Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Дыёды - Выпрамнікі - Масівы

80CNQ035ASM
Vishay Semiconductor Diodes Division

80CNQ035ASM

частка акцыі: 3642

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 35V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 520mV @ 40A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
81CNQ035ASM
Vishay Semiconductor Diodes Division

81CNQ035ASM

частка акцыі: 3654

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 35V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 740mV @ 80A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
81CNQ035ASL
Vishay Semiconductor Diodes Division

81CNQ035ASL

частка акцыі: 3668

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 35V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 740mV @ 80A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
80CPQ020
Vishay Semiconductor Diodes Division

80CPQ020

частка акцыі: 3686

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 20V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 460mV @ 40A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
85CNQ015A
Vishay Semiconductor Diodes Division

85CNQ015A

частка акцыі: 3599

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 15V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 450mV @ 80A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
82CNQ030ASL
Vishay Semiconductor Diodes Division

82CNQ030ASL

частка акцыі: 3616

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 550mV @ 80A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
83CNQ100A
Vishay Semiconductor Diodes Division

83CNQ100A

частка акцыі: 3587

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 80A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
82CNQ030A
Vishay Semiconductor Diodes Division

82CNQ030A

частка акцыі: 3557

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 550mV @ 80A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
80CNQ045ASL
Vishay Semiconductor Diodes Division

80CNQ045ASL

частка акцыі: 3588

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 520mV @ 40A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
80CNQ045A
Vishay Semiconductor Diodes Division

80CNQ045A

частка акцыі: 3592

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 520mV @ 40A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
APT30D30BCTG
Microsemi Corporation

APT30D30BCTG

частка акцыі: 10437

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 300V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 30A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.4V @ 30A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
APTDF400KK170G
Microsemi Corporation

APTDF400KK170G

частка акцыі: 532

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1700V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 480A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2.5V @ 400A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
APT2X30D100J
Microsemi Corporation

APT2X30D100J

частка акцыі: 3175

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 28A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2.3V @ 30A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
APT2X31D20J
Microsemi Corporation

APT2X31D20J

частка акцыі: 3498

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 30A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 30A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
APT2X30DQ60J
Microsemi Corporation

APT2X30DQ60J

частка акцыі: 3829

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 30A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2.2V @ 30A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
APT2X61DQ100J
Microsemi Corporation

APT2X61DQ100J

частка акцыі: 3118

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 60A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2.8V @ 60A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
APT2X101D30J
Microsemi Corporation

APT2X101D30J

частка акцыі: 2748

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 300V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 100A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.4V @ 100A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
APT2X21DC60J
Microsemi Corporation

APT2X21DC60J

частка акцыі: 1164

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Silicon Carbide Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.8V @ 20A, Хуткасць: No Recovery Time > 500mA (Io),

Пажаданні
APT2X60D60J
Microsemi Corporation

APT2X60D60J

частка акцыі: 3356

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 60A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.8V @ 60A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
APT2X100DQ60J
Microsemi Corporation

APT2X100DQ60J

частка акцыі: 3407

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 100A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2.2V @ 100A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
APT2X31D120J
Microsemi Corporation

APT2X31D120J

частка акцыі: 2782

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 30A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2.5V @ 30A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
APT2X50DC60J
Microsemi Corporation

APT2X50DC60J

частка акцыі: 739

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Silicon Carbide Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 50A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.8V @ 50A, Хуткасць: No Recovery Time > 500mA (Io),

Пажаданні
APTDF400KK20G
Microsemi Corporation

APTDF400KK20G

частка акцыі: 842

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 500A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 400A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
APT2X101D100J
Microsemi Corporation

APT2X101D100J

частка акцыі: 2286

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 95A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2.5V @ 100A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
APT30DQ120BCTG
Microsemi Corporation

APT30DQ120BCTG

частка акцыі: 179

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 30A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 3.3V @ 30A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
APT2X31D100J
Microsemi Corporation

APT2X31D100J

частка акцыі: 3191

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 28A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2.3V @ 30A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
APT2X61D120J
Microsemi Corporation

APT2X61D120J

частка акцыі: 2464

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 53A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2.5V @ 60A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
APT2X60D120J
Microsemi Corporation

APT2X60D120J

частка акцыі: 2442

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 53A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2.5V @ 60A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
APT2X61D20J
Microsemi Corporation

APT2X61D20J

частка акцыі: 3266

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 60A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 60A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
APT2X60DQ120J
Microsemi Corporation

APT2X60DQ120J

частка акцыі: 3220

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 60A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 3.1V @ 60A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
APT2X101D120J
Microsemi Corporation

APT2X101D120J

частка акцыі: 1994

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 93A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2.5V @ 100A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
APT2X151DL60J
Microsemi Corporation

APT2X151DL60J

частка акцыі: 2375

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 150A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.6V @ 150A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
APT2X100D100J
Microsemi Corporation

APT2X100D100J

частка акцыі: 2278

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 95A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2.5V @ 100A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
APT30D20BCTG
Microsemi Corporation

APT30D20BCTG

частка акцыі: 14745

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 30A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 30A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
ACDST-70-G
Comchip Technology

ACDST-70-G

частка акцыі: 114940

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 70V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 150mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні
ACDST-99-G
Comchip Technology

ACDST-99-G

частка акцыі: 123192

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 70V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 150mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Пажаданні