Транзістары - JFET

MX2N4860

частка акцыі: 3473

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 100mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 6V @ 500pA,

MV2N4861

частка акцыі: 3498

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 80mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 4V @ 0.5nA,

MX2N5114

частка акцыі: 3508

Тып FET: P-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 90mA @ 18V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 10V @ 1nA,

MX2N4857UB

частка акцыі: 3427

MX2N4391UB

частка акцыі: 3417

MV2N4856UB

частка акцыі: 3496

MX2N4861

частка акцыі: 3419

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 80mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 4V @ 0.5nA,

MMBFJ177LT1G

частка акцыі: 116535

Тып FET: P-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1.5mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 800mV @ 10nA,

MMBF4392

частка акцыі: 111115

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 25mA @ 20V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 2V @ 1nA,

TIS75_D26Z

частка акцыі: 3440

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 8mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 800mV @ 4nA,

J270_D26Z

частка акцыі: 3434

Тып FET: P-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 500mV @ 1nA,

TF408-3-TL-H

частка акцыі: 3425

Тып FET: N-Channel, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1.2mA @ 10V, Сцёк току (Id) - макс: 10mA, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 180mV @ 1µA,

MMBF5460LT1G

частка акцыі: 3415

Тып FET: P-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 40V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 750mV @ 1µA,

MMBF4393LT1

частка акцыі: 3356

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 500mV @ 10nA,

NSVJ3557SA3T1G

частка акцыі: 121574

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 15V, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 15V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 10mA @ 5V, Сцёк току (Id) - макс: 50mA, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 300mV @ 100µA,

TF256TH-5-TL-H

частка акцыі: 3408

Тып FET: N-Channel, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 240µA @ 2V, Сцёк току (Id) - макс: 1mA, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 100mV @ 1µA,

J201

частка акцыі: 3365

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 40V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 200µA @ 20V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 300mV @ 10nA,

J271

частка акцыі: 3411

Тып FET: P-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 6mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 1.5V @ 1nA,

P1086_D74Z

частка акцыі: 3350

Тып FET: P-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 10mA @ 20V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 10V @ 1µA,

PN5432_D27Z

частка акцыі: 3415

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 25V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 150mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 4V @ 3nA,

J175_D74Z

частка акцыі: 3350

Тып FET: P-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 7mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 3V @ 10nA,

J270

частка акцыі: 3388

Тып FET: P-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 500mV @ 1nA,

PN4117A_D26Z

частка акцыі: 3388

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 40V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 30µA @ 10V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 600mV @ 1nA,

J111-D74Z

частка акцыі: 313

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 35V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 20mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 3V @ 1µA,

NSVJ2394SA3T1G

частка акцыі: 148349

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 15V, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 15V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 32mA @ 5V, Сцёк току (Id) - макс: 50mA, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 700mV @ 100µA,

MPF4392G

частка акцыі: 3440

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 25mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 2V @ 10nA,

J112-D74Z

частка акцыі: 308

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 35V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 1V @ 1µA,

J3A040YXS/T0BY4571

частка акцыі: 3424

J111,126

частка акцыі: 3411

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 40V, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 40V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 20mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 10V @ 1µA,

PMBF4393,215

частка акцыі: 121138

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 40V, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 40V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 20V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 500mV @ 1nA,

DSK5J01Q0L

частка акцыі: 130446

Тып FET: N-Channel, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 55V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2mA @ 10V, Сцёк току (Id) - макс: 30mA, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 5V @ 10µA,

CP210-2N4416-CT

частка акцыі: 126

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 20V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 6V @ 1nA,

PN4391 TRE

частка акцыі: 196136

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 40V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 50mA @ 20V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 4V @ 1nA,

CMPF4416A TR

частка акцыі: 122530

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 35V, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 35V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 2.5V @ 1nA,

SST174-T1-E3

частка акцыі: 3480

Тып FET: P-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 20mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 5V @ 10nA,

SST5485-T1-E3

частка акцыі: 3461

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 25V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 4mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 500mV @ 10nA,