Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

TVS - Дыёды

DF5A5.6FUTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

DF5A5.6FUTE85LF

частка акцыі: 145198

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 4, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 2.5V, Напружанне - прабой (мін.): 5.3V,

Ліст з жаданняў
DF5A6.8LF,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

DF5A6.8LF,LF

частка акцыі: 126711

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 4, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 5V, Напружанне - прабой (мін.): 6.5V,

Ліст з жаданняў
DF3D6.8MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

DF3D6.8MFV,L3F

частка акцыі: 100331

Тып: Steering (Rail to Rail), Аднанакіраваныя каналы: 2, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 5V (Max), Напружанне - прабой (мін.): 6V, Напружанне - заціск (максімальны) @ Ipp: 15V (Typ),

Ліст з жаданняў
DF5A3.6F(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

DF5A3.6F(TE85L,F)

частка акцыі: 153600

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 4, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 1V, Напружанне - прабой (мін.): 3.4V,

Ліст з жаданняў
DF3A3.3CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

DF3A3.3CT(TPL3)

частка акцыі: 126308

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 2, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 1V, Напружанне - прабой (мін.): 3.1V,

Ліст з жаданняў
DF2S6M4SL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

DF2S6M4SL,L3F

частка акцыі: 128767

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 1, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 5.5V (Max), Напружанне - прабой (мін.): 5.6V, Напружанне - заціск (максімальны) @ Ipp: 15V,

Ліст з жаданняў
DF3A5.6LFV(TPL3,Z)
Toshiba Semiconductor and Storage

DF3A5.6LFV(TPL3,Z)

частка акцыі: 152063

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 2, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 3.5V, Напружанне - прабой (мін.): 5.3V,

Ліст з жаданняў
DF2B6M4SL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

DF2B6M4SL,L3F

частка акцыі: 171528

Тып: Zener, Двунакіраваныя каналы: 1, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 5.5V (Max), Напружанне - прабой (мін.): 5.6V, Напружанне - заціск (максімальны) @ Ipp: 25V,

Ліст з жаданняў
DF3A6.2FV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

DF3A6.2FV,L3F

частка акцыі: 89

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 2, Напружанне - прабой (мін.): 5.8V,

Ліст з жаданняў
DF2S12FU,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

DF2S12FU,H3F

частка акцыі: 126880

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 1, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 9V, Напружанне - прабой (мін.): 11.4V,

Ліст з жаданняў
DF3A6.8F,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

DF3A6.8F,LF

частка акцыі: 181216

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 2, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 5V, Напружанне - прабой (мін.): 6.4V,

Ліст з жаданняў
DF5A5.6CFUTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

DF5A5.6CFUTE85LF

частка акцыі: 154377

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 4, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 3.5V, Напружанне - прабой (мін.): 5.3V,

Ліст з жаданняў
DF2B6.8E,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

DF2B6.8E,L3F

частка акцыі: 132102

Тып: Zener, Двунакіраваныя каналы: 1, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 5V (Max), Напружанне - прабой (мін.): 5.8V,

Ліст з жаданняў
DF3D29FU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

DF3D29FU,LF

частка акцыі: 100784

Тып: Steering (Rail to Rail), Аднанакіраваныя каналы: 2, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 24V, Напружанне - прабой (мін.): 26V, Напружанне - заціск (максімальны) @ Ipp: 47V,

Ліст з жаданняў
DF3A5.6FU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

DF3A5.6FU(TE85L,F)

частка акцыі: 180878

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 2, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 2.5V, Напружанне - прабой (мін.): 5.3V,

Ліст з жаданняў
DF2S6.8UFS,L3M
Toshiba Semiconductor and Storage

DF2S6.8UFS,L3M

частка акцыі: 130059

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 1, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 19V (Max), Напружанне - прабой (мін.): 5.3V, 22V,

Ліст з жаданняў
DF2S10FS,L3M
Toshiba Semiconductor and Storage

DF2S10FS,L3M

частка акцыі: 118643

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 1, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 8V (Max), Напружанне - прабой (мін.): 9.4V,

Ліст з жаданняў
DF3A3.6FV(TPL3,Z)
Toshiba Semiconductor and Storage

DF3A3.6FV(TPL3,Z)

частка акцыі: 110611

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 2, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 1.8V, Напружанне - прабой (мін.): 3.4V,

Ліст з жаданняў
DF3A3.3FU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

DF3A3.3FU(TE85L,F)

частка акцыі: 159053

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 2, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 1V, Напружанне - прабой (мін.): 3.1V,

