Транзістары - JFET

FJN598JCBU

частка акцыі: 3390

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 20V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 100µA @ 5V, Сцёк току (Id) - макс: 1mA, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 600mV @ 1µA,

J174_D27Z

частка акцыі: 3440

Тып FET: P-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 20mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 5V @ 10nA,

EC3A03B-TL-H

частка акцыі: 3447

Тып FET: N-Channel, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 40V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 50µA @ 20V, Сцёк току (Id) - макс: 1mA, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 1.5V @ 1µA,

KSK596PCWD

частка акцыі: 3392

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 20V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 100µA @ 5V, Сцёк току (Id) - макс: 1mA, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 600mV @ 1µA,

MMBF5458

частка акцыі: 132490

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 25V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 1V @ 10nA,

MMBF4119

частка акцыі: 167525

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 40V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 200µA @ 10V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 2V @ 1nA,

TIS74_J35Z

частка акцыі: 3399

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 20mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 2V @ 4nA,

MMBFJ110

частка акцыі: 111642

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 25V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 10mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 4V @ 10nA,

KSK596PAWD

частка акцыі: 3450

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 20V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 100µA @ 5V, Сцёк току (Id) - макс: 1mA, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 600mV @ 1µA,

SMMBFJ177LT1G

частка акцыі: 137307

Тып FET: P-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1.5mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 800mV @ 10nA,

J112RL1G

частка акцыі: 3406

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 35V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 1V @ 1µA,

MMBFJ203

частка акцыі: 3434

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 40V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 4mA @ 20V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 2V @ 10nA,

J174

частка акцыі: 3498

Тып FET: P-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 20mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 5V @ 10nA,

J175-D26Z

частка акцыі: 16216

Тып FET: P-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 7mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 3V @ 10nA,

CPH6904-TL-E

частка акцыі: 196046

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 20mA @ 5V, Сцёк току (Id) - макс: 50mA, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 600mV @ 100µA,

TF408-3-TL-HX

частка акцыі: 3414

J109-D26Z

частка акцыі: 233

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 25V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 40mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 2V @ 10nA,

NSVJ6904DSB6T1G

частка акцыі: 9922

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 25V, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 25V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 20mA @ 5V, Сцёк току (Id) - макс: 50mA, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 600mV @ 100µA,

J113-D74Z

частка акцыі: 34497

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 35V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 500mV @ 1µA,

J177_D27Z

частка акцыі: 3382

Тып FET: P-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1.5mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 800mV @ 10nA,

MMBF5457LT1

частка акцыі: 3346

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 25V, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 25V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 500mV @ 10nA,

MMBF4392LT1G

частка акцыі: 129965

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 25mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 2V @ 10nA,

KSK595HMTF

частка акцыі: 3430

Тып FET: N-Channel, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 150µA @ 5V, Сцёк току (Id) - макс: 1mA, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 600mV @ 1µA,

PN4092_D74Z

частка акцыі: 3377

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 40V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 15mA @ 20V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 2V @ 1nA,

MV2N4857

частка акцыі: 3425

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 40V, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 40V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 100mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 6V @ 500pA,

MX2N4392UB

частка акцыі: 3411

MX2N4393

частка акцыі: 3465

JANTX2N4416AUB

частка акцыі: 561

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 35V, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 35V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 15mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 6V @ 1nA,

MV2N4860UB

частка акцыі: 3437

MV2N4391

частка акцыі: 3459

U291-E3

частка акцыі: 3446

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 200mA @ 10V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 1.5V @ 3nA,

U440

частка акцыі: 3408

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 25V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 6mA @ 10V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 1V @ 1nA,

IJW120R100T1FKSA1

частка акцыі: 3424

Тып FET: N-Channel, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 1200V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1.5µA @ 1200V, Сцёк току (Id) - макс: 26A,

PMBFJ108,215

частка акцыі: 176025

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 25V, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 25V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 80mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 10V @ 1µA,

J2A080GX0/T0BG295,

частка акцыі: 3424

J176,126

частка акцыі: 3498

Тып FET: P-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 1V @ 10nA,