Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Оптаізалятары - транзістар, фотаэлектрычны выхад

  • Дом
  •  
  • Оптаізалятары - транзістар, фотаэлектрычны выхад
MCT5211TVM
ON Semiconductor

MCT5211TVM

частка акцыі: 118159

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 4170Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 150% @ 1.6mA, Час уключэння / выключэння (тып): 14µs, 2.5µs,

Ліст з жаданняў
HCPL2531
ON Semiconductor

HCPL2531

частка акцыі: 33530

Колькасць каналаў: 2, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 19% @ 16mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 50% @ 16mA, Час уключэння / выключэння (тып): 450ns, 300ns,

Ліст з жаданняў
HCPL3700SD
ON Semiconductor

HCPL3700SD

частка акцыі: 39981

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Час уключэння / выключэння (тып): 6µs, 25µs, Час нарастання / падзення (тып): 45µs, 0.5µs,

Ліст з жаданняў
FOD8173S
ON Semiconductor

FOD8173S

частка акцыі: 128543

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 4µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
FODM121A
ON Semiconductor

FODM121A

частка акцыі: 116286

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 300% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 3µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
FOD2711ASDV
ON Semiconductor

FOD2711ASDV

частка акцыі: 153390

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 200% @ 10mA,

Ліст з жаданняў
MOC256R2M
ON Semiconductor

MOC256R2M

частка акцыі: 171881

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 20% @ 10mA,

Ліст з жаданняў
MOC8204SM
ON Semiconductor

MOC8204SM

частка акцыі: 54293

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 4170Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 20% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 5µs, 5µs,

Ліст з жаданняў
MOC211R2M
ON Semiconductor

MOC211R2M

частка акцыі: 101788

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 20% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 7.5µs, 5.7µs, Час нарастання / падзення (тып): 3.2µs, 4.7µs,

Ліст з жаданняў
MOCD213R2VM
ON Semiconductor

MOCD213R2VM

частка акцыі: 55554

Колькасць каналаў: 2, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 2.8µs, Час нарастання / падзення (тып): 1.6µs, 2.2µs,

Ліст з жаданняў
CNY171TVM
ON Semiconductor

CNY171TVM

частка акцыі: 8689

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 4170Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 40% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 80% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 4µs, 3.5µs (Max),

Ліст з жаданняў
CNY17F3SR2VM
ON Semiconductor

CNY17F3SR2VM

частка акцыі: 165873

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 4170Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 200% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 4µs, 3.5µs (Max),

Ліст з жаданняў
MOC8204M
ON Semiconductor

MOC8204M

частка акцыі: 56357

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 4170Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 20% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 5µs, 5µs,

Ліст з жаданняў
HCPL2530
ON Semiconductor

HCPL2530

частка акцыі: 34093

Колькасць каналаў: 2, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 7% @ 16mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 50% @ 16mA, Час уключэння / выключэння (тып): 450ns, 500ns,

Ліст з жаданняў
H11B1VM
ON Semiconductor

H11B1VM

частка акцыі: 114663

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 4170Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 500% @ 1mA, Час уключэння / выключэння (тып): 25µs, 18µs,

Ліст з жаданняў
H11F3M
ON Semiconductor

H11F3M

частка акцыі: 22074

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 7500Vpk, Час уключэння / выключэння (тып): 45µs, 45µs (Max),

Ліст з жаданняў
HCPL0531
ON Semiconductor

HCPL0531

частка акцыі: 19040

Колькасць каналаў: 2, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 19% @ 16mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 50% @ 16mA, Час уключэння / выключэння (тып): 450ns, 300ns,

Ліст з жаданняў
FOD817B300W
ON Semiconductor

FOD817B300W

частка акцыі: 126327

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 130% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 260% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 4µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
MCT623SD
ON Semiconductor

MCT623SD

частка акцыі: 190851

Колькасць каналаў: 2, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2.4µs, 2.4µs,

Ліст з жаданняў
MOCD211M
ON Semiconductor

MOCD211M

частка акцыі: 72593

Колькасць каналаў: 2, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 20% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 7.5µs, 5.7µs, Час нарастання / падзення (тып): 3.2µs, 4.7µs,

Ліст з жаданняў
H11F1TVM
ON Semiconductor

H11F1TVM

частка акцыі: 49208

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 7500Vpk, Час уключэння / выключэння (тып): 45µs, 45µs (Max),

Ліст з жаданняў
CNY173TVM
ON Semiconductor

CNY173TVM

частка акцыі: 116285

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 4170Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 200% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 4µs, 3.5µs (Max),

Ліст з жаданняў
HCPL3700M
ON Semiconductor

HCPL3700M

частка акцыі: 37547

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Час уключэння / выключэння (тып): 6µs, 25µs, Час нарастання / падзення (тып): 45µs, 0.5µs,

Ліст з жаданняў
HCPL3700SDV
ON Semiconductor

HCPL3700SDV

частка акцыі: 34738

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Час уключэння / выключэння (тып): 6µs, 25µs, Час нарастання / падзення (тып): 45µs, 0.5µs,

Ліст з жаданняў
FOD852S
ON Semiconductor

FOD852S

частка акцыі: 65994

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 1000% @ 1mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 15000% @ 1mA, Час нарастання / падзення (тып): 100µs, 20µs,

Ліст з жаданняў
MCT62S
ON Semiconductor

MCT62S

частка акцыі: 70421

Колькасць каналаў: 2, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2.4µs, 2.4µs,

Ліст з жаданняў
HCPL2730SD
ON Semiconductor

HCPL2730SD

частка акцыі: 66223

Колькасць каналаў: 2, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 300% @ 1.6mA, Час уключэння / выключэння (тып): 300ns, 5µs,

Ліст з жаданняў
H11AV1SR2M
ON Semiconductor

H11AV1SR2M

частка акцыі: 194326

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 4170Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 300% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 15µs, 15µs (Max),

Ліст з жаданняў
FODM8801BR2
ON Semiconductor

FODM8801BR2

частка акцыі: 162014

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 130% @ 1mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 260% @ 1mA, Час уключэння / выключэння (тып): 6µs, 6µs, Час нарастання / падзення (тып): 5µs, 5.5µs,

Ліст з жаданняў
H11A1TVM
ON Semiconductor

H11A1TVM

частка акцыі: 196475

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 4170Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 2µs,

Ліст з жаданняў
H11AA1SR2VM
ON Semiconductor

H11AA1SR2VM

частка акцыі: 71796

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 4170Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 20% @ 10mA,

Ліст з жаданняў
CNY17F1SR2M
ON Semiconductor

CNY17F1SR2M

частка акцыі: 112628

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 4170Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 40% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 80% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 4µs, 3.5µs (Max),

Ліст з жаданняў
HMHAA280V
ON Semiconductor

HMHAA280V

частка акцыі: 92699

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 3µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
H11AA1SM
ON Semiconductor

H11AA1SM

частка акцыі: 75549

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 4170Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 20% @ 10mA,

Ліст з жаданняў
MCT2ESR2VM
ON Semiconductor

MCT2ESR2VM

частка акцыі: 161992

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 7500Vpk, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 20% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2µs, 2µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 1.5µs,

Ліст з жаданняў
FODM121R2V
ON Semiconductor

FODM121R2V

частка акцыі: 178282

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 3µs, 3µs,

Ліст з жаданняў