Дыёды - Выпрамнікі - Масівы | Дыскрэтныя паўправадніковыя вырабы | 100

APTDF400AA20G

частка акцыі: 1188

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 500A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 400A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

Microsemi Corporation

APTDF400AK100G

частка акцыі: 1141

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 500A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2.7V @ 400A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

Microsemi Corporation

APT2X31DQ120J

частка акцыі: 3273

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 30A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 3.1V @ 30A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

Microsemi Corporation

APT2X51DC120J

частка акцыі: 650

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Silicon Carbide Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 50A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.8V @ 50A, Хуткасць: No Recovery Time > 500mA (Io),

Пажаданні

Microsemi Corporation

APT30D120BCTG

частка акцыі: 8242

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 30A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2.5V @ 30A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

Microsemi Corporation

APT2X100D60J

частка акцыі: 2784

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 100A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.8V @ 100A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

Microsemi Corporation

APT2X31DQ60J

частка акцыі: 3554

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 30A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2.2V @ 30A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

Microsemi Corporation

APT30D100BCTG

частка акцыі: 9938

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 30A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2.3V @ 30A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

Microsemi Corporation

APT100S20LCTG

частка акцыі: 5486

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 120A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 950mV @ 100A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

Microsemi Corporation

APT2X61S20J

частка акцыі: 3006

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 75A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 60A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

Microsemi Corporation

APT60D60LCTG

частка акцыі: 6600

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 60A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.8V @ 60A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

Microsemi Corporation

APT2X30D120J

частка акцыі: 2852

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 30A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2.5V @ 30A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

Microsemi Corporation

APT2X101DQ60J

частка акцыі: 2889

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 100A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2.2V @ 100A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

Microsemi Corporation

APT2X101DQ120J

частка акцыі: 2486

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 100A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 3V @ 100A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

Microsemi Corporation

APT2X61D60J

частка акцыі: 3296

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 60A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.8V @ 60A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

Microsemi Corporation

APT30DQ60BCTG

частка акцыі: 16694

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 30A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2.4V @ 30A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

Microsemi Corporation

APT30D100BHBG

частка акцыі: 9481

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 18A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2.3V @ 30A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

Microsemi Corporation

APT40DQ60BCTG

частка акцыі: 14431

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2.4V @ 40A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

Microsemi Corporation

APT2X101D20J

частка акцыі: 2724

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 100A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 100A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

Microsemi Corporation

APT15DQ100BCTG

частка акцыі: 17077

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 3V @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

Microsemi Corporation

APT2X61DC120J

частка акцыі: 553

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Silicon Carbide Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 60A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.8V @ 60A, Хуткасць: No Recovery Time > 500mA (Io),

Пажаданні

Microsemi Corporation

APT30D20BCAG

частка акцыі: 9782

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 30A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 30A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

Microsemi Corporation

APT2X101D60J

частка акцыі: 2721

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 100A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.8V @ 100A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

Microsemi Corporation

APT30D60BCTG

частка акцыі: 10815

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 30A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.8V @ 30A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

Microsemi Corporation

APT2X101D40J

частка акцыі: 2756

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 100A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

Microsemi Corporation

APT30DQ60BHBG

частка акцыі: 10044

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 30A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2.4V @ 30A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

Microsemi Corporation

APT2X31S20J

частка акцыі: 3575

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 45A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 850mV @ 30A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

Microsemi Corporation

APT30D60BCAG

частка акцыі: 9826

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 27A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.8V @ 30A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

Microsemi Corporation

APT2X61D100J

частка акцыі: 2817

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 55A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2.5V @ 60A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

Microsemi Corporation

APT2X61DC60J

частка акцыі: 1099

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Silicon Carbide Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 60A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.8V @ 60A, Хуткасць: No Recovery Time > 500mA (Io),

Пажаданні

Microsemi Corporation

APT2X60DC60J

частка акцыі: 1122

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Silicon Carbide Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 60A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.8V @ 60A, Хуткасць: No Recovery Time > 500mA (Io),

Пажаданні

Microsemi Corporation

APT30D60BHBG

частка акцыі: 9889

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 27A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.8V @ 30A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні

Microsemi Corporation

APT2X51DC60J

частка акцыі: 1272

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Silicon Carbide Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 50A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.8V @ 50A, Хуткасць: No Recovery Time > 500mA (Io),

Пажаданні

Microsemi Corporation

APT2X41DC60J

частка акцыі: 1054

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Silicon Carbide Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.8V @ 40A, Хуткасць: No Recovery Time > 500mA (Io),

Пажаданні

Microsemi Corporation

APT2X31DC60J

частка акцыі: 1723

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Silicon Carbide Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 30A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.8V @ 30A, Хуткасць: No Recovery Time > 500mA (Io),

Пажаданні

Microsemi Corporation

APT2X30DC60J

частка акцыі: 1813

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Silicon Carbide Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 30A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.8V @ 30A, Хуткасць: No Recovery Time > 500mA (Io),

Пажаданні