Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Дыёды - стабилитроны - адзінкавыя

1SMB5934B-13
Diodes Incorporated

1SMB5934B-13

частка акцыі: 191049

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 24V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 550mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 19 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 18.2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

Пажаданні
1SMB5954B-13
Diodes Incorporated

1SMB5954B-13

частка акцыі: 168979

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 160V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 700 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 121.6V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

Пажаданні
1SMB5944B-13
Diodes Incorporated

1SMB5944B-13

частка акцыі: 171382

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 62V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 100 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 47.1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

Пажаданні
1SMB5949B-13
Diodes Incorporated

1SMB5949B-13

частка акцыі: 153317

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 100V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 250 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 76V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

Пажаданні
1SMB5953B-13
Diodes Incorporated

1SMB5953B-13

частка акцыі: 168713

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 150V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 600 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 114V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

Пажаданні
1SMB5950B-13
Diodes Incorporated

1SMB5950B-13

частка акцыі: 146512

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 110V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 300 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 83.6V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

Пажаданні
1SMB5938B-13
Diodes Incorporated

1SMB5938B-13

частка акцыі: 165381

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 36V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 550mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 38 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 27.4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

Пажаданні
1SMB5947B-13
Diodes Incorporated

1SMB5947B-13

частка акцыі: 189550

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 82V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 160 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 62.2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

Пажаданні
1N4752AHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4752AHR0G

частка акцыі: 106

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 33V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 45 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 25.1V,

Пажаданні
1N4745A R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4745A R0G

частка акцыі: 94

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 16V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 20 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 12.2V,

Пажаданні
1N4761A R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4761A R0G

частка акцыі: 100

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 75V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 175 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 56V,

Пажаданні
1N4750AHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4750AHR0G

частка акцыі: 140

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 27V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 35 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 20.6V,

Пажаданні
1M120ZHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1M120ZHR0G

частка акцыі: 124

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 120V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 550 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 91.2V,

Пажаданні
1N4743AHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4743AHR0G

частка акцыі: 112

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 13V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 95 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 38.8V,

Пажаданні
1N4753AHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4753AHR0G

частка акцыі: 88

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 36V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 50 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 27.4V,

Пажаданні
1N4748A R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4748A R0G

частка акцыі: 87

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 22V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 23 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 16.7V,

Пажаданні
1M130ZHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1M130ZHR0G

частка акцыі: 70

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 130V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 700 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 98.8V,

Пажаданні
1N4763A R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4763A R0G

частка акцыі: 127

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 91V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 250 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 69.2V,

Пажаданні
1N4745AHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4745AHR0G

частка акцыі: 87

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 16V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 23 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 12.2V,

Пажаданні
1M160ZHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1M160ZHR0G

частка акцыі: 75

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 160V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 1100 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 121.6V,

Пажаданні
1N4751AHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4751AHR0G

частка акцыі: 114

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 30V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 40 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 22.8V,

Пажаданні
1N4759A R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4759A R0G

частка акцыі: 87

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 62V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 125 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 47.1V,

Пажаданні
1N4740AHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4740AHR0G

частка акцыі: 67

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 10V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 9 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 9.1V,

Пажаданні
1N4742AHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4742AHR0G

частка акцыі: 148

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 12V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 45 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 25.1V,

Пажаданні
1M200ZHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1M200ZHR0G

частка акцыі: 84

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 200V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 1500 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 152V,

Пажаданні
1N4755AHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4755AHR0G

частка акцыі: 148

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 43V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 70 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 32.7V,

Пажаданні
1N4754AHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4754AHR0G

частка акцыі: 61

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 39V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 60 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 29.7V,

Пажаданні
1N5360BG
ON Semiconductor

1N5360BG

частка акцыі: 162743

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 25V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 4 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 19V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 1A,

Пажаданні
1N5367BRLG
ON Semiconductor

1N5367BRLG

частка акцыі: 178166

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 43V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 20 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 32.7V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 1A,

Пажаданні
1N5361BRLG
ON Semiconductor

1N5361BRLG

частка акцыі: 185842

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 27V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 5 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 20.6V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 1A,

Пажаданні
1N5373BRLG
ON Semiconductor

1N5373BRLG

частка акцыі: 114773

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 68V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 44 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 51.7V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 1A,

Пажаданні
1N5381BRLG
ON Semiconductor

1N5381BRLG

частка акцыі: 137142

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 130V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 190 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 98.8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 1A,

Пажаданні
1N5375BRLG
ON Semiconductor

1N5375BRLG

частка акцыі: 144463

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 82V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 65 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 62.2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 1A,

Пажаданні
1N5347BRLG
ON Semiconductor

1N5347BRLG

частка акцыі: 117170

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 10V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 2 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 7.6V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 1A,

Пажаданні
1N5358BRLG
ON Semiconductor

1N5358BRLG

частка акцыі: 183796

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 22V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 3.5 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 16.7V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 1A,

Пажаданні
1N5340BRLG
ON Semiconductor

1N5340BRLG

частка акцыі: 147048

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 6V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 1 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 3V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 1A,

Пажаданні