Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Транзістары - IGBT - адзінкавыя

IXGT30N60B2D1
IXYS

IXGT30N60B2D1

частка акцыі: 5744

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 70A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 150A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 24A, Магутнасць - Макс: 190W,

Пажаданні
IXGT60N60B2
IXYS

IXGT60N60B2

частка акцыі: 6651

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 300A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 500W,

Пажаданні
IXGP16N60B2D1
IXYS

IXGP16N60B2D1

частка акцыі: 5741

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 40A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 100A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 12A, Магутнасць - Макс: 150W,

Пажаданні
IXST24N60BD1
IXYS

IXST24N60BD1

частка акцыі: 6717

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 48A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 96A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 24A, Магутнасць - Макс: 150W,

Пажаданні
IXEH25N120D1
IXYS

IXEH25N120D1

частка акцыі: 6687

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 36A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 25A, Магутнасць - Макс: 200W,

Пажаданні
IXSH35N100A
IXYS

IXSH35N100A

частка акцыі: 6581

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1000V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 70A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 140A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 35A, Магутнасць - Макс: 300W,

Пажаданні
IXGH20N120IH
IXYS

IXGH20N120IH

частка акцыі: 21773

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V,

Пажаданні
IXSK35N120AU1
IXYS

IXSK35N120AU1

частка акцыі: 6633

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 70A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 140A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 35A, Магутнасць - Макс: 300W,

Пажаданні
IXGH20N120
IXYS

IXGH20N120

частка акцыі: 10883

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 40A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 80A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 150W,

Пажаданні
IXGQ170N30PB
IXYS

IXGQ170N30PB

частка акцыі: 25805

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 300V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 170A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 85A, Магутнасць - Макс: 330W,

Пажаданні
IXGH40N60C2D1
IXYS

IXGH40N60C2D1

частка акцыі: 6637

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 200A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 300W,

Пажаданні
IXGA20N100
IXYS

IXGA20N100

частка акцыі: 12312

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1000V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 40A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 80A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 150W,

Пажаданні
IXGP16N60C2D1
IXYS

IXGP16N60C2D1

частка акцыі: 6641

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 40A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 100A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 12A, Магутнасць - Макс: 150W,

Пажаданні
IXGA12N120A2
IXYS

IXGA12N120A2

частка акцыі: 32112

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 24A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 48A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 12A, Магутнасць - Макс: 75W,

Пажаданні
IRG4BC30W-STRRP
Infineon Technologies

IRG4BC30W-STRRP

частка акцыі: 42701

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 23A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 92A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A, Магутнасць - Макс: 100W,

Пажаданні
IRG4IBC30KD
Infineon Technologies

IRG4IBC30KD

частка акцыі: 6550

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 17A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 34A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 16A, Магутнасць - Макс: 45W,

Пажаданні
IRG4PC50K
Infineon Technologies

IRG4PC50K

частка акцыі: 6579

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 52A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 104A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 200W,

Пажаданні
IRG4BC30F
Infineon Technologies

IRG4BC30F

частка акцыі: 6563

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 31A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 17A, Магутнасць - Макс: 100W,

Пажаданні
IRGS4055PBF
Infineon Technologies

IRGS4055PBF

частка акцыі: 6592

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 300V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 110A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 110A, Магутнасць - Макс: 255W,

Пажаданні
IRG4BC20W
Infineon Technologies

IRG4BC20W

частка акцыі: 6581

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 13A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 52A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 6.5A, Магутнасць - Макс: 60W,

Пажаданні
IRG4RC10UDPBF
Infineon Technologies

IRG4RC10UDPBF

частка акцыі: 83094

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 8.5A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 34A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 5A, Магутнасць - Макс: 38W,

Пажаданні
IRG4RC10KTRL
Infineon Technologies

IRG4RC10KTRL

частка акцыі: 6596

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 9A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 18A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.62V @ 15V, 5A, Магутнасць - Макс: 38W,

Пажаданні
IRGPF50F
Infineon Technologies

IRGPF50F

частка акцыі: 6560

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 900V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 51A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 28A, Магутнасць - Макс: 200W,

Пажаданні
IRG4PF50WD-201P
Infineon Technologies

IRG4PF50WD-201P

частка акцыі: 6720

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 900V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 51A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 204A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 28A, Магутнасць - Макс: 200W,

Пажаданні
IRG4PSC71KPBF
Infineon Technologies

IRG4PSC71KPBF

частка акцыі: 8341

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 85A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 200A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A, Магутнасць - Макс: 350W,

Пажаданні
IRG4BC20FD-STRR
Infineon Technologies

IRG4BC20FD-STRR

частка акцыі: 6576

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 16A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 64A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 9A, Магутнасць - Макс: 60W,

Пажаданні
HGTD3N60C3S9A
ON Semiconductor

HGTD3N60C3S9A

частка акцыі: 6573

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 6A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 24A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 3A, Магутнасць - Макс: 33W,

Пажаданні
FGH20N6S2
ON Semiconductor

FGH20N6S2

частка акцыі: 6613

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 28A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 40A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A, Магутнасць - Макс: 125W,

Пажаданні
SGH80N60UFDTU
ON Semiconductor

SGH80N60UFDTU

частка акцыі: 5661

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 220A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 195W,

Пажаданні
FGD3440G2-F085
ON Semiconductor

FGD3440G2-F085

частка акцыі: 21532

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 400V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 26.9A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.2V @ 4V, 6A, Магутнасць - Макс: 166W,

Пажаданні
FGP20N6S2D
ON Semiconductor

FGP20N6S2D

частка акцыі: 6642

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 28A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 40A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A, Магутнасць - Макс: 125W,

Пажаданні
FGA15N120FTDTU
ON Semiconductor

FGA15N120FTDTU

частка акцыі: 5620

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 30A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 45A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A, Магутнасць - Макс: 220W,

Пажаданні
HGTP10N120BN
ON Semiconductor

HGTP10N120BN

частка акцыі: 41051

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 35A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 80A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A, Магутнасць - Макс: 298W,

Пажаданні
STGB20NB37LZ
STMicroelectronics

STGB20NB37LZ

частка акцыі: 6703

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 425V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 40A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 80A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 4.5V, 20A, Магутнасць - Макс: 200W,

Пажаданні
STGD8NC60KDT4
STMicroelectronics

STGD8NC60KDT4

частка акцыі: 131819

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 15A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 30A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 3A, Магутнасць - Макс: 62W,

Пажаданні
STGD3NB60HDT4
STMicroelectronics

STGD3NB60HDT4

частка акцыі: 6583

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 10A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 24A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A, Магутнасць - Макс: 50W,

Пажаданні