Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Дыёды - стабилитроны - адзінкавыя

  • Дом
  •  
  • Дыёды - стабилитроны - адзінкавыя
BZX55C16_T26A
ON Semiconductor

BZX55C16_T26A

частка акцыі: 5053

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 16V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 40 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 12V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 100mA,

Ліст з жаданняў
BZX55C13_T50A
ON Semiconductor

BZX55C13_T50A

частка акцыі: 5046

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 13V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 26 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 10V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 100mA,

Ліст з жаданняў
BZX55C13_T50R
ON Semiconductor

BZX55C13_T50R

частка акцыі: 3556

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 13V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 26 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 10V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 100mA,

Ліст з жаданняў
BZX55C12_T26A
ON Semiconductor

BZX55C12_T26A

частка акцыі: 5099

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 12V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 20 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 9V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 100mA,

Ліст з жаданняў
BZX55C12_T50A
ON Semiconductor

BZX55C12_T50A

частка акцыі: 5116

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 12V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 20 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 9V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 100mA,

Ліст з жаданняў
BZX55C11_T50A
ON Semiconductor

BZX55C11_T50A

частка акцыі: 5095

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 11V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 20 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 8.5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 100mA,

Ліст з жаданняў
BZX55C10_T50A
ON Semiconductor

BZX55C10_T50A

частка акцыі: 5075

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 10V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 15 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 7.5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 100mA,

Ліст з жаданняў
BZX55C10_T26A
ON Semiconductor

BZX55C10_T26A

частка акцыі: 5120

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 10V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 15 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 7.5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 100mA,

Ліст з жаданняў
BZX79C9V1_T50R
ON Semiconductor

BZX79C9V1_T50R

частка акцыі: 4962

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 9.1V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 15 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 6V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100mA,

Ліст з жаданняў
BZX79C5V1_T50R
ON Semiconductor

BZX79C5V1_T50R

частка акцыі: 4990

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 5.1V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 60 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100mA,

Ліст з жаданняў
BZX79C56
ON Semiconductor

BZX79C56

частка акцыі: 4937

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 56V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 200 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 39.2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100mA,

Ліст з жаданняў
BZX79C51
ON Semiconductor

BZX79C51

частка акцыі: 5024

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 51V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 180 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 35.7V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100mA,

Ліст з жаданняў
BZX79C47
ON Semiconductor

BZX79C47

частка акцыі: 3525

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 47V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 170 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 32.9V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100mA,

Ліст з жаданняў
BZX79C3V3_T50R
ON Semiconductor

BZX79C3V3_T50R

частка акцыі: 3532

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.3V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 95 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 25µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100mA,

Ліст з жаданняў
BZX79C43
ON Semiconductor

BZX79C43

частка акцыі: 4975

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 43V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 150 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 30.1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100mA,

Ліст з жаданняў
BZX79C3V0
ON Semiconductor

BZX79C3V0

частка акцыі: 141001

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 95 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100mA,

Ліст з жаданняў
BZX79C39
ON Semiconductor

BZX79C39

частка акцыі: 164053

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 39V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 130 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 27.3V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100mA,

Ліст з жаданняў
BZX79C33
ON Semiconductor

BZX79C33

частка акцыі: 109851

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 33V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 23.1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100mA,

Ліст з жаданняў
BZX79C36
ON Semiconductor

BZX79C36

частка акцыі: 4972

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 36V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 90 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 25.2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100mA,

Ліст з жаданняў
BZX84C36ET3G
ON Semiconductor

BZX84C36ET3G

частка акцыі: 5006

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 36V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 225mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 90 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 25.2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
BZX79C27_T50R
ON Semiconductor

BZX79C27_T50R

частка акцыі: 4945

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 27V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 18.9V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100mA,

Ліст з жаданняў
BZX79C30
ON Semiconductor

BZX79C30

частка акцыі: 3548

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 30V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 21V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100mA,

Ліст з жаданняў
BZX79C27
ON Semiconductor

BZX79C27

частка акцыі: 4962

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 27V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 18.9V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100mA,

Ліст з жаданняў
BZX79C24
ON Semiconductor

BZX79C24

частка акцыі: 146950

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 24V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 70 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 16.8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100mA,

Ліст з жаданняў
BZX84C6V8
ON Semiconductor

BZX84C6V8

частка акцыі: 4923

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 6.8V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 350mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 15 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
BZX79C22_T50A
ON Semiconductor

BZX79C22_T50A

частка акцыі: 4943

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 22V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 55 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 15.4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100mA,

Ліст з жаданняў
BZX79C20
ON Semiconductor

BZX79C20

частка акцыі: 142640

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 20V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 55 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 14V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100mA,

Ліст з жаданняў
BZX79C22
ON Semiconductor

BZX79C22

частка акцыі: 4987

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 22V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 55 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 15.4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100mA,

Ліст з жаданняў
BZX79C18_T50R
ON Semiconductor

BZX79C18_T50R

частка акцыі: 4979

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 18V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 45 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 12.6V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100mA,

Ліст з жаданняў
BZX79C15_NT50R
ON Semiconductor

BZX79C15_NT50R

частка акцыі: 4954

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 15V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 10.5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100mA,

Ліст з жаданняў
BZX79C16
ON Semiconductor

BZX79C16

частка акцыі: 4973

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 16V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 40 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 11.2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100mA,

Ліст з жаданняў
BZX55C9V1
ON Semiconductor

BZX55C9V1

частка акцыі: 4989

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 9.1V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 10 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 7V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 100mA,

Ліст з жаданняў
BZX55C8V2_T50R
ON Semiconductor

BZX55C8V2_T50R

частка акцыі: 5001

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 8.2V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 7 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 6V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 100mA,

Ліст з жаданняў
BZX55C8V2
ON Semiconductor

BZX55C8V2

частка акцыі: 4936

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 8.2V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 7 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 6V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 100mA,

Ліст з жаданняў
BZX55C7V5
ON Semiconductor

BZX55C7V5

частка акцыі: 5011

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 7.5V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 7 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 100mA,

Ліст з жаданняў
BZX55C6V8
ON Semiconductor

BZX55C6V8

частка акцыі: 4950

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 6.8V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 8 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 3V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 100mA,

Ліст з жаданняў