Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Транзістары - IGBT - адзінкавыя

HGTG12N60B3
ON Semiconductor

HGTG12N60B3

частка акцыі: 5662

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 27A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 110A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A, Магутнасць - Макс: 104W,

Пажаданні
NGD18N40CLBT4
ON Semiconductor

NGD18N40CLBT4

частка акцыі: 6608

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 430V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 15A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 50A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 4V, 15A, Магутнасць - Макс: 115W,

Пажаданні
HGTG7N60A4
ON Semiconductor

HGTG7N60A4

частка акцыі: 6602

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 34A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 56A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A, Магутнасць - Макс: 125W,

Пажаданні
SGL40N150DTU
ON Semiconductor

SGL40N150DTU

частка акцыі: 6629

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1500V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 40A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 4.7V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 200W,

Пажаданні
SGR2N60UFDTM
ON Semiconductor

SGR2N60UFDTM

частка акцыі: 6576

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 2.4A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 10A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 1.2A, Магутнасць - Макс: 25W,

Пажаданні
FGD5T120SH
ON Semiconductor

FGD5T120SH

частка акцыі: 144045

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 10A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 12.5A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 5A, Магутнасць - Макс: 69W,

Пажаданні
FGL60N100BNTDTU
ON Semiconductor

FGL60N100BNTDTU

частка акцыі: 21621

Тып IGBT: NPT and Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1000V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 60A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A, Магутнасць - Макс: 180W,

Пажаданні
FGH40T65SPD-F155
ON Semiconductor

FGH40T65SPD-F155

частка акцыі: 21639

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 267W,

Пажаданні
HGT1S20N60C3S9A
ON Semiconductor

HGT1S20N60C3S9A

частка акцыі: 28379

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 45A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 300A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 164W,

Пажаданні
FGA120N30DTU
ON Semiconductor

FGA120N30DTU

частка акцыі: 6590

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 300V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 120A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 300A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 25A, Магутнасць - Макс: 290W,

Пажаданні
IRG4PC40F
Infineon Technologies

IRG4PC40F

частка акцыі: 6612

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 49A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 200A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 27A, Магутнасць - Макс: 160W,

Пажаданні
IRG4BC40K
Infineon Technologies

IRG4BC40K

частка акцыі: 5736

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 42A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 84A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 25A, Магутнасць - Макс: 160W,

Пажаданні
IRG4BC15UDPBF
Infineon Technologies

IRG4BC15UDPBF

частка акцыі: 28678

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 14A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 42A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 7.8A, Магутнасць - Макс: 49W,

Пажаданні
IRG4RC10STRL
Infineon Technologies

IRG4RC10STRL

частка акцыі: 6542

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 14A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 18A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 8A, Магутнасць - Макс: 38W,

Пажаданні
IRGC4660B
Infineon Technologies

IRGC4660B

частка акцыі: 20719

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 48A,

Пажаданні
IRG4IBC20WPBF
Infineon Technologies

IRG4IBC20WPBF

частка акцыі: 31096

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 12A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 52A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 6.5A, Магутнасць - Макс: 34W,

Пажаданні
IRGPC40FD2
Infineon Technologies

IRGPC40FD2

частка акцыі: 6557

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 49A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 27A, Магутнасць - Макс: 160W,

Пажаданні
IRG4BC20S
Infineon Technologies

IRG4BC20S

частка акцыі: 6599

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 19A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 38A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 10A, Магутнасць - Макс: 60W,

Пажаданні
IRG4BC30FD1
Infineon Technologies

IRG4BC30FD1

частка акцыі: 6592

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 31A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 17A, Магутнасць - Макс: 100W,

Пажаданні
IXGQ180N33TCD1
IXYS

IXGQ180N33TCD1

частка акцыі: 9483

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 330V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 180A,

Пажаданні
IXSP20N60B2D1
IXYS

IXSP20N60B2D1

частка акцыі: 6587

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 35A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 60A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 16A, Магутнасць - Макс: 190W,

Пажаданні
IXSH40N60B2D1
IXYS

IXSH40N60B2D1

частка акцыі: 6622

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 48A,

Пажаданні
IXGK60N60
IXYS

IXGK60N60

частка акцыі: 6619

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 200A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 60A, Магутнасць - Макс: 300W,

Пажаданні
IXST40N60B2D1
IXYS

IXST40N60B2D1

частка акцыі: 6597

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 48A,

Пажаданні
IXST30N60C
IXYS

IXST30N60C

частка акцыі: 6639

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 55A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 110A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 200W,

Пажаданні
IXGH16N60B2D1
IXYS

IXGH16N60B2D1

частка акцыі: 6649

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 40A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 100A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 12A, Магутнасць - Макс: 150W,

Пажаданні
IXEH40N120
IXYS

IXEH40N120

частка акцыі: 6682

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 60A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 300W,

Пажаданні
IXSA20N60B2D1
IXYS

IXSA20N60B2D1

частка акцыі: 6663

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 35A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 60A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 16A, Магутнасць - Макс: 190W,

Пажаданні
IXSH45N120
IXYS

IXSH45N120

частка акцыі: 6670

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 180A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 45A, Магутнасць - Макс: 300W,

Пажаданні
IXGH32N60BU1
IXYS

IXGH32N60BU1

частка акцыі: 6530

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 60A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 32A, Магутнасць - Макс: 200W,

Пажаданні
IXGA7N60BD1
IXYS

IXGA7N60BD1

частка акцыі: 6654

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 14A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 56A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A, Магутнасць - Макс: 80W,

Пажаданні
IXGQ28N120B
IXYS

IXGQ28N120B

частка акцыі: 15293

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 50A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 150A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 28A, Магутнасць - Макс: 250W,

Пажаданні
IXGC16N60C2
IXYS

IXGC16N60C2

частка акцыі: 6701

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 20A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 100A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 12A, Магутнасць - Макс: 63W,

Пажаданні
GPA030A120I-FD
Global Power Technologies Group

GPA030A120I-FD

частка акцыі: 22965

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 60A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 90A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 329W,

Пажаданні
STGWT20IH125DF
STMicroelectronics

STGWT20IH125DF

частка акцыі: 18218

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1250V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 40A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 80A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A, Магутнасць - Макс: 259W,

Пажаданні
STGB3NB60SDT4
STMicroelectronics

STGB3NB60SDT4

частка акцыі: 6643

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 6A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 25A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 3A, Магутнасць - Макс: 70W,

Пажаданні