Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Дыёды - Выпрамнікі - Масівы

81CNQ045ASM
Vishay Semiconductor Diodes Division

81CNQ045ASM

частка акцыі: 4436

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 740mV @ 80A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
81CNQ045ASL
Vishay Semiconductor Diodes Division

81CNQ045ASL

частка акцыі: 4407

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 740mV @ 80A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
89CNQ135APBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

89CNQ135APBF

частка акцыі: 3731

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 135V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 990mV @ 40A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
89CNQ150APBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

89CNQ150APBF

частка акцыі: 3774

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 150V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 990mV @ 40A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
89CNQ135ASL
Vishay Semiconductor Diodes Division

89CNQ135ASL

частка акцыі: 4425

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 135V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 990mV @ 40A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
89CNQ135A
Vishay Semiconductor Diodes Division

89CNQ135A

частка акцыі: 3677

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 135V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 990mV @ 40A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
80CNQ040A
Vishay Semiconductor Diodes Division

80CNQ040A

частка акцыі: 3658

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 520mV @ 40A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
81CNQ040A
Vishay Semiconductor Diodes Division

81CNQ040A

частка акцыі: 3692

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 740mV @ 80A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
89CNQ135ASM
Vishay Semiconductor Diodes Division

89CNQ135ASM

частка акцыі: 3651

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 135V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 990mV @ 40A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
81CNQ045A
Vishay Semiconductor Diodes Division

81CNQ045A

частка акцыі: 3682

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 740mV @ 80A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
80CNQ035A
Vishay Semiconductor Diodes Division

80CNQ035A

частка акцыі: 3643

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 35V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 520mV @ 40A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
83CNQ080A
Vishay Semiconductor Diodes Division

83CNQ080A

частка акцыі: 3661

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 80V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 80A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
81CNQ035A
Vishay Semiconductor Diodes Division

81CNQ035A

частка акцыі: 3661

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 35V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 740mV @ 80A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
89CNQ150ASL
Vishay Semiconductor Diodes Division

89CNQ150ASL

частка акцыі: 3663

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 150V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 990mV @ 40A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
89CNQ150ASM
Vishay Semiconductor Diodes Division

89CNQ150ASM

частка акцыі: 3639

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 150V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 990mV @ 40A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
82CNQ030ASM
Vishay Semiconductor Diodes Division

82CNQ030ASM

частка акцыі: 3642

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 550mV @ 80A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
83CNQ100ASM
Vishay Semiconductor Diodes Division

83CNQ100ASM

частка акцыі: 3697

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 80A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
83CNQ100ASL
Vishay Semiconductor Diodes Division

83CNQ100ASL

частка акцыі: 3631

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 80A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
87CNQ020A
Vishay Semiconductor Diodes Division

87CNQ020A

частка акцыі: 3675

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 20V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 450mV @ 40A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
85CNQ015ASL
Vishay Semiconductor Diodes Division

85CNQ015ASL

частка акцыі: 3717

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 15V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 450mV @ 80A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
85CNQ015ASM
Vishay Semiconductor Diodes Division

85CNQ015ASM

частка акцыі: 4452

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 15V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 450mV @ 80A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
87CNQ020ASL
Vishay Semiconductor Diodes Division

87CNQ020ASL

частка акцыі: 3635

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 20V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 450mV @ 40A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
87CNQ020ASM
Vishay Semiconductor Diodes Division

87CNQ020ASM

частка акцыі: 3654

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 20V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 450mV @ 40A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
83CNQ080ASM
Vishay Semiconductor Diodes Division

83CNQ080ASM

частка акцыі: 3712

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 80V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 80A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 80A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
83CNQ080ASL
Vishay Semiconductor Diodes Division

83CNQ080ASL

частка акцыі: 4456

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 80V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 80A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 80A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
89CNQ150A
Vishay Semiconductor Diodes Division

89CNQ150A

частка акцыі: 3724

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 150V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 990mV @ 40A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
88CNQ060A
Vishay Semiconductor Diodes Division

88CNQ060A

частка акцыі: 3697

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 580mV @ 40A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
88CNQ060ASL
Vishay Semiconductor Diodes Division

88CNQ060ASL

частка акцыі: 3691

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 580mV @ 40A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
80CNQ035ASL
Vishay Semiconductor Diodes Division

80CNQ035ASL

частка акцыі: 3697

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 35V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 520mV @ 40A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
80CNQ040ASM
Vishay Semiconductor Diodes Division

80CNQ040ASM

частка акцыі: 3690

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 520mV @ 40A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
81CNQ040ASL
Vishay Semiconductor Diodes Division

81CNQ040ASL

частка акцыі: 3643

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 740mV @ 80A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
88CNQ060ASM
Vishay Semiconductor Diodes Division

88CNQ060ASM

частка акцыі: 3635

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 580mV @ 40A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
81CNQ040ASM
Vishay Semiconductor Diodes Division

81CNQ040ASM

частка акцыі: 3681

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 740mV @ 80A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
80CNQ040ASL
Vishay Semiconductor Diodes Division

80CNQ040ASL

частка акцыі: 3672

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 520mV @ 40A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
80CNQ045ASM
Vishay Semiconductor Diodes Division

80CNQ045ASM

частка акцыі: 3652

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 520mV @ 40A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Пажаданні
8768650000
Weidmüller

8768650000

частка акцыі: 389

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Silicon Carbide Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 20A,

Пажаданні