Транзістары - JFET

MMBF5457LT1G

частка акцыі: 3395

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 25V, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 25V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 500mV @ 10nA,

MCH5908G-TL-E

частка акцыі: 170392

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 10mA @ 5V, Сцёк току (Id) - макс: 50mA, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 300mV @ 100µA,

MMBF5434

частка акцыі: 105652

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 25V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 30mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 1V @ 3nA,

PF53012

частка акцыі: 3395

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 30µA @ 10V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 1.7V @ 1nA,

MMBF5460LT1

частка акцыі: 3328

Тып FET: P-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 40V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 750mV @ 1µA,

MMBF5461

частка акцыі: 141580

Тып FET: P-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 40V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 1V @ 1µA,

MMBF4093

частка акцыі: 157594

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 40V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 8mA @ 20V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 1V @ 1nA,

KSK596PBWD

частка акцыі: 3421

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 20V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 100µA @ 5V, Сцёк току (Id) - макс: 1mA, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 600mV @ 1µA,

J108_D26Z

частка акцыі: 3445

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 25V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 80mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 3V @ 10nA,

MMBFJ305

частка акцыі: 120790

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 8mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 500mV @ 1nA,

P1087

частка акцыі: 3407

Тып FET: P-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 20V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 5V @ 1µA,

MMBFJ175LT3G

частка акцыі: 106830

Тып FET: P-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 7mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 3V @ 10nA,

PN4861

частка акцыі: 3362

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 8mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 800mV @ 0.5nA,

KSK30YTA

частка акцыі: 3387

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 50V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1.2mA @ 10V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 400mV @ 100nA,

FJZ594JTF

частка акцыі: 3440

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 20V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 150µA @ 5V, Сцёк току (Id) - макс: 1mA, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 600mV @ 1µA,

TF208TH-4-TL-H

частка акцыі: 3473

Тып FET: N-Channel, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 140µA @ 2V, Сцёк току (Id) - макс: 1mA, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 100mV @ 1µA,

MCH3914-7-TL-H

частка акцыі: 186696

Тып FET: N-Channel, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 15V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 16mA @ 5V, Сцёк току (Id) - макс: 50mA, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 600mV @ 10µA,

J175_D27Z

частка акцыі: 3367

Тып FET: P-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 7mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 3V @ 10nA,

PN4392_D27Z

частка акцыі: 3437

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 25mA @ 20V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 2V @ 1nA,

MMBF4393LT3G

частка акцыі: 107197

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 500mV @ 10nA,

J108_D74Z

частка акцыі: 3438

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 25V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 80mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 3V @ 10nA,

J105_D74Z

частка акцыі: 5423

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 25V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 500mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 4.5V @ 1µA,

KSK596CBU

частка акцыі: 3378

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 20V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 100µA @ 5V, Сцёк току (Id) - макс: 1mA, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 600mV @ 1µA,

PN4117_D26Z

частка акцыі: 3452

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 40V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 30µA @ 10V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 600mV @ 1nA,

U431

частка акцыі: 3416

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 25V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 24mA @ 10V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 2V @ 1nA,

U430-E3

частка акцыі: 3456

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 25V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 12mA @ 10V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 1V @ 1nA,

SST5461-T1-E3

частка акцыі: 3416

Тып FET: P-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 40V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 1V @ 1µA,

MV2N5114

частка акцыі: 3432

Тып FET: P-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 90mA @ 18V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 10V @ 1nA,

JANTX2N4092

частка акцыі: 876

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 40V, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 40V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 15mA @ 20V,

MV2N4858

частка акцыі: 3499

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 40V, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 40V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 80mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 4V @ 0.5nA,

MX2N4858

частка акцыі: 3460

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 40V, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 40V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 80mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 4V @ 0.5nA,

MX2N4392

частка акцыі: 3360

DSK5J01P0L

частка акцыі: 168320

Тып FET: N-Channel, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 55V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1mA @ 10V, Сцёк току (Id) - макс: 30mA, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 5V @ 10µA,

PMBFJ177,215

частка акцыі: 174637

Тып FET: P-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1.5mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 800mV @ 10nA,

CMPFJ176 TR

частка акцыі: 179127

Тып FET: P-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 1V @ 10nA,

CMPFJ175 TR

частка акцыі: 112847

Тып FET: P-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 7mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 3V @ 10nA,