 160A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 100W,

Пажаданні
HGTG20N60C3D
ON Semiconductor

HGTG20N60C3D

частка акцыі: 6652

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 45A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 300A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 164W,

Пажаданні
SGS5N60RUFDTU
ON Semiconductor

SGS5N60RUFDTU

частка акцыі: 6634

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 8A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 15A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 5A, Магутнасць - Макс: 35W,

Пажаданні
IRG4RC10UPBF
Infineon Technologies

IRG4RC10UPBF

частка акцыі: 5761

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 8.5A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 34A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 5A, Магутнасць - Макс: 38W,

Пажаданні
IRG4RC20FTR
Infineon Technologies

IRG4RC20FTR

частка акцыі: 6596

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 22A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 44A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A, Магутнасць - Макс: 66W,

Пажаданні
IRGB6B60KPBF
Infineon Technologies

IRGB6B60KPBF

частка акцыі: 85722

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 13A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 26A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 5A, Магутнасць - Макс: 90W,

Пажаданні
IRG4BC20FD
Infineon Technologies

IRG4BC20FD

частка акцыі: 6603

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 16A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 64A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 9A, Магутнасць - Макс: 60W,

Пажаданні
IRG4BC10K
Infineon Technologies

IRG4BC10K

частка акцыі: 6552

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 9A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 18A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.62V @ 15V, 5A, Магутнасць - Макс: 38W,

Пажаданні
SGD02N60BUMA1
Infineon Technologies

SGD02N60BUMA1

частка акцыі: 163175

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 6A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 12A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 2A, Магутнасць - Макс: 30W,

Пажаданні
IKW50N65ES5XKSA1
Infineon Technologies

IKW50N65ES5XKSA1

частка акцыі: 13298

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 200A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 274W,

Пажаданні
IKW50N65F5FKSA1
Infineon Technologies

IKW50N65F5FKSA1

частка акцыі: 16471

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 150A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 305W,

Пажаданні
IRG6B330UDPBF
Infineon Technologies

IRG6B330UDPBF

частка акцыі: 21973

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 330V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 70A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.76V @ 15V, 120A, Магутнасць - Макс: 160W,

Пажаданні
IRGIB7B60KDPBF
Infineon Technologies

IRGIB7B60KDPBF

частка акцыі: 30818

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 12A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 24A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 8A, Магутнасць - Макс: 39W,

Пажаданні
IRGPC30FD2
Infineon Technologies

IRGPC30FD2

частка акцыі: 6606

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 31A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 17A, Магутнасць - Макс: 100W,

Пажаданні
IKD04N60RFAATMA1
Infineon Technologies

IKD04N60RFAATMA1

частка акцыі: 109880

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 8A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 12A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A, Магутнасць - Макс: 75W,

Пажаданні
IXSK80N60B
IXYS

IXSK80N60B

частка акцыі: 6644

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 160A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 300A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 80A, Магутнасць - Макс: 500W,

Пажаданні
IXYT30N65C3H1HV
IXYS

IXYT30N65C3H1HV

частка акцыі: 11544

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 60A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 118A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 270W,

Пажаданні
IXGR48N60B3D4A
IXYS

IXGR48N60B3D4A

частка акцыі: 12306

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V,

Пажаданні
IXGP12N120A2
IXYS

IXGP12N120A2

частка акцыі: 27427

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 24A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 48A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 12A, Магутнасць - Макс: 75W,

Пажаданні
IXSX40N60BD1
IXYS

IXSX40N60BD1

частка акцыі: 6691

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 150A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 280W,

Пажаданні
IXGR50N60BD1
IXYS

IXGR50N60BD1

частка акцыі: 6655

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 200A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 250W,

Пажаданні
IXGT50N90B2
IXYS

IXGT50N90B2

частка акцыі: 10171

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 900V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 200A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 400W,

Пажаданні
IXGQ120N30TCD1
IXYS

IXGQ120N30TCD1

частка акцыі: 12576

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 300V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 120A,

Пажаданні
IXST30N60B2D1
IXYS

IXST30N60B2D1

частка акцыі: 6601

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 48A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 90A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 24A, Магутнасць - Макс: 250W,

Пажаданні
IXGP12N100A
IXYS

IXGP12N100A

частка акцыі: 22801

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1000V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 24A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 48A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 12A, Магутнасць - Макс: 100W,

Пажаданні
IXGT40N60C2
IXYS

IXGT40N60C2

частка акцыі: 6616

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 200A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 300W,

Пажаданні
IXGK120N60C2
IXYS

IXGK120N60C2

частка акцыі: 6642

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 500A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A, Магутнасць - Макс: 830W,

Пажаданні
IXST30N60CD1
IXYS

IXST30N60CD1

частка акцыі: 6704

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 55A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 110A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 200W,

Пажаданні
STGD20N40LZ
STMicroelectronics

STGD20N40LZ

частка акцыі: 71157

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 390V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 25A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 40A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 6A, Магутнасць - Макс: 125W,

Пажаданні