Ліст з жаданняў
DF2S8.2FS,L3M
Toshiba Semiconductor and Storage

DF2S8.2FS,L3M

частка акцыі: 173244

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 1, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 6.5V (Max), Напружанне - прабой (мін.): 7.7V,

Ліст з жаданняў
DF2S20FS,L3M
Toshiba Semiconductor and Storage

DF2S20FS,L3M

частка акцыі: 110048

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 1, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 15V (Max), Напружанне - прабой (мін.): 18.8V,

Ліст з жаданняў
DF2S6.8UFS,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

DF2S6.8UFS,L3F

частка акцыі: 133181

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 1, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 19V (Max), Напружанне - прабой (мін.): 22V,

Ліст з жаданняў
DF5A3.6JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

DF5A3.6JE(TE85L,F)

частка акцыі: 4402

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 4, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 1V, Напружанне - прабой (мін.): 3.4V,

Ліст з жаданняў
DF3D6.8MFV(TL3,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

DF3D6.8MFV(TL3,T)

частка акцыі: 6495

Тып: Steering (Rail to Rail), Аднанакіраваныя каналы: 2, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 5V (Max), Напружанне - прабой (мін.): 6V, Напружанне - заціск (максімальны) @ Ipp: 15V (Typ),

Ліст з жаданняў
DF2B7M3SC,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

DF2B7M3SC,L3F

частка акцыі: 4363

Тып: Zener, Двунакіраваныя каналы: 1, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 5V (Max), Напружанне - прабой (мін.): 6V, Напружанне - заціск (максімальны) @ Ipp: 13V (Typ),

Ліст з жаданняў
DF2S6.8SC(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

DF2S6.8SC(TPL3)

частка акцыі: 2231

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 1, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 5V, Напружанне - прабой (мін.): 6.4V,

Ліст з жаданняў
DF5A6.2CFU(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

DF5A6.2CFU(TE85L,F

частка акцыі: 188788

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 4, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 5V, Напружанне - прабой (мін.): 5.8V,

Ліст з жаданняў
DF2B6.8FS(TPL4,D)
Toshiba Semiconductor and Storage

DF2B6.8FS(TPL4,D)

частка акцыі: 2039

Тып: Zener, Двунакіраваныя каналы: 1, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 5V (Max), Напружанне - прабой (мін.): 5.8V, Напружанне - заціск (максімальны) @ Ipp: 8.5V (Typ),

Ліст з жаданняў
DF3A6.8CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

DF3A6.8CT(TPL3)

частка акцыі: 6261

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 2, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 5V, Напружанне - прабой (мін.): 6.4V,

Ліст з жаданняў
DF3A6.8UFU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

DF3A6.8UFU,LF

частка акцыі: 104687

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 2, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 5V (Max),

Ліст з жаданняў
DF6F6.8MTU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

DF6F6.8MTU,LF

частка акцыі: 187678

Тып: Steering (Rail to Rail), Аднанакіраваныя каналы: 4, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 5V (Max), Напружанне - прабой (мін.): 6V, Напружанне - заціск (максімальны) @ Ipp: 24V,

Ліст з жаданняў
DF3A5.6LFU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

DF3A5.6LFU,LF

частка акцыі: 177019

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 2, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 3.5V, Напружанне - прабой (мін.): 5.3V,

Ліст з жаданняў
DF3A6.2FUTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

DF3A6.2FUTE85LF

частка акцыі: 169407

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 2, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 3V, Напружанне - прабой (мін.): 5.8V,

Ліст з жаданняў
DF6D6M4N,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

DF6D6M4N,LF

частка акцыі: 9978

Тып: Zener, Двунакіраваныя каналы: 2, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 5.5V (Max), Напружанне - прабой (мін.): 5.6V, Напружанне - заціск (максімальны) @ Ipp: 15V,

Ліст з жаданняў
DF6D5M4N,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

DF6D5M4N,LF

частка акцыі: 9931

Тып: Zener, Двунакіраваныя каналы: 2, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 3.6V (Max), Напружанне - прабой (мін.): 4V, Напружанне - заціск (максімальны) @ Ipp: 15V,

Ліст з жаданняў
DF2B36FU,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

DF2B36FU,H3F

частка акцыі: 162276

Тып: Zener, Двунакіраваныя каналы: 1, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 28V, Напружанне - прабой (мін.): 32V, Напружанне - заціск (максімальны) @ Ipp: 40V,

Ліст з жаданняў