Дыёды - стабилитроны - адзінкавыя

1N6485

частка акцыі: 141

1N6487

частка акцыі: 112

1N6312US

частка акцыі: 71

1SMB5950 R5G

частка акцыі: 53

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 110V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 300 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 83.6V,

1SMB5936 R5G

частка акцыі: 94

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 30V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 26 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 22.8V,

1SMA180ZHR3G

частка акцыі: 91

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 180V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.25W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 1200 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 136.8V,

1SMA4756HR3G

частка акцыі: 95

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 47V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.25W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 35.8V,

1SMA5937HM2G

частка акцыі: 63

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 33V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 33 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 25.1V,

1SMA4741HM2G

частка акцыі: 84

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 11V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.25W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 8 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 8.4V,

1SMA160ZHR3G

частка акцыі: 113

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 160V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.25W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 1100 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 121.6V,

1SMA4753 M2G

частка акцыі: 129

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 36V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.25W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 50 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 27.4V,

1SMA5942 M2G

частка акцыі: 45

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 51V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 70 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 38.8V,

1SMB5944HR5G

частка акцыі: 142

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 62V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 100 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 47.1V,

1PGSMB5940 R5G

частка акцыі: 130

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 43V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 53 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 32.7V,

1SMB5944 M4G

частка акцыі: 133

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 62V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 100 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 47.1V,

1SMA5929HM2G

частка акцыі: 115

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 15V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 9 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 11.4V,

1SMA4763HR3G

частка акцыі: 109

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 91V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.25W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 250 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 69.2V,

1SMA150ZHR3G

частка акцыі: 69

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 150V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.25W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 1000 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 114V,

1SMA160ZHM2G

частка акцыі: 81

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 160V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.25W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 1100 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 121.6V,

1SMA5933 M2G

частка акцыі: 63

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 22V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 17.5 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 16.7V,

1SMA5937HR3G

частка акцыі: 62

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 33V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 33 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 25.1V,

1SMA5956HM2G

частка акцыі: 87

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 200V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 1200 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 152V,

1SMA5931HR3G

частка акцыі: 138

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 18V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 12 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 13.7V,

1SMB5934HR5G

частка акцыі: 138

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 24V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 19 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 18.2V,

1SMA5927HM2G

частка акцыі: 45

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 12V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 6.5 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 9.1V,

1SMB5954HM4G

частка акцыі: 55

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 160V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 700 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 121.6V,

1SMA4742HM2G

частка акцыі: 57

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 12V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.25W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 9 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 9.1V,

1SMA5928HM2G

частка акцыі: 135

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 13V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 7 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 9.9V,

1SMB5944HM4G

частка акцыі: 140

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 62V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 100 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 47.1V,

1SMB5932HM4G

частка акцыі: 102

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 20V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 14 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 15.2V,

1SMB5928 R5G

частка акцыі: 84

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 13V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 7 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 9.9V,

1SMA5942 R3G

частка акцыі: 91

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 51V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 70 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 38.8V,

1SMB5949HM4G

частка акцыі: 51

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 100V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 250 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 76V,

1SMA5932 R3G

частка акцыі: 49

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 20V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 14 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 15.2V,

1SMB5944BT3G

частка акцыі: 194589

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 62V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 100 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 47.1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

1PMT5941BT1G

частка акцыі: 144832

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 47V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 3.2W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 67 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 35.8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 200mA,