Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Транзістары - IGBT - адзінкавыя

IKW30N65NL5XKSA1
Infineon Technologies

IKW30N65NL5XKSA1

частка акцыі: 18074

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 85A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 227W,

Пажаданні
IRG4BC30U
Infineon Technologies

IRG4BC30U

частка акцыі: 6571

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 23A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 92A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A, Магутнасць - Макс: 100W,

Пажаданні
IRG4IBC30FD
Infineon Technologies

IRG4IBC30FD

частка акцыі: 6619

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 20.3A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 17A, Магутнасць - Макс: 45W,

Пажаданні
IRGB10B60KDPBF
Infineon Technologies

IRGB10B60KDPBF

частка акцыі: 46468

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 22A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 44A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 10A, Магутнасць - Макс: 156W,

Пажаданні
IRG4PC30SPBF
Infineon Technologies

IRG4PC30SPBF

частка акцыі: 27496

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 34A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 68A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 18A, Магутнасць - Макс: 100W,

Пажаданні
IGW50N65H5AXKSA1
Infineon Technologies

IGW50N65H5AXKSA1

частка акцыі: 15301

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 150A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 270W,

Пажаданні
IRGS6B60KDTRLP
Infineon Technologies

IRGS6B60KDTRLP

частка акцыі: 49637

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 13A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 26A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 5A, Магутнасць - Макс: 90W,

Пажаданні
IRG4IBC30W
Infineon Technologies

IRG4IBC30W

частка акцыі: 6608

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 17A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 92A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A, Магутнасць - Макс: 45W,

Пажаданні
IRG4PSH71KD
Infineon Technologies

IRG4PSH71KD

частка акцыі: 6612

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 78A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 156A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 42A, Магутнасць - Макс: 350W,

Пажаданні
IRGI4085-111PBF
Infineon Technologies

IRGI4085-111PBF

частка акцыі: 6680

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 330V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 28A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.5V @ 28V, 15A, Магутнасць - Макс: 38W,

Пажаданні
IKD06N60RAATMA1
Infineon Technologies

IKD06N60RAATMA1

частка акцыі: 99890

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 12A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 18A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6A, Магутнасць - Макс: 100W,

Пажаданні
IKP30N65F5XKSA1
Infineon Technologies

IKP30N65F5XKSA1

частка акцыі: 18449

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 55A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 90A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 188W,

Пажаданні
IRG4BC10SD-L
Infineon Technologies

IRG4BC10SD-L

частка акцыі: 6617

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 14A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 18A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 8A, Магутнасць - Макс: 38W,

Пажаданні
IRG4BC30W-STRL
Infineon Technologies

IRG4BC30W-STRL

частка акцыі: 6589

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 23A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 92A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A, Магутнасць - Макс: 100W,

Пажаданні
IRG4PC60UPBF
Infineon Technologies

IRG4PC60UPBF

частка акцыі: 11019

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 300A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 520W,

Пажаданні
FGPF120N30TU
ON Semiconductor

FGPF120N30TU

частка акцыі: 6635

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 300V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 120A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 180A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 25A, Магутнасць - Макс: 60W,

Пажаданні
FGPF90N30
ON Semiconductor

FGPF90N30

частка акцыі: 6597

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 300V, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 220A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 56.8W,

Пажаданні
SGL40N150TU
ON Semiconductor

SGL40N150TU

частка акцыі: 6631

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1500V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 40A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 4.7V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 200W,

Пажаданні
FGB30N6S2D
ON Semiconductor

FGB30N6S2D

частка акцыі: 6628

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 45A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 108A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A, Магутнасць - Макс: 167W,

Пажаданні
NGB18N40CLBT4
ON Semiconductor

NGB18N40CLBT4

частка акцыі: 5727

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 430V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 18A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 50A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 4V, 15A, Магутнасць - Макс: 115W,

Пажаданні
SGR15N40LTM
ON Semiconductor

SGR15N40LTM

частка акцыі: 6637

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 400V, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 130A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 8V @ 4.5V, 130A, Магутнасць - Макс: 45W,

Пажаданні
ISL9V3036S3S
ON Semiconductor

ISL9V3036S3S

частка акцыі: 6651

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 360V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 21A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 6A, Магутнасць - Макс: 150W,

Пажаданні
ISL9V2040P3
ON Semiconductor

ISL9V2040P3

частка акцыі: 6592

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 430V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 10A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 4V, 6A, Магутнасць - Макс: 130W,

Пажаданні
NGTB35N60FL2WG
ON Semiconductor

NGTB35N60FL2WG

частка акцыі: 33733

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 70A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 35A, Магутнасць - Макс: 300W,

Пажаданні
IXGH35N120B
IXYS

IXGH35N120B

частка акцыі: 6664

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 70A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 140A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 35A, Магутнасць - Макс: 300W,

Пажаданні
IXGH30N60C2D1
IXYS

IXGH30N60C2D1

частка акцыі: 5707

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 70A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 150A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 24A, Магутнасць - Макс: 190W,

Пажаданні
IXGP2N100
IXYS

IXGP2N100

частка акцыі: 26944

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1000V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 4A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 8A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 2A, Магутнасць - Макс: 25W,

Пажаданні
IXGH42N30C3
IXYS

IXGH42N30C3

частка акцыі: 31387

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 300V, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 250A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 42A, Магутнасць - Макс: 223W,

Пажаданні
IXGH17N100A
IXYS

IXGH17N100A

частка акцыі: 12196

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1000V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 34A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 68A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 17A, Магутнасць - Макс: 150W,

Пажаданні
IXGR35N120D1
IXYS

IXGR35N120D1

частка акцыі: 11335

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V,

Пажаданні
IXGH40N60B2
IXYS

IXGH40N60B2

частка акцыі: 6611

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 200A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 300W,

Пажаданні
IXGQ96N30TBD1
IXYS

IXGQ96N30TBD1

частка акцыі: 12506

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 320V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 96A,

Пажаданні
IXSK40N60BD1
IXYS

IXSK40N60BD1

частка акцыі: 6715

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 150A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 280W,

Пажаданні
STGBL6NC60DT4
STMicroelectronics

STGBL6NC60DT4

частка акцыі: 6510

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 14A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 18A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 3A, Магутнасць - Макс: 56W,

Пажаданні
STGP19NC60WD
STMicroelectronics

STGP19NC60WD

частка акцыі: 6604

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 40A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A, Магутнасць - Макс: 125W,

Пажаданні
STGP12NB60K
STMicroelectronics

STGP12NB60K

частка акцыі: 6660

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 30A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 60A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 12A, Магутнасць - Макс: 125W,

Пажаданні