Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Оптаізалятары - транзістар, фотаэлектрычны выхад

  • Дом
  •  
  • Оптаізалятары - транзістар, фотаэлектрычны выхад
FOD8153SD
ON Semiconductor

FOD8153SD

частка акцыі: 5294

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 600% @ 1mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 7500% @ 1mA, Час нарастання / падзення (тып): 60µs, 53µs,

Ліст з жаданняў
CNX36U300W
ON Semiconductor

CNX36U300W

частка акцыі: 5234

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 80% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 200% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 20µs, 20µs,

Ліст з жаданняў
MOC213R2M
ON Semiconductor

MOC213R2M

частка акцыі: 160530

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 7.5µs, 5.7µs, Час нарастання / падзення (тып): 3.2µs, 4.7µs,

Ліст з жаданняў
MOCD217R2VM
ON Semiconductor

MOCD217R2VM

частка акцыі: 168283

Колькасць каналаў: 2, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 1mA, Час уключэння / выключэння (тып): 7.5µs, 5.7µs, Час нарастання / падзення (тып): 3.2µs, 4.7µs,

Ліст з жаданняў
FODM452R1
ON Semiconductor

FODM452R1

частка акцыі: 5191

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 20% @ 16mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 50% @ 16mA, Час уключэння / выключэння (тып): 400ns, 350ns,

Ліст з жаданняў
HMA2701AR4
ON Semiconductor

HMA2701AR4

частка акцыі: 5236

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 150% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 300% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 3µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
MOC80203SD
ON Semiconductor

MOC80203SD

частка акцыі: 5288

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 500% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3.5µs, 95µs,

Ліст з жаданняў
FODM8801AR2V
ON Semiconductor

FODM8801AR2V

частка акцыі: 157378

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 80% @ 1mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 160% @ 1mA, Час уключэння / выключэння (тып): 6µs, 6µs, Час нарастання / падзення (тып): 5µs, 5.5µs,

Ліст з жаданняў
HMA2701AR4V
ON Semiconductor

HMA2701AR4V

частка акцыі: 5267

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 150% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 300% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 3µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
H11A617CW
ON Semiconductor

H11A617CW

частка акцыі: 5279

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 200% @ 10mA, Час нарастання / падзення (тып): 2.4µs, 2.4µs,

Ліст з жаданняў
MCT5210300
ON Semiconductor

MCT5210300

частка акцыі: 5244

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 70% @ 3mA, Час уключэння / выключэння (тып): 10µs, 400ns,

Ліст з жаданняў
MOC217R1M
ON Semiconductor

MOC217R1M

частка акцыі: 5178

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 7.5µs, 5.7µs, Час нарастання / падзення (тып): 3.2µs, 4.7µs,

Ліст з жаданняў
FOD2742AR1
ON Semiconductor

FOD2742AR1

частка акцыі: 5188

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 200% @ 10mA,

Ліст з жаданняў
CNW84SD
ON Semiconductor

CNW84SD

частка акцыі: 5233

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5900Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 0.63% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 3.20% @ 10mA,

Ліст з жаданняў
CNW11AV2
ON Semiconductor

CNW11AV2

частка акцыі: 5240

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 4000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 10mA,

Ліст з жаданняў
HCPL2530SDM
ON Semiconductor

HCPL2530SDM

частка акцыі: 60228

Колькасць каналаў: 2, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 7% @ 16mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 50% @ 16mA, Час уключэння / выключэння (тып): 450ns, 300ns,

Ліст з жаданняў
MOCD207R2VM
ON Semiconductor

MOCD207R2VM

частка акцыі: 167491

Колькасць каналаў: 2, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 200% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 7.5µs, 5.7µs, Час нарастання / падзення (тып): 3.2µs, 4.7µs,

Ліст з жаданняў
MCT2SR2M
ON Semiconductor

MCT2SR2M

частка акцыі: 5307

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 7500Vpk, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 20% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 2µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 1.5µs,

Ліст з жаданняў
MOC8103300
ON Semiconductor

MOC8103300

частка акцыі: 5196

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 108% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 173% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 1µs, 2µs,

Ліст з жаданняў
HMA121FR1
ON Semiconductor

HMA121FR1

частка акцыі: 5247

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 3µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
H11A617CS
ON Semiconductor

H11A617CS

частка акцыі: 5277

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 200% @ 10mA, Час нарастання / падзення (тып): 2.4µs, 2.4µs,

Ліст з жаданняў
H11AA2300W
ON Semiconductor

H11AA2300W

частка акцыі: 5233

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 10% @ 10mA,

Ліст з жаданняў
HMAA2705AR1
ON Semiconductor

HMAA2705AR1

частка акцыі: 5236

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 300% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 3µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
MOC81023SDL
ON Semiconductor

MOC81023SDL

частка акцыі: 5205

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 73% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 117% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 1µs, 2µs,

Ліст з жаданняў
MOC8105300
ON Semiconductor

MOC8105300

частка акцыі: 5200

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 65% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 133% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 1µs, 2µs,

Ліст з жаданняў
H11D43SD
ON Semiconductor

H11D43SD

частка акцыі: 5236

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 10% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 5µs, 5µs,

Ліст з жаданняў
CNY17F1SR2VM
ON Semiconductor

CNY17F1SR2VM

частка акцыі: 140557

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 4170Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 40% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 80% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 4µs, 3.5µs (Max),

Ліст з жаданняў
HCPL2731SDM
ON Semiconductor

HCPL2731SDM

частка акцыі: 62874

Колькасць каналаў: 2, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 500% @ 1.6mA,

Ліст з жаданняў
H11G3M
ON Semiconductor

H11G3M

частка акцыі: 5262

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 7500Vpk, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 200% @ 1mA, Час уключэння / выключэння (тып): 5µs, 100µs,

Ліст з жаданняў
FOD2741ATV
ON Semiconductor

FOD2741ATV

частка акцыі: 122013

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 200% @ 10mA,

Ліст з жаданняў
H11G2TVM
ON Semiconductor

H11G2TVM

частка акцыі: 163026

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 4170Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 1000% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 5µs, 100µs,

Ліст з жаданняў
CNY171SR2VM
ON Semiconductor

CNY171SR2VM

частка акцыі: 167405

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 4170Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 40% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 80% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 4µs, 3.5µs (Max),

Ліст з жаданняў
H11A617D3SD
ON Semiconductor

H11A617D3SD

частка акцыі: 5277

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 160% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 320% @ 10mA, Час нарастання / падзення (тып): 2.4µs, 2.4µs,

Ліст з жаданняў
CNW4502
ON Semiconductor

CNW4502

частка акцыі: 5273

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 19% @ 16mA,

Ліст з жаданняў
H11B3
ON Semiconductor

H11B3

частка акцыі: 109717

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 1mA, Час уключэння / выключэння (тып): 25µs, 18µs,

Ліст з жаданняў
FOD617A
ON Semiconductor

FOD617A

частка акцыі: 5235

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 40% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 80% @ 10mA, Час нарастання / падзення (тып): 4µs, 3µs,

Ліст з жаданняў