Транзістары - JFET

MMBF4391

частка акцыі: 133772

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 50mA @ 20V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 4V @ 1nA,

TF412ST5G

частка акцыі: 184962

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1.2mA @ 10V, Сцёк току (Id) - макс: 10mA, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 180mV @ 1µA,

J202_D27Z

частка акцыі: 3368

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 40V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 900µA @ 20V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 800mV @ 10nA,

JFTJ105

частка акцыі: 3431

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 25V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 500mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 4.5V @ 1µA,

TF252TH-4-TL-H

частка акцыі: 3451

Тып FET: N-Channel, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 140µA @ 2V, Сцёк току (Id) - макс: 1mA, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 100mV @ 1µA,

FJX597JBTF

частка акцыі: 3389

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 20V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 150µA @ 5V, Сцёк току (Id) - макс: 1mA, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 600mV @ 1µA,

J112RLRA

частка акцыі: 3445

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 35V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 1V @ 1µA,

J202_D74Z

частка акцыі: 3477

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 40V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 900µA @ 20V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 800mV @ 10nA,

TF252-4-TL-H

частка акцыі: 3458

Тып FET: N-Channel, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 140µA @ 2V, Сцёк току (Id) - макс: 1mA, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 100mV @ 1µA,

MPF4393

частка акцыі: 3385

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 500mV @ 10nA,

J111_D75Z

частка акцыі: 3434

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 35V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 20mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 3V @ 1µA,

J112G

частка акцыі: 3431

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 35V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 1V @ 1µA,

J201_D27Z

частка акцыі: 3432

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 40V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 200µA @ 20V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 300mV @ 10nA,

J110G

частка акцыі: 3521

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 25V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 10mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 500mV @ 1µA,

MPF4393RLRPG

частка акцыі: 3449

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 500mV @ 10nA,

PN4391

частка акцыі: 3393

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 50mA @ 20V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 4V @ 1nA,

P1086_D75Z

частка акцыі: 3402

Тып FET: P-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 10mA @ 20V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 10V @ 1µA,

J109

частка акцыі: 155883

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 25V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 40mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 2V @ 10nA,

J110_D26Z

частка акцыі: 3458

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 25V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 10mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 500mV @ 10nA,

J111_D27Z

частка акцыі: 3418

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 35V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 20mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 3V @ 1µA,

TF202THC-4-TL-H

частка акцыі: 3377

Тып FET: N-Channel, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 140µA @ 5V, Сцёк току (Id) - макс: 1mA, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 200mV @ 1µA,

SMMBF4393LT1G

частка акцыі: 107687

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 30mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 3V @ 10nA,

MMBF5457

частка акцыі: 139477

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 25V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 500mV @ 10nA,

KSK596ABU

частка акцыі: 3426

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 20V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 100µA @ 5V, Сцёк току (Id) - макс: 1mA, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 600mV @ 1µA,

MV2N4392UB

частка акцыі: 3458

MV2N4393

частка акцыі: 3427

MV2N4856

частка акцыі: 3480

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 40V, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 40V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 175mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 10V @ 500pA,

MX2N4393UB

частка акцыі: 3485

PMBFJ110,215

частка акцыі: 137694

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 25V, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 25V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 10mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 4V @ 1µA,

PMBFJ309,215

частка акцыі: 114569

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 25V, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 25V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 12mA @ 10V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 1V @ 1µA,

J109,126

частка акцыі: 3345

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 25V, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 25V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 80mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 2V @ 1µA,

PMBFJ308,215

частка акцыі: 188745

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 25V, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 25V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 12mA @ 10V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 1V @ 1µA,

PMBF4392,215

частка акцыі: 3366

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 40V, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 40V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 25mA @ 20V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 2V @ 1nA,

U441

частка акцыі: 3399

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 25V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 6mA @ 10V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 1V @ 1nA,

U290-E3

частка акцыі: 3464

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 500mA @ 10V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 4V @ 3nA,

CP210-2N4416-CT20

частка акцыі: 500

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 20V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 6V @ 1nA,