Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Дыёды - Выпрамнікі - Масівы

APT2X61DQ60J
Microsemi Corporation

APT2X61DQ60J

частка акцыі: 3789

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 60A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2.3V @ 60A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
APT15D60BCTG
Microsemi Corporation

APT15D60BCTG

частка акцыі: 21444

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.8V @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
APT2X30D60J
Microsemi Corporation

APT2X30D60J

частка акцыі: 4152

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 30A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.8V @ 30A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
APT2X100DQ100J
Microsemi Corporation

APT2X100DQ100J

частка акцыі: 3296

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 100A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2.7V @ 100A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
APT15D100BCTG
Microsemi Corporation

APT15D100BCTG

частка акцыі: 17440

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2.3V @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
APT30D40BCTG
Microsemi Corporation

APT30D40BCTG

частка акцыі: 10774

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 30A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 30A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
APT2X31D40J
Microsemi Corporation

APT2X31D40J

частка акцыі: 4070

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 30A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 30A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
APT60D100LCTG
Microsemi Corporation

APT60D100LCTG

частка акцыі: 7231

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 60A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2.5V @ 60A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
APT2X30D20J
Microsemi Corporation

APT2X30D20J

частка акцыі: 4061

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 30A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 30A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
APT2X60DQ100J
Microsemi Corporation

APT2X60DQ100J

частка акцыі: 4327

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 60A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2.8V @ 60A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
APT2X31D30J
Microsemi Corporation

APT2X31D30J

частка акцыі: 4123

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 300V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 30A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.4V @ 30A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
APT15D40BCTG
Microsemi Corporation

APT15D40BCTG

частка акцыі: 21384

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
APT2X61D30J
Microsemi Corporation

APT2X61D30J

частка акцыі: 3608

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 300V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 60A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.4V @ 60A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
APT30S20BCTG
Microsemi Corporation

APT30S20BCTG

частка акцыі: 11061

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 45A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 850mV @ 30A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
APT2X60D100J
Microsemi Corporation

APT2X60D100J

частка акцыі: 3002

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 55A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2.5V @ 60A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
APT60DQ100LCTG
Microsemi Corporation

APT60DQ100LCTG

частка акцыі: 10467

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 60A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 3V @ 60A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
APT2X101DQ100J
Microsemi Corporation

APT2X101DQ100J

частка акцыі: 2781

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 100A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2.7V @ 100A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
APT60D40LCTG
Microsemi Corporation

APT60D40LCTG

частка акцыі: 8028

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 60A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 60A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
APT2X61D40J
Microsemi Corporation

APT2X61D40J

частка акцыі: 3276

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 60A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 60A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
APT2X100DQ120J
Microsemi Corporation

APT2X100DQ120J

частка акцыі: 2629

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 100A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 3V @ 100A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
APT2X30DQ120J
Microsemi Corporation

APT2X30DQ120J

частка акцыі: 4008

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 30A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 3.1V @ 30A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
APT2X61DQ120J
Microsemi Corporation

APT2X61DQ120J

частка акцыі: 3039

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 60A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 3.1V @ 60A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
APT2X101DL40J
Microsemi Corporation

APT2X101DL40J

частка акцыі: 2799

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 100A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.125V @ 100A, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні
APT60S20B2CTG
Microsemi Corporation

APT60S20B2CTG

частка акцыі: 7322

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 75A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 60A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
APT2X31D60J
Microsemi Corporation

APT2X31D60J

частка акцыі: 309

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 30A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.8V @ 30A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
APTDF400AA120G
Microsemi Corporation

APTDF400AA120G

частка акцыі: 1110

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 470A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 3V @ 400A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
APTDF400AK60G
Microsemi Corporation

APTDF400AK60G

частка акцыі: 1164

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 500A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2V @ 400A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
APTDF400AA60G
Microsemi Corporation

APTDF400AA60G

частка акцыі: 1223

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 500A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2V @ 400A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
APTDF400AA170G
Microsemi Corporation

APTDF400AA170G

частка акцыі: 803

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1700V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 480A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2.5V @ 400A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
APTDF400KK100G
Microsemi Corporation

APTDF400KK100G

частка акцыі: 1161

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 500A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2.7V @ 400A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
APTDF400AK20G
Microsemi Corporation

APTDF400AK20G

частка акцыі: 1158

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 500A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 400A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
APTDF400AK120G
Microsemi Corporation

APTDF400AK120G

частка акцыі: 930

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 470A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 3V @ 400A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
APTDF400AK170G
Microsemi Corporation

APTDF400AK170G

частка акцыі: 896

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1700V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 480A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2.5V @ 400A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
APTDF400AA100G
Microsemi Corporation

APTDF400AA100G

частка акцыі: 1169

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 500A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2.7V @ 400A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
APTDF400KK60G
Microsemi Corporation

APTDF400KK60G

частка акцыі: 812

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 500A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2V @ 400A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
APTDF400KK120G
Microsemi Corporation

APTDF400KK120G

частка акцыі: 985

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 470A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 3V @ 400A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні