Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

TVS - Дыёды

DF2S6.8CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

DF2S6.8CT,L3F

частка акцыі: 133

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 1, Напружанне - прабой (мін.): 6.4V,

Ліст з жаданняў
DF2S6.2CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

DF2S6.2CT,L3F

частка акцыі: 114629

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 1, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 5V, Напружанне - прабой (мін.): 5.8V,

Ліст з жаданняў
DF3D6.8MS,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

DF3D6.8MS,LF

частка акцыі: 141

Тып: Steering (Rail to Rail), Аднанакіраваныя каналы: 2, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 5V (Max), Напружанне - прабой (мін.): 6V, Напружанне - заціск (максімальны) @ Ipp: 11V (Typ),

Ліст з жаданняў
DF2S20CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

DF2S20CT,L3F

частка акцыі: 189169

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 1, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 15V, Напружанне - прабой (мін.): 18.8V,

Ліст з жаданняў
DF3A6.2CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

DF3A6.2CT(TPL3)

частка акцыі: 178247

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 2, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 3V, Напружанне - прабой (мін.): 5.8V,

Ліст з жаданняў
DF2B12M4SL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

DF2B12M4SL,L3F

частка акцыі: 146

Тып: Zener, Двунакіраваныя каналы: 1, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 11V (Max), Напружанне - прабой (мін.): 11.5V, Напружанне - заціск (максімальны) @ Ipp: 22V,

Ліст з жаданняў
DF2S5.6CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

DF2S5.6CT,L3F

частка акцыі: 149443

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 1, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 3.5V, Напружанне - прабой (мін.): 5.3V,

Ліст з жаданняў
DF5A6.2CJE,LM
Toshiba Semiconductor and Storage

DF5A6.2CJE,LM

частка акцыі: 156

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 4, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 5V, Напружанне - прабой (мін.): 5.8V,

Ліст з жаданняў
DF2S5.1SC(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

DF2S5.1SC(TPL3)

частка акцыі: 193181

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 1, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 1.5V, Напружанне - прабой (мін.): 4.85V,

Ліст з жаданняў
DF2S5.1ASL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

DF2S5.1ASL,L3F

частка акцыі: 194111

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 1, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 1.5V (Max), Напружанне - прабой (мін.): 4.8V,

Ліст з жаданняў
DF5A5.6JE,LM
Toshiba Semiconductor and Storage

DF5A5.6JE,LM

частка акцыі: 142747

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 4, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 2.5V, Напружанне - прабой (мін.): 5.3V,

Ліст з жаданняў
DF5A5.6FTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

DF5A5.6FTE85LF

частка акцыі: 137690

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 4, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 2.5V, Напружанне - прабой (мін.): 5.3V,

Ліст з жаданняў
DF5A6.8FUTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

DF5A6.8FUTE85LF

частка акцыі: 197288

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 4, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 5V, Напружанне - прабой (мін.): 6.4V,

Ліст з жаданняў
DF5A6.2F(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

DF5A6.2F(TE85L,F)

частка акцыі: 115877

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 4, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 3V, Напружанне - прабой (мін.): 5.8V,

Ліст з жаданняў
DF10G6M4N,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

DF10G6M4N,LF

частка акцыі: 185882

Тып: Zener, Двунакіраваныя каналы: 4, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 5.5V (Max), Напружанне - прабой (мін.): 5.6V, Напружанне - заціск (максімальны) @ Ipp: 25V,

Ліст з жаданняў
DF5A6.2LFUTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

DF5A6.2LFUTE85LF

частка акцыі: 155595

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 4, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 5V, Напружанне - прабой (мін.): 5.9V,

Ліст з жаданняў
DF2S6.8UCT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

DF2S6.8UCT,L3F

частка акцыі: 107105

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 1, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 19V (Max), Напружанне - прабой (мін.): 22V,

Ліст з жаданняў
DF10G5M4N,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

DF10G5M4N,LF

частка акцыі: 155700

Тып: Zener, Двунакіраваныя каналы: 4, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 3.6V (Max), Напружанне - прабой (мін.): 4V, Напружанне - заціск (максімальны) @ Ipp: 24V,

