Оптаізалятары - трыак, выхад SCR

Дом
Оптаізалятары - трыак, выхад SCR

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP160G(U,F)

частка акцыі: 111026

Тып выхаду: Triac, Нулявая схема перасячэння: No, Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Напружанне - выключанае: 400V, Статычны dV / dt (мін.): 200V/µs,

Ліст з жаданняў

TLP265J(V4T7TR,E

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP265J(V4T7TR,E

частка акцыі: 8482

Тып выхаду: Triac, Нулявая схема перасячэння: No, Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Напружанне - выключанае: 600V, Статычны dV / dt (мін.): 500V/µs (Typ),

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP548J(TP1,F)

частка акцыі: 132163

Тып выхаду: SCR, Нулявая схема перасячэння: No, Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Напружанне - выключанае: 600V, Статычны dV / dt (мін.): 5V/µs,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3073(LF1,F

частка акцыі: 8494

Тып выхаду: Triac, Нулявая схема перасячэння: No, Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Напружанне - выключанае: 800V, Статычны dV / dt (мін.): 2000V/µs (Typ),

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP268J(TPR,E

частка акцыі: 8542

Тып выхаду: Triac, Нулявая схема перасячэння: Yes, Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Напружанне - выключанае: 600V, Статычны dV / dt (мін.): 500V/µs (Typ),

Ліст з жаданняў

TLP267J(T2-TPL,E

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP267J(T2-TPL,E

частка акцыі: 8525

Тып выхаду: Triac, Нулявая схема перасячэння: No, Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Напружанне - выключанае: 600V, Статычны dV / dt (мін.): 500V/µs (Typ),

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP266J(V4T7,E

частка акцыі: 8460

Тып выхаду: Triac, Нулявая схема перасячэння: Yes, Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Напружанне - выключанае: 600V, Статычны dV / dt (мін.): 200V/µs,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP267J(TPL,E

частка акцыі: 8511

Тып выхаду: Triac, Нулявая схема перасячэння: No, Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Напружанне - выключанае: 600V, Статычны dV / dt (мін.): 500V/µs (Typ),

Ліст з жаданняў

TLP163J(TPR,U,C,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP163J(TPR,U,C,F)

частка акцыі: 178799

Тып выхаду: Triac, Нулявая схема перасячэння: Yes, Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Напружанне - выключанае: 600V, Статычны dV / dt (мін.): 200V/µs,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP266J(E

частка акцыі: 8425

Тып выхаду: Triac, Нулявая схема перасячэння: Yes, Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Напружанне - выключанае: 600V, Статычны dV / dt (мін.): 200V/µs,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3062(S,C,F)

частка акцыі: 8502

Тып выхаду: Triac, Нулявая схема перасячэння: Yes, Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Напружанне - выключанае: 600V, Статычны dV / dt (мін.): 200V/µs,

Ліст з жаданняў

TLP160J(TPR,U,C,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP160J(TPR,U,C,F)

частка акцыі: 139178

Тып выхаду: Triac, Нулявая схема перасячэння: No, Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Напружанне - выключанае: 600V, Статычны dV / dt (мін.): 500V/µs,

Ліст з жаданняў

TLP265J(V4T7TL,E

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP265J(V4T7TL,E

частка акцыі: 8545

Тып выхаду: Triac, Нулявая схема перасячэння: No, Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Напружанне - выключанае: 600V, Статычны dV / dt (мін.): 500V/µs (Typ),

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3073(TP1,F

частка акцыі: 8447

Тып выхаду: Triac, Нулявая схема перасячэння: No, Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Напружанне - выключанае: 800V, Статычны dV / dt (мін.): 2000V/µs (Typ),

Ліст з жаданняў

TLP265J(V4-TPL,E

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP265J(V4-TPL,E

частка акцыі: 8525

Тып выхаду: Triac, Нулявая схема перасячэння: No, Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Напружанне - выключанае: 600V, Статычны dV / dt (мін.): 500V/µs (Typ),

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP266J(V4,E

частка акцыі: 8592

Тып выхаду: Triac, Нулявая схема перасячэння: Yes, Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Напружанне - выключанае: 600V, Статычны dV / dt (мін.): 200V/µs,

Ліст з жаданняў

TLP161G(TPR,U,C,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP161G(TPR,U,C,F)

частка акцыі: 166870

Тып выхаду: Triac, Нулявая схема перасячэння: Yes, Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Напружанне - выключанае: 400V, Статычны dV / dt (мін.): 200V/µs,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3042SCF

частка акцыі: 38037

Тып выхаду: Triac, Нулявая схема перасячэння: Yes, Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Напружанне - выключанае: 400V, Статычны dV / dt (мін.): 200V/µs,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP268J(E

частка акцыі: 8509

Тып выхаду: Triac, Нулявая схема перасячэння: Yes, Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Напружанне - выключанае: 600V, Статычны dV / dt (мін.): 500V/µs (Typ),

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP748J(F)

частка акцыі: 43612

Тып выхаду: SCR, Нулявая схема перасячэння: No, Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 4000Vrms, Напружанне - выключанае: 600V, Статычны dV / dt (мін.): 5V/µs,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP748J(TP1,F)

частка акцыі: 124626

Тып выхаду: SCR, Нулявая схема перасячэння: No, Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 4000Vrms, Напружанне - выключанае: 600V, Статычны dV / dt (мін.): 5V/µs,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP161J(U,C,F)

частка акцыі: 55523

Тып выхаду: Triac, Нулявая схема перасячэння: Yes, Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Напружанне - выключанае: 600V, Статычны dV / dt (мін.): 200V/µs,

Ліст з жаданняў

TLP265J(T7-TPL,E

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP265J(T7-TPL,E

частка акцыі: 127487

Тып выхаду: Triac, Нулявая схема перасячэння: No, Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Напружанне - выключанае: 600V, Статычны dV / dt (мін.): 500V/µs (Typ),

Ліст з жаданняў

TLP266J(T7-TPL,E

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP266J(T7-TPL,E

частка акцыі: 166164

Тып выхаду: Triac, Нулявая схема перасячэння: Yes, Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Напружанне - выключанае: 600V, Статычны dV / dt (мін.): 200V/µs,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP525G-2(F)

частка акцыі: 31709

Тып выхаду: Triac, Нулявая схема перасячэння: No, Колькасць каналаў: 2, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Напружанне - выключанае: 400V, Статычны dV / dt (мін.): 200V/µs,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP748J(D4,F)

частка акцыі: 42622

Тып выхаду: SCR, Нулявая схема перасячэння: No, Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 4000Vrms, Напружанне - выключанае: 600V, Статычны dV / dt (мін.): 5V/µs,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3083(TP1,F

частка акцыі: 140292

Тып выхаду: Triac, Нулявая схема перасячэння: Yes, Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Напружанне - выключанае: 800V, Статычны dV / dt (мін.): 2kV/µs (Typ),

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP525GF

частка акцыі: 63150

Тып выхаду: Triac, Нулявая схема перасячэння: No, Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Напружанне - выключанае: 400V, Статычны dV / dt (мін.): 200V/µs,

Ліст з жаданняў

TLP160G(TPR,U,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP160G(TPR,U,F)

частка акцыі: 193788

Тып выхаду: Triac, Нулявая схема перасячэння: No, Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Напружанне - выключанае: 400V, Статычны dV / dt (мін.): 200V/µs,

Ліст з жаданняў

65

«
1
2
»