Дыёды - стабилитроны - адзінкавыя

1N3031B-1

частка акцыі: 10707

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 30V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 40 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 22.8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

1N5931E3/TR13

частка акцыі: 108355

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 18V, Талерантнасць: ±20%, Магутнасць - Макс: 1.5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 12 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 13.7V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

1N4756AGE3

частка акцыі: 89

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 47V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 35.8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

1N5226BE3

частка акцыі: 128

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.3V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 28 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 25µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

1N5546B

частка акцыі: 24355

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 33V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 113 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10nA @ 29.7V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,

1N5923E3/TR13

частка акцыі: 108422

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 8.2V, Талерантнасць: ±20%, Магутнасць - Макс: 1.5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 3.5 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 6.5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

1N5929BE3/TR13

частка акцыі: 108372

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 15V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 9 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 11.4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

1N5933BE3/TR13

частка акцыі: 108386

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 22V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 17.5 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 16.7V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

1N4707

частка акцыі: 92

1N5935CE3/TR13

частка акцыі: 79394

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 28V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 1.5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 23 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 20.6V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

1N757A-1

частка акцыі: 108

1N4745E3/TR13

частка акцыі: 128052

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 16V, Талерантнасць: ±10%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 16 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 12.2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

1N4618-1

частка акцыі: 28320

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 2.7V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 1500 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,

1N5942AE3/TR13

частка акцыі: 108404

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 51V, Талерантнасць: ±10%, Магутнасць - Макс: 1.5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 70 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 38.8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

1N5930E3/TR13

частка акцыі: 108380

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 16V, Талерантнасць: ±20%, Магутнасць - Макс: 1.5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 10 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 12.2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

1N4714UR-1

частка акцыі: 104

1N4694

частка акцыі: 105

1N978B

частка акцыі: 36047

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 51V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 125 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 38.8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,

1N5525B

частка акцыі: 39232

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 6.2V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,

1N5930CE3/TR13

частка акцыі: 79389

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 16V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 1.5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 10 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 12.2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

1N4752CE3/TR13

частка акцыі: 90884

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 33V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 45 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 25.1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

1N765

частка акцыі: 38096

1N6003C

частка акцыі: 16312

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 13V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 25 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 9.9V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,

1N4752AUR

частка акцыі: 21594

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 33V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 45 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 25.1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

1N5926AE3/TR13

частка акцыі: 108417

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 11V, Талерантнасць: ±10%, Магутнасць - Макс: 1.5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 5.5 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 8.4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

1N4708UR-1

частка акцыі: 94

1N4758E3/TR13

частка акцыі: 128075

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 56V, Талерантнасць: ±10%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 110 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 42.6V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

1N5955B

частка акцыі: 175

1N4746E3/TR13

частка акцыі: 128077

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 18V, Талерантнасць: ±10%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 20 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 13.7V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

1N971B

частка акцыі: 36073

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 27V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 41 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 20.6V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,

1N4749AE3/TR13

частка акцыі: 119747

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 24V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 25 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 18.2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

1N4738CE3/TR13

частка акцыі: 90869

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 8.2V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 4.5 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 6V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

1N4101D-1

частка акцыі: 168

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 8.2V, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 200 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 6.3V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,

1N5930BE3/TR13

частка акцыі: 108373

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 16V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 10 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 12.2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

1N3036B-1

частка акцыі: 10707

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 47V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 35.8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

1N746AE3

частка акцыі: 156

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.3V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 28 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,