Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Оптаізалятары - трыак, выхад SCR

  • Дом
  •  
  • Оптаізалятары - трыак, выхад SCR
TLP3052(S,C,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3052(S,C,F)

частка акцыі: 898

Тып выхаду: Triac, Нулявая схема перасячэння: No, Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Напружанне - выключанае: 600V, Статычны dV / dt (мін.): 500V/µs (Typ),

Ліст з жаданняў
TLP161G(U,C,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP161G(U,C,F)

частка акцыі: 55518

Тып выхаду: Triac, Нулявая схема перасячэння: Yes, Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Напружанне - выключанае: 400V, Статычны dV / dt (мін.): 200V/µs,

Ліст з жаданняў
TLP266J(V4-TPR,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP266J(V4-TPR,E

частка акцыі: 8555

Тып выхаду: Triac, Нулявая схема перасячэння: Yes, Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Напружанне - выключанае: 600V, Статычны dV / dt (мін.): 200V/µs,

Ліст з жаданняў
TLP166J(V4,C,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP166J(V4,C,F)

частка акцыі: 73970

Тып выхаду: Triac, Нулявая схема перасячэння: Yes, Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Напружанне - выключанае: 600V, Статычны dV / dt (мін.): 200V/µs,

Ліст з жаданняў
TLP3062A(TP1,F
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3062A(TP1,F

частка акцыі: 8599

Тып выхаду: Triac, Нулявая схема перасячэння: Yes, Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Напружанне - выключанае: 600V, Статычны dV / dt (мін.): 2000V/µs (Typ),

Ліст з жаданняў
TLP266J(V4-TPL,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP266J(V4-TPL,E

частка акцыі: 8523

Тып выхаду: Triac, Нулявая схема перасячэння: Yes, Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Напружанне - выключанае: 600V, Статычны dV / dt (мін.): 200V/µs,

Ліст з жаданняў
TLP3063SCF
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3063SCF

частка акцыі: 8568

Тып выхаду: Triac, Нулявая схема перасячэння: Yes, Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Напружанне - выключанае: 600V, Статычны dV / dt (мін.): 200V/µs,

Ліст з жаданняў
TLP265J(TPR,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP265J(TPR,E

частка акцыі: 199932

Тып выхаду: Triac, Нулявая схема перасячэння: No, Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Напружанне - выключанае: 600V, Статычны dV / dt (мін.): 500V/µs (Typ),

Ліст з жаданняў
TLP266J(TPL,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP266J(TPL,E

частка акцыі: 8536

Тып выхаду: Triac, Нулявая схема перасячэння: Yes, Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Напружанне - выключанае: 600V, Статычны dV / dt (мін.): 200V/µs,

Ліст з жаданняў
TLP3073(F
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3073(F

частка акцыі: 8444

Тып выхаду: Triac, Нулявая схема перасячэння: No, Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Напружанне - выключанае: 800V, Статычны dV / dt (мін.): 2000V/µs (Typ),

Ліст з жаданняў
TLP266J(V4T7TL,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP266J(V4T7TL,E

частка акцыі: 860

Тып выхаду: Triac, Нулявая схема перасячэння: Yes, Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Напружанне - выключанае: 600V, Статычны dV / dt (мін.): 200V/µs,

Ліст з жаданняў
TLP3042(TP1,S,C,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3042(TP1,S,C,F)

частка акцыі: 8497

Тып выхаду: Triac, Нулявая схема перасячэння: Yes, Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Напружанне - выключанае: 400V, Статычны dV / dt (мін.): 200V/µs,

Ліст з жаданняў
TLP265J(TPL,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP265J(TPL,E

частка акцыі: 8478

Тып выхаду: Triac, Нулявая схема перасячэння: No, Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Напружанне - выключанае: 600V, Статычны dV / dt (мін.): 500V/µs (Typ),

Ліст з жаданняў
TLP267J(E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP267J(E

частка акцыі: 8436

Тып выхаду: Triac, Нулявая схема перасячэння: No, Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Напружанне - выключанае: 600V, Статычны dV / dt (мін.): 500V/µs (Typ),

Ліст з жаданняў
TLP266J(V4T7TR,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP266J(V4T7TR,E

частка акцыі: 8518

Тып выхаду: Triac, Нулявая схема перасячэння: Yes, Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Напружанне - выключанае: 600V, Статычны dV / dt (мін.): 200V/µs,

Ліст з жаданняў
TLP265J(E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP265J(E

частка акцыі: 8544

Тып выхаду: Triac, Нулявая схема перасячэння: No, Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Напружанне - выключанае: 600V, Статычны dV / dt (мін.): 500V/µs (Typ),

Ліст з жаданняў
TLP265J(V4T7,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP265J(V4T7,E

частка акцыі: 908

Тып выхаду: Triac, Нулявая схема перасячэння: No, Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Напружанне - выключанае: 600V, Статычны dV / dt (мін.): 500V/µs (Typ),

Ліст з жаданняў
TLP268J(T2-TPL,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP268J(T2-TPL,E

частка акцыі: 8466

Тып выхаду: Triac, Нулявая схема перасячэння: Yes, Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Напружанне - выключанае: 600V, Статычны dV / dt (мін.): 500V/µs (Typ),

