Дыёды - стабилитроны - адзінкавыя

BZX79C30-T50A

BZX79C30-T50A

частка акцыі: 6289

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 30V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 21V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100mA,

BZX79C24-T50A

BZX79C24-T50A

частка акцыі: 6373

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 24V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 70 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 16.8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100mA,

BZX79C20-T50A

BZX79C20-T50A

частка акцыі: 6371

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 20V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 55 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 14V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100mA,

BZX84C8V2

BZX84C8V2

частка акцыі: 6224

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 8.2V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 350mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 15 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 700nA @ 5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX84C3V9

BZX84C3V9

частка акцыі: 6157

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.9V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 350mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 90 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX84C30

BZX84C30

частка акцыі: 166981

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 30V, Талерантнасць: ±7%, Магутнасць - Макс: 350mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 21V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX84C24

BZX84C24

частка акцыі: 6185

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 24V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 350mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 70 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 16.8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX85C13

BZX85C13

частка акцыі: 142027

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 13V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 10 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 9.1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

BZX84B16LT1G

BZX84B16LT1G

частка акцыі: 172108

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 16V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 250mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 40 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 11.2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX84C4V3LT1G

BZX84C4V3LT1G

частка акцыі: 141430

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 4.3V, Талерантнасць: ±7%, Магутнасць - Макс: 225mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 90 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 3µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX85C11

BZX85C11

частка акцыі: 196316

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 11V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 8 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 7.7V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

BZX84C20LT1G

BZX84C20LT1G

частка акцыі: 137153

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 20V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 225mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 55 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 14V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX85C15-T50A

BZX85C15-T50A

частка акцыі: 24333

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 15V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 15 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 10.5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

BZX84C36LT1G

BZX84C36LT1G

частка акцыі: 153914

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 36V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 225mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 90 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 25.2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX84B22LT1G

BZX84B22LT1G

частка акцыі: 123134

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 22V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 225mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 55 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 15.4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX85C15-T50R

BZX85C15-T50R

частка акцыі: 24370

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 15V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 15 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 10.5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

BZX84C7V5

BZX84C7V5

частка акцыі: 5496

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 7.5V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 350mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 15 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX84C13

BZX84C13

частка акцыі: 5543

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 13V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 350mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX84C22

BZX84C22

частка акцыі: 5472

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 22V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 350mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 55 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 15.4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX84C16

BZX84C16

частка акцыі: 5471

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 16.2V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 350mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 40 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 11.2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX84C3V6

BZX84C3V6

частка акцыі: 5529

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.6V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 350mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 90 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX84C18

BZX84C18

частка акцыі: 5510

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 18V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 350mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 45 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 12.6V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX84C10

BZX84C10

частка акцыі: 5377

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 10V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 350mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 20 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 200nA @ 7V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX84C9V1ET3G

BZX84C9V1ET3G

частка акцыі: 5325

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 9.1V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 225mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 15 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 6V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX84C6V2ET3G

BZX84C6V2ET3G

частка акцыі: 5305

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 6.2V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 225mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 10 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 3µA @ 4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX84C20LT3G

BZX84C20LT3G

частка акцыі: 5347

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 20V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 225mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 55 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 14V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX84C3V3

BZX84C3V3

частка акцыі: 5336

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.3V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 350mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 95 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX85C15

BZX85C15

частка акцыі: 199495

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 15V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 15 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 10.5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

BZX84C9V1LT3

BZX84C9V1LT3

частка акцыі: 5274

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 9.1V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 225mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 15 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 6V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX84C9V1ET3

BZX84C9V1ET3

частка акцыі: 5324

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 9.1V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 225mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 15 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 6V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX84C8V2LT3

BZX84C8V2LT3

частка акцыі: 5257

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 8.2V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 225mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 15 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 700nA @ 5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX84C8V2LT3G

BZX84C8V2LT3G

частка акцыі: 5294

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 8.2V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 225mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 15 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 700nA @ 5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX84C7V5LT3

BZX84C7V5LT3

частка акцыі: 5314

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 7.5V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 225mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 15 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX84C8V2ET3

BZX84C8V2ET3

частка акцыі: 5310

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 8.2V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 225mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 15 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 700nA @ 5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX84C75LT3

BZX84C75LT3

частка акцыі: 5243

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 75V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 225mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 255 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 52.5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX84C75LT3G

BZX84C75LT3G

частка акцыі: 3594

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 75V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 225mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 255 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 52.5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,