Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Дыёды - стабилитроны - адзінкавыя

1N4744AHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4744AHR0G

частка акцыі: 74

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 15V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 14 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 11.4V,

Пажаданні
1M110ZHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1M110ZHR0G

частка акцыі: 144

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 110V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 450 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 83.6V,

Пажаданні
1N4740A R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4740A R0G

частка акцыі: 133

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 10V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 7 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 7.6V,

Пажаданні
1N4746A R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4746A R0G

частка акцыі: 117

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 18V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 40 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 13.7V,

Пажаданні
1N4748AHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4748AHR0G

частка акцыі: 94

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 22V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 23 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 16.7V,

Пажаданні
1N4749A R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4749A R0G

частка акцыі: 126

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 24V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 25 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 18.2V,

Пажаданні
1N4764AHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4764AHR0G

частка акцыі: 110

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 100V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 350 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 76V,

Пажаданні
1N4750A R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4750A R0G

частка акцыі: 126

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 27V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 35 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 20.6V,

Пажаданні
1N4743A R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4743A R0G

частка акцыі: 83

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 13V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 70 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 32.7V,

Пажаданні
1N4758A R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4758A R0G

частка акцыі: 103

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 56V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 110 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 42.6V,

Пажаданні
1N4744A R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4744A R0G

частка акцыі: 136

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 15V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 14 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 11.4V,

Пажаданні
1N4758AHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4758AHR0G

частка акцыі: 88

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 56V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 110 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 42.6V,

Пажаданні
1N4747A R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4747A R0G

частка акцыі: 61

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 20V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 70 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 15.2V,

Пажаданні
1N4763AHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4763AHR0G

частка акцыі: 60

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 91V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 250 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 69.2V,

Пажаданні
1N4741A R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4741A R0G

частка акцыі: 58

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 11V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 16 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 12.2V,

Пажаданні
1N5360BRLG
ON Semiconductor

1N5360BRLG

частка акцыі: 150798

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 25V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 4 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 19V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 1A,

Пажаданні
1N5361BG
ON Semiconductor

1N5361BG

частка акцыі: 170333

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 27V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 5 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 20.6V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 1A,

Пажаданні
1N5342BG
ON Semiconductor

1N5342BG

частка акцыі: 155825

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 6.8V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 1 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 5.2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 1A,

Пажаданні
1N5367BG
ON Semiconductor

1N5367BG

частка акцыі: 178673

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 43V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 20 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 32.7V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 1A,

Пажаданні
1N5378BRLG
ON Semiconductor

1N5378BRLG

частка акцыі: 119800

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 100V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 90 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 76V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 1A,

Пажаданні
1N5344BRLG
ON Semiconductor

1N5344BRLG

частка акцыі: 158210

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 8.2V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 1.5 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 6.2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 1A,

Пажаданні
1SMA5928BT3G
ON Semiconductor

1SMA5928BT3G

частка акцыі: 164593

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 13V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 7 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 9.9V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

Пажаданні
1N5365BRLG
ON Semiconductor

1N5365BRLG

частка акцыі: 134695

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 36V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 11 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 27.4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 1A,

Пажаданні
1N5348BRLG
ON Semiconductor

1N5348BRLG

частка акцыі: 126793

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 11V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 2.5 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 8.4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 1A,

Пажаданні
1N5366BRLG
ON Semiconductor

1N5366BRLG

частка акцыі: 109101

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 39V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 14 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 29.7V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 1A,

Пажаданні
1N5351BRLG
ON Semiconductor

1N5351BRLG

частка акцыі: 121784

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 14V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 2.5 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 10.6V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 1A,

Пажаданні
1N5351BG
ON Semiconductor

1N5351BG

частка акцыі: 174368

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 14V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 2.5 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 10.6V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 1A,

Пажаданні
1N5917BRLG
ON Semiconductor

1N5917BRLG

частка акцыі: 176263

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 4.7V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 5 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 1.5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

Пажаданні
1SMB5922B-13
Diodes Incorporated

1SMB5922B-13

частка акцыі: 115161

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 7.5V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 3 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 6V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

Пажаданні
1SMB5942B-13
Diodes Incorporated

1SMB5942B-13

частка акцыі: 153299

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 51V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 70 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 38.8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

Пажаданні
1N5248B-G
Comchip Technology

1N5248B-G

частка акцыі: 170005

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 18V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 21 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 14V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,

Пажаданні
1N5226B-G
Comchip Technology

1N5226B-G

частка акцыі: 186245

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.3V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 28 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 25µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,

Пажаданні
1N5257B-G
Comchip Technology

1N5257B-G

частка акцыі: 133499

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 33V, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 58 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 25V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,

Пажаданні
1SMA4754TR
SMC Diode Solutions

1SMA4754TR

частка акцыі: 129731

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 39V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 60 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 29.7V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

Пажаданні
1SMA4744TR
SMC Diode Solutions

1SMA4744TR

частка акцыі: 197227

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 15V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 14 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 11.4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

Пажаданні
1SMA4742TR
SMC Diode Solutions

1SMA4742TR

частка акцыі: 125843

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 12V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 9 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 9.1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

Пажаданні