Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Транзістары - IGBT - адзінкавыя

IRG4BC30W-SPBF
Infineon Technologies

IRG4BC30W-SPBF

частка акцыі: 53177

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 23A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 92A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A, Магутнасць - Макс: 100W,

Пажаданні
IRGSL6B60KDPBF
Infineon Technologies

IRGSL6B60KDPBF

частка акцыі: 36257

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 13A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 26A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 5A, Магутнасць - Макс: 90W,

Пажаданні
IRGS14C40LTRLP
Infineon Technologies

IRGS14C40LTRLP

частка акцыі: 39102

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 430V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 20A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.75V @ 5V, 14A, Магутнасць - Макс: 125W,

Пажаданні
IGB01N120H2ATMA1
Infineon Technologies

IGB01N120H2ATMA1

частка акцыі: 100516

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 3.2A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 3.5A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 1A, Магутнасць - Макс: 28W,

Пажаданні
IKD10N60RFAATMA1
Infineon Technologies

IKD10N60RFAATMA1

частка акцыі: 76538

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 20A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 30A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A, Магутнасць - Макс: 150W,

Пажаданні
IRGBC30U
Infineon Technologies

IRGBC30U

частка акцыі: 6533

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 23A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 12A, Магутнасць - Макс: 100W,

Пажаданні
IRGB4B60KD1PBF
Infineon Technologies

IRGB4B60KD1PBF

частка акцыі: 43674

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 11A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 22A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A, Магутнасць - Макс: 63W,

Пажаданні
IGP30N65F5XKSA1
Infineon Technologies

IGP30N65F5XKSA1

частка акцыі: 44897

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 55A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 90A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 188W,

Пажаданні
IRG4PH30KD
Infineon Technologies

IRG4PH30KD

частка акцыі: 6581

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 20A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 40A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 4.2V @ 15V, 10A, Магутнасць - Макс: 100W,

Пажаданні
IRG4BC20U
Infineon Technologies

IRG4BC20U

частка акцыі: 6513

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 13A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 52A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6.5A, Магутнасць - Макс: 60W,

Пажаданні
IRGPS40B120UDP
Infineon Technologies

IRGPS40B120UDP

частка акцыі: 5783

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 160A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 595W,

Пажаданні
IRGB8B60KPBF
Infineon Technologies

IRGB8B60KPBF

частка акцыі: 80644

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 28A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 26A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 8A, Магутнасць - Макс: 167W,

Пажаданні
IKW50N65H5AXKSA1
Infineon Technologies

IKW50N65H5AXKSA1

частка акцыі: 12370

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 150A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 270W,

Пажаданні
IRG4RC10K
Infineon Technologies

IRG4RC10K

частка акцыі: 6535

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 9A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 18A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.62V @ 15V, 5A, Магутнасць - Макс: 38W,

Пажаданні
IRG4BAC50W-SPBF
Infineon Technologies

IRG4BAC50W-SPBF

частка акцыі: 6644

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 55A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 27A, Магутнасць - Макс: 200W,

Пажаданні
IXGH32N90B2D1
IXYS

IXGH32N90B2D1

частка акцыі: 12819

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 900V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 64A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 200A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 32A, Магутнасць - Макс: 300W,

Пажаданні
IXGH60N60C2
IXYS

IXGH60N60C2

частка акцыі: 6658

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 300A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 480W,

Пажаданні
IXSH50N60B
IXYS

IXSH50N60B

частка акцыі: 6655

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 200A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 250W,

Пажаданні
IXSH35N140A
IXYS

IXSH35N140A

частка акцыі: 6699

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1400V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 70A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 140A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 35A, Магутнасць - Макс: 300W,

Пажаданні
IXGA7N60CD1
IXYS

IXGA7N60CD1

частка акцыі: 6639

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 14A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 30A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 7A, Магутнасць - Макс: 75W,

Пажаданні
IXGH32N100A3
IXYS

IXGH32N100A3

частка акцыі: 11956

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1000V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 200A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 32A, Магутнасць - Макс: 300W,

Пажаданні
IXGR50N60C2D1
IXYS

IXGR50N60C2D1

частка акцыі: 6712

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 300A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 200W,

Пажаданні
IXGH32N60C
IXYS

IXGH32N60C

частка акцыі: 6573

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 60A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 32A, Магутнасць - Макс: 200W,

Пажаданні
FGB40N6S2T
ON Semiconductor

FGB40N6S2T

частка акцыі: 6656

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 180A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 290W,

Пажаданні
NGB8206NT4
ON Semiconductor

NGB8206NT4

частка акцыі: 6645

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 390V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 20A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 50A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 4.5V, 20A, Магутнасць - Макс: 150W,

Пажаданні
SGR6N60UFTM
ON Semiconductor

SGR6N60UFTM

частка акцыі: 5700

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 6A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 25A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 3A, Магутнасць - Макс: 30W,

Пажаданні
FGA5065ADF
ON Semiconductor

FGA5065ADF

частка акцыі: 20873

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 150A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 268W,

Пажаданні
FGH40T65SHD-F155
ON Semiconductor

FGH40T65SHD-F155

частка акцыі: 5732

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 268W,

Пажаданні
NGP15N41CL
ON Semiconductor

NGP15N41CL

частка акцыі: 6595

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 440V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 15A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 50A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 4V, 10A, Магутнасць - Макс: 107W,

Пажаданні
FGH40T65SH-F155
ON Semiconductor

FGH40T65SH-F155

частка акцыі: 6513

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 268W,

Пажаданні
FGY100T65SCDT
ON Semiconductor

FGY100T65SCDT

частка акцыі: 6572

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 200A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 300A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A, Магутнасць - Макс: 750W,

Пажаданні
FGA70N30TTU
ON Semiconductor

FGA70N30TTU

частка акцыі: 6635

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 300V, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 160A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 201W,

Пажаданні
SGF23N60UFTU
ON Semiconductor

SGF23N60UFTU

частка акцыі: 41664

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 23A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 92A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 12A, Магутнасць - Макс: 75W,

Пажаданні
RJH60A83RDPE-00#J3
Renesas Electronics America

RJH60A83RDPE-00#J3

частка акцыі: 6526

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 20A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 10A, Магутнасць - Макс: 52W,

Пажаданні
STGP3NB60K
STMicroelectronics

STGP3NB60K

частка акцыі: 6656

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 10A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 24A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A, Магутнасць - Макс: 50W,

Пажаданні
STGB3NB60KDT4
STMicroelectronics

STGB3NB60KDT4

частка акцыі: 6661

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 10A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 24A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A, Магутнасць - Макс: 50W,

Пажаданні