Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Оптаізалятары - транзістар, фотаэлектрычны выхад

  • Дом
  •  
  • Оптаізалятары - транзістар, фотаэлектрычны выхад
MOC81133SD
ON Semiconductor

MOC81133SD

частка акцыі: 5280

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 4.2µs, 23µs, Час нарастання / падзення (тып): 3µs, 14µs,

Ліст з жаданняў
TIL111S
ON Semiconductor

TIL111S

частка акцыі: 5263

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Час нарастання / падзення (тып): 10µs, 10µs (Max),

Ліст з жаданняў
MOC8108S
ON Semiconductor

MOC8108S

частка акцыі: 5294

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 250% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 1µs, 2µs,

Ліст з жаданняў
MOC8102300
ON Semiconductor

MOC8102300

частка акцыі: 5270

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 73% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 117% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 1µs, 2µs,

Ліст з жаданняў
MOC81083SD
ON Semiconductor

MOC81083SD

частка акцыі: 5228

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 250% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 1µs, 2µs,

Ліст з жаданняў
HMHA281R3
ON Semiconductor

HMHA281R3

частка акцыі: 5245

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 3µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
MOC8102S
ON Semiconductor

MOC8102S

частка акцыі: 2522

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 73% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 117% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 1µs, 2µs,

Ліст з жаданняў
FODM217CR2
ON Semiconductor

FODM217CR2

частка акцыі: 197542

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 200% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 400% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
H11D1TM
ON Semiconductor

H11D1TM

частка акцыі: 5238

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 4170Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 20% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 5µs, 5µs,

Ліст з жаданняў
MOC216R2M
ON Semiconductor

MOC216R2M

частка акцыі: 173005

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 1mA, Час уключэння / выключэння (тып): 7.5µs, 5.7µs, Час нарастання / падзення (тып): 3.2µs, 4.7µs,

Ліст з жаданняў
H11AV1SR2VM
ON Semiconductor

H11AV1SR2VM

частка акцыі: 181730

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 4170Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 300% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 15µs, 15µs (Max),

Ліст з жаданняў
HCPL0453R1
ON Semiconductor

HCPL0453R1

частка акцыі: 5270

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 19% @ 16mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 50% @ 16mA, Час уключэння / выключэння (тып): 450ns, 300ns,

Ліст з жаданняў
CNX38US
ON Semiconductor

CNX38US

частка акцыі: 5266

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 70% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 210% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 20µs, 20µs,

Ліст з жаданняў
FODM121V
ON Semiconductor

FODM121V

частка акцыі: 171692

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 3µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
MCT5211M
ON Semiconductor

MCT5211M

частка акцыі: 59566

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 4170Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 150% @ 1.6mA, Час уключэння / выключэння (тып): 14µs, 2.5µs,

Ліст з жаданняў
HCPL2503W
ON Semiconductor

HCPL2503W

частка акцыі: 2568

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 12% @ 16mA, Час уключэння / выключэння (тып): 450ns, 300ns,

Ліст з жаданняў
H11F13S
ON Semiconductor

H11F13S

частка акцыі: 5235

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Час уключэння / выключэння (тып): 25µs, 25µs (Max),

Ліст з жаданняў
FOD2743CTV
ON Semiconductor

FOD2743CTV

частка акцыі: 5216

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 1mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 100% @ 1mA,

Ліст з жаданняў
CNY173300
ON Semiconductor

CNY173300

частка акцыі: 2562

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 200% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 1µs, 2µs,

Ліст з жаданняў
FOD2711SD
ON Semiconductor

FOD2711SD

частка акцыі: 5246

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 200% @ 10mA,

Ліст з жаданняў
MCT5211S
ON Semiconductor

MCT5211S

частка акцыі: 5302

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 150% @ 1.6mA, Час уключэння / выключэння (тып): 14µs, 2.5µs,

Ліст з жаданняў
MCT5200SD
ON Semiconductor

MCT5200SD

частка акцыі: 5303

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 75% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 1.6µs, 18µs, Час нарастання / падзення (тып): 1.3µs, 16µs,

Ліст з жаданняў
MOC8104S
ON Semiconductor

MOC8104S

частка акцыі: 5248

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 160% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 256% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 1µs, 2µs,

Ліст з жаданняў
H11G3W
ON Semiconductor

H11G3W

частка акцыі: 5241

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 200% @ 1mA, Час уключэння / выключэння (тып): 5µs, 100µs,

Ліст з жаданняў
MOC8105S
ON Semiconductor

MOC8105S

частка акцыі: 5262

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 65% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 133% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 1µs, 2µs,

Ліст з жаданняў
MOC215R2M
ON Semiconductor

MOC215R2M

частка акцыі: 5230

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 20% @ 1mA, Час уключэння / выключэння (тып): 4µs, 4µs, Час нарастання / падзення (тып): 3µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
MCT2EFR2M
ON Semiconductor

MCT2EFR2M

частка акцыі: 2593

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 7500Vpk, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 20% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 2µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 1.5µs,

Ліст з жаданняў
HCPL0700R2
ON Semiconductor

HCPL0700R2

частка акцыі: 85402

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 300% @ 1.6mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 2600% @ 1.6mA, Час уключэння / выключэння (тып): 1µs, 7µs,

Ліст з жаданняў
CNY17F2W
ON Semiconductor

CNY17F2W

частка акцыі: 5275

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 63% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 125% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 1µs, 2µs,

Ліст з жаданняў
MOC8050VM
ON Semiconductor

MOC8050VM

частка акцыі: 137166

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 4170Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 500% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 8.5µs, 95µs,

Ліст з жаданняў
MOC8104300W
ON Semiconductor

MOC8104300W

частка акцыі: 5251

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 160% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 256% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 1µs, 2µs,

Ліст з жаданняў
CNY171SD
ON Semiconductor

CNY171SD

частка акцыі: 5258

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 40% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 80% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 1µs, 2µs,

Ліст з жаданняў
HCPL2531TSVM
ON Semiconductor

HCPL2531TSVM

частка акцыі: 52254

Колькасць каналаў: 2, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 19% @ 16mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 50% @ 16mA, Час уключэння / выключэння (тып): 250ns, 260ns,

Ліст з жаданняў
H11AA3SM
ON Semiconductor

H11AA3SM

частка акцыі: 5277

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 7500Vpk, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 10mA,

Ліст з жаданняў
FOD2711ASD
ON Semiconductor

FOD2711ASD

частка акцыі: 158545

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 200% @ 10mA,

Ліст з жаданняў
MOC8030
ON Semiconductor

MOC8030

частка акцыі: 5183

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5300Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 300% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3.5µs, 95µs,

Ліст з жаданняў