Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Транзістары - IGBT - адзінкавыя

IXRH40N120
IXYS

IXRH40N120

частка акцыі: 6688

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 55A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 300W,

Пажаданні
IXGH60N60B2
IXYS

IXGH60N60B2

частка акцыі: 6675

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 300A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 500W,

Пажаданні
IXSX35N120BD1
IXYS

IXSX35N120BD1

частка акцыі: 6691

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 70A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 140A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 35A, Магутнасць - Макс: 300W,

Пажаданні
IXGR120N60C2
IXYS

IXGR120N60C2

частка акцыі: 6632

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 500A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 100A, Магутнасць - Макс: 300W,

Пажаданні
IXGH12N120A2D1
IXYS

IXGH12N120A2D1

частка акцыі: 28793

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 12A,

Пажаданні
IXGP12N60CD1
IXYS

IXGP12N60CD1

частка акцыі: 6661

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 24A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 48A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A, Магутнасць - Макс: 100W,

Пажаданні
IXGR40N60CD1
IXYS

IXGR40N60CD1

частка акцыі: 6616

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 150A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 200W,

Пажаданні
IXGK60N60B2D1
IXYS

IXGK60N60B2D1

частка акцыі: 6654

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 300A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 500W,

Пажаданні
IXGR50N60B2D1
IXYS

IXGR50N60B2D1

частка акцыі: 6663

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 68A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 300A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 200W,

Пажаданні
IXEH40N120D1
IXYS

IXEH40N120D1

частка акцыі: 6699

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 60A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 300W,

Пажаданні
IXGA15N100C
IXYS

IXGA15N100C

частка акцыі: 10491

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1000V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 30A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 60A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 15A, Магутнасць - Макс: 150W,

Пажаданні
IXGH24N120IH
IXYS

IXGH24N120IH

частка акцыі: 19214

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V,

Пажаданні
IRGPC50F
Infineon Technologies

IRGPC50F

частка акцыі: 6598

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 70A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 39A, Магутнасць - Макс: 200W,

Пажаданні
IGW40N65F5AXKSA1
Infineon Technologies

IGW40N65F5AXKSA1

частка акцыі: 15800

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 74A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 250W,

Пажаданні
IRG4BC20UD-S
Infineon Technologies

IRG4BC20UD-S

частка акцыі: 6551

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 13A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 52A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6.5A, Магутнасць - Макс: 60W,

Пажаданні
IRGPS40B120UPBF
Infineon Technologies

IRGPS40B120UPBF

частка акцыі: 7230

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 160A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.71V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 595W,

Пажаданні
IRGS30B60KPBF
Infineon Technologies

IRGS30B60KPBF

частка акцыі: 24138

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 78A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 370W,

Пажаданні
IRG4IBC20FD
Infineon Technologies

IRG4IBC20FD

частка акцыі: 6572

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 14.3A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 64A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 9A, Магутнасць - Макс: 34W,

Пажаданні
IRG4PC40UPBF
Infineon Technologies

IRG4PC40UPBF

частка акцыі: 15927

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 40A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 160A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 160W,

Пажаданні
IRG4BH20K-STRLP
Infineon Technologies

IRG4BH20K-STRLP

частка акцыі: 49565

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 11A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 22A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 4.3V @ 15V, 5A, Магутнасць - Макс: 60W,

Пажаданні
IRG4BC30U-S
Infineon Technologies

IRG4BC30U-S

частка акцыі: 6574

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 23A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 92A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A, Магутнасць - Макс: 100W,

Пажаданні
IRG4BC10SDPBF
Infineon Technologies

IRG4BC10SDPBF

частка акцыі: 6644

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 14A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 18A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 8A, Магутнасць - Макс: 38W,

Пажаданні
IRGBC20UD2
Infineon Technologies

IRGBC20UD2

частка акцыі: 6591

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 13A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 6.5A, Магутнасць - Макс: 60W,

Пажаданні
IRGBC20FD2
Infineon Technologies

IRGBC20FD2

частка акцыі: 6564

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 16A,

Пажаданні
IRG4BC30F-STRL
Infineon Technologies

IRG4BC30F-STRL

частка акцыі: 6619

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 31A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 17A, Магутнасць - Макс: 100W,

Пажаданні
IRGS6B60KTRLPBF
Infineon Technologies

IRGS6B60KTRLPBF

частка акцыі: 63453

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 13A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 26A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 5A, Магутнасць - Макс: 90W,

Пажаданні
FGPF70N30
ON Semiconductor

FGPF70N30

частка акцыі: 6627

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 300V, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 160A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 52W,

Пажаданні
FGL60N100DTU
ON Semiconductor

FGL60N100DTU

частка акцыі: 6636

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1000V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 60A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A, Магутнасць - Макс: 176W,

Пажаданні
SGL160N60UFTU
ON Semiconductor

SGL160N60UFTU

частка акцыі: 6609

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 160A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 300A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 80A, Магутнасць - Макс: 250W,

Пажаданні
HGTD7N60C3S9A
ON Semiconductor

HGTD7N60C3S9A

частка акцыі: 83863

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 14A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 56A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A, Магутнасць - Макс: 60W,

Пажаданні
FGH40T100SMD-F155
ON Semiconductor

FGH40T100SMD-F155

частка акцыі: 6492

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1000V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 333W,

Пажаданні
SGS5N150UFTU
ON Semiconductor

SGS5N150UFTU

частка акцыі: 6606

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1500V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 10A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 20A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 5.5V @ 10V, 5A, Магутнасць - Макс: 50W,

Пажаданні
ISL9V5036S3
ON Semiconductor

ISL9V5036S3

частка акцыі: 6566

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 390V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 46A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 10A, Магутнасць - Макс: 250W,

Пажаданні
FGH40N60SMDF-F085
ON Semiconductor

FGH40N60SMDF-F085

частка акцыі: 6523

Тып IGBT: Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 349W,

Пажаданні
FGH20N60SFDTU-F085
ON Semiconductor

FGH20N60SFDTU-F085

частка акцыі: 6509

Тып IGBT: Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 40A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 60A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 165W,

Пажаданні
HGTP5N120BND
ON Semiconductor

HGTP5N120BND

частка акцыі: 45627

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 21A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 40A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 5A, Магутнасць - Макс: 167W,

Пажаданні