Ліст з жаданняў
DF2S24UCT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

DF2S24UCT,L3F

частка акцыі: 176406

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 1, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 19V (Max), Напружанне - прабой (мін.): 22V,

Ліст з жаданняў
DF3A5.6F,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

DF3A5.6F,LF

частка акцыі: 190672

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 2, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 2.5V, Напружанне - прабой (мін.): 5.3V,

Ліст з жаданняў
DF5A6.8F,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

DF5A6.8F,LF

частка акцыі: 137177

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 4, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 5V, Напружанне - прабой (мін.): 6.4V,

Ліст з жаданняў
DF3A3.6CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

DF3A3.6CT(TPL3)

частка акцыі: 184994

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 2, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 1V, Напружанне - прабой (мін.): 3.1V,

Ліст з жаданняў
DF10G7M1N,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

DF10G7M1N,LF

частка акцыі: 147964

Тып: Steering (Rail to Rail), Аднанакіраваныя каналы: 4, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 5V (Max), Напружанне - прабой (мін.): 6V, Напружанне - заціск (максімальны) @ Ipp: 12V (Typ),

Ліст з жаданняў
DF6D7M1N,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

DF6D7M1N,LF

частка акцыі: 187351

Тып: Zener, Двунакіраваныя каналы: 2, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 5V (Max), Напружанне - прабой (мін.): 6V, Напружанне - заціск (максімальны) @ Ipp: 12V (Typ),

Ліст з жаданняў
DF2S7MSL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

DF2S7MSL,L3F

частка акцыі: 108176

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 1, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 5V (Max), Напружанне - прабой (мін.): 6V, Напружанне - заціск (максімальны) @ Ipp: 20V,

Ліст з жаданняў
DF5A3.3F(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

DF5A3.3F(TE85L,F)

частка акцыі: 189397

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 4, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 1V, Напружанне - прабой (мін.): 3.1V,

Ліст з жаданняў
DF2S8.2ASL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

DF2S8.2ASL,L3F

частка акцыі: 155673

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 1, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 6.5V (Max), Напружанне - прабой (мін.): 7.7V,

Ліст з жаданняў
DF5A3.3FU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

DF5A3.3FU(TE85L,F)

частка акцыі: 198151

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 4, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 1V, Напружанне - прабой (мін.): 3.1V,

Ліст з жаданняў
DF2B12M1CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

DF2B12M1CT(TPL3)

частка акцыі: 149556

Тып: Zener, Двунакіраваныя каналы: 1, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 8V (Max), Напружанне - прабой (мін.): 10V, Напружанне - заціск (максімальны) @ Ipp: 18V (Typ),

Ліст з жаданняў
DF2B7M3SL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

DF2B7M3SL,L3F

частка акцыі: 169311

Тып: Zener, Двунакіраваныя каналы: 1, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 5.5V (Max), Напружанне - прабой (мін.): 6V, Напружанне - заціск (максімальны) @ Ipp: 20V,

Ліст з жаданняў
DF2S5.6ASL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

DF2S5.6ASL,L3F

частка акцыі: 103556

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 1, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 3.5V (Max), Напружанне - прабой (мін.): 5.3V,

Ліст з жаданняў
DF5A6.2FU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

DF5A6.2FU(TE85L,F)

частка акцыі: 112560

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 4, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 3V, Напружанне - прабой (мін.): 5.8V,

Ліст з жаданняў
DF5A6.8CFU(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

DF5A6.8CFU(TE85L,F

частка акцыі: 140997

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 4, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 5V, Напружанне - прабой (мін.): 6.4V,

Ліст з жаданняў
DF2B7M2SL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

DF2B7M2SL,L3F

частка акцыі: 128312

Тып: Zener, Двунакіраваныя каналы: 1, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 5V (Max), Напружанне - прабой (мін.): 6V, Напружанне - заціск (максімальны) @ Ipp: 20V,

Ліст з жаданняў
DF2S8.2CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

DF2S8.2CT,L3F

частка акцыі: 144271

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 1, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 6.5V, Напружанне - прабой (мін.): 7.7V,

Ліст з жаданняў
DF5A3.6CFU(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

DF5A3.6CFU(TE85L,F

частка акцыі: 171275

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 4, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 1.8V, Напружанне - прабой (мін.): 3.4V,

Ліст з жаданняў