Ліст з жаданняў
TLP260JTPRPF
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP260JTPRPF

частка акцыі: 8449

Тып выхаду: Triac, Нулявая схема перасячэння: No, Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3000Vrms, Напружанне - выключанае: 600V, Статычны dV / dt (мін.): 500V/µs (Typ),

Ліст з жаданняў
TLP168J(TPR,U,C,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP168J(TPR,U,C,F)

частка акцыі: 938

Тып выхаду: Triac, Нулявая схема перасячэння: Yes, Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Напружанне - выключанае: 600V, Статычны dV / dt (мін.): 200V/µs,

Ліст з жаданняў
TLP267J(TPR,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP267J(TPR,E

частка акцыі: 8470

Тып выхаду: Triac, Нулявая схема перасячэння: No, Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Напружанне - выключанае: 600V, Статычны dV / dt (мін.): 500V/µs (Typ),

Ліст з жаданняў
TLP3064(TP1,SC,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3064(TP1,SC,F,T)

частка акцыі: 8550

Тып выхаду: Triac, Нулявая схема перасячэння: Yes, Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Напружанне - выключанае: 600V, Статычны dV / dt (мін.): 200V/µs,

Ліст з жаданняў
TLP265J(V4,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP265J(V4,E

частка акцыі: 8471

Тып выхаду: Triac, Нулявая схема перасячэння: No, Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Напружанне - выключанае: 600V, Статычны dV / dt (мін.): 500V/µs (Typ),

Ліст з жаданняў
TLP265J(V4-TPR,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP265J(V4-TPR,E

частка акцыі: 8560

Тып выхаду: Triac, Нулявая схема перасячэння: No, Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Напружанне - выключанае: 600V, Статычны dV / dt (мін.): 500V/µs (Typ),

Ліст з жаданняў
TLP3023SF
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3023SF

частка акцыі: 77992

Тып выхаду: Triac, Нулявая схема перасячэння: No, Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Напружанне - выключанае: 400V, Статычны dV / dt (мін.): 200V/µs,

Ліст з жаданняў
TLP266J(TPR,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP266J(TPR,E

частка акцыі: 8534

Тып выхаду: Triac, Нулявая схема перасячэння: Yes, Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Напружанне - выключанае: 600V, Статычны dV / dt (мін.): 200V/µs,

Ліст з жаданняў
TLP3062A(LF1,F
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3062A(LF1,F

частка акцыі: 8556

Тып выхаду: Triac, Нулявая схема перасячэння: Yes, Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Напружанне - выключанае: 600V, Статычны dV / dt (мін.): 2000V/µs (Typ),

Ліст з жаданняў
TLP161J(TPR,U,C,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP161J(TPR,U,C,F)

частка акцыі: 8530

Тып выхаду: Triac, Нулявая схема перасячэння: Yes, Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Напружанне - выключанае: 600V, Статычны dV / dt (мін.): 200V/µs,

Ліст з жаданняў
TLP3064(D4TP1S,C,F
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3064(D4TP1S,C,F

частка акцыі: 8525

Тып выхаду: Triac, Нулявая схема перасячэння: Yes, Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Напружанне - выключанае: 600V, Статычны dV / dt (мін.): 200V/µs,

Ліст з жаданняў
TLP268J(TPL,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP268J(TPL,E

частка акцыі: 8503

Тып выхаду: Triac, Нулявая схема перасячэння: Yes, Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Напружанне - выключанае: 600V, Статычны dV / dt (мін.): 500V/µs (Typ),

Ліст з жаданняў
TLP160J(U,C,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP160J(U,C,F)

частка акцыі: 102033

Тып выхаду: Triac, Нулявая схема перасячэння: No, Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Напружанне - выключанае: 600V, Статычны dV / dt (мін.): 500V/µs,

Ліст з жаданняў
TLP168J(U,C,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP168J(U,C,F)

частка акцыі: 68893

Тып выхаду: Triac, Нулявая схема перасячэння: Yes, Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Напружанне - выключанае: 600V, Статычны dV / dt (мін.): 200V/µs,

Ліст з жаданняў
TLP3043(S,C,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3043(S,C,F)

частка акцыі: 55528

Тып выхаду: Triac, Нулявая схема перасячэння: Yes, Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Напружанне - выключанае: 400V, Статычны dV / dt (мін.): 200V/µs,

Ліст з жаданняў
TLP361J(F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP361J(F)

частка акцыі: 8490

Тып выхаду: Triac, Нулявая схема перасячэння: Yes, Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Напружанне - выключанае: 600V, Статычны dV / dt (мін.): 200V/µs,

Ліст з жаданняў
TLP3062A(F
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3062A(F

частка акцыі: 8528

Тып выхаду: Triac, Нулявая схема перасячэння: Yes, Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Напружанне - выключанае: 600V, Статычны dV / dt (мін.): 2000V/µs (Typ),

Ліст з жаданняў
TLP3052A(TP1,F
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3052A(TP1,F

частка акцыі: 8485

Тып выхаду: Triac, Нулявая схема перасячэння: No, Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Напружанне - выключанае: 600V, Статычны dV / dt (мін.): 2000V/µs (Typ),

Ліст з жаданняў