Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Дыёды - стабилитроны - адзінкавыя

  • Дом
  •  
  • Дыёды - стабилитроны - адзінкавыя
BZX84C6V8LT3
ON Semiconductor

BZX84C6V8LT3

частка акцыі: 5279

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 6.8V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 225mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 15 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
BZX84C6V2LT3
ON Semiconductor

BZX84C6V2LT3

частка акцыі: 5230

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 6.2V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 225mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 10 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 3µA @ 4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
BZX84C6V2ET3
ON Semiconductor

BZX84C6V2ET3

частка акцыі: 5251

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 6.2V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 225mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 10 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 3µA @ 4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
BZX84C68LT1
ON Semiconductor

BZX84C68LT1

частка акцыі: 5317

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 68V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 225mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 240 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 47.6V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
BZX84C5V6LT3
ON Semiconductor

BZX84C5V6LT3

частка акцыі: 5317

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 5.6V, Талерантнасць: ±7%, Магутнасць - Макс: 225mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 40 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
BZX84C62LT1
ON Semiconductor

BZX84C62LT1

частка акцыі: 5324

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 62V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 225mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 215 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 43.4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
BZX84C5V6ET3
ON Semiconductor

BZX84C5V6ET3

частка акцыі: 5246

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 5.6V, Талерантнасць: ±7%, Магутнасць - Макс: 225mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 40 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
BZX84C5V1LT3
ON Semiconductor

BZX84C5V1LT3

частка акцыі: 5264

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 5.1V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 225mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 60 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
BZX84C5V1ET3G
ON Semiconductor

BZX84C5V1ET3G

частка акцыі: 5315

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 5.1V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 225mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 60 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
BZX84C56LT1
ON Semiconductor

BZX84C56LT1

частка акцыі: 5236

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 56V, Талерантнасць: ±7%, Магутнасць - Макс: 225mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 200 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 39.2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
BZX84C5V1ET1G
ON Semiconductor

BZX84C5V1ET1G

частка акцыі: 5246

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 5.1V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 225mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 60 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
BZX84C4V7LT3
ON Semiconductor

BZX84C4V7LT3

частка акцыі: 5283

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 4.7V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 225mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 3µA @ 2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
BZX84C4V7ET3
ON Semiconductor

BZX84C4V7ET3

частка акцыі: 5242

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 4.7V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 225mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 3µA @ 2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
BZX84C47ET1
ON Semiconductor

BZX84C47ET1

частка акцыі: 5262

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 47V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 225mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 170 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 32.9V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
BZX84C3V3LT3G
ON Semiconductor

BZX84C3V3LT3G

частка акцыі: 5252

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.3V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 225mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 95 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
BZX84C3V3ET3G
ON Semiconductor

BZX84C3V3ET3G

частка акцыі: 5275

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.3V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 225mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 95 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
BZX84C3V3ET3
ON Semiconductor

BZX84C3V3ET3

частка акцыі: 5220

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.3V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 225mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 95 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
BZX84C39LT3G
ON Semiconductor

BZX84C39LT3G

частка акцыі: 5314

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 39V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 225mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 130 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 27.3V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
BZX84C33LT3
ON Semiconductor

BZX84C33LT3

частка акцыі: 5239

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 33V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 225mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 23.1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
BZX84C36ET3
ON Semiconductor

BZX84C36ET3

частка акцыі: 5295

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 36V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 225mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 90 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 25.2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
BZX84C33LT1
ON Semiconductor

BZX84C33LT1

частка акцыі: 5237

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 33V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 225mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 23.1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
BZX84C2V4LT3G
ON Semiconductor

BZX84C2V4LT3G

частка акцыі: 5314

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 2.4V, Талерантнасць: ±8%, Магутнасць - Макс: 225mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 100 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
BZX84C27LT3G
ON Semiconductor

BZX84C27LT3G

частка акцыі: 5236

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 27V, Талерантнасць: ±7%, Магутнасць - Макс: 225mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 18.9V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
BZX84C24LT3G
ON Semiconductor

BZX84C24LT3G

частка акцыі: 5314

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 24V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 225mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 70 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 16.8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
BZX84C27LT3
ON Semiconductor

BZX84C27LT3

частка акцыі: 3548

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 27V, Талерантнасць: ±7%, Магутнасць - Макс: 225mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 18.9V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
BZX84C24LT3
ON Semiconductor

BZX84C24LT3

частка акцыі: 5248

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 24V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 225mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 70 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 16.8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
BZX84C24ET3
ON Semiconductor

BZX84C24ET3

частка акцыі: 5293

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 24V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 225mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 70 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 16.8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
BZX84C22LT1
ON Semiconductor

BZX84C22LT1

частка акцыі: 3540

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 22V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 225mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 55 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 15.4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
BZX84C20LT3
ON Semiconductor

BZX84C20LT3

частка акцыі: 5239

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 20V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 225mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 55 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 14V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
BZX84C18ET3
ON Semiconductor

BZX84C18ET3

частка акцыі: 3537

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 18V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 225mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 45 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 12.6V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
BZX84C18LT3
ON Semiconductor

BZX84C18LT3

частка акцыі: 5245

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 18V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 225mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 45 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 12.6V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
BZX84C15LT3
ON Semiconductor

BZX84C15LT3

частка акцыі: 5253

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 15V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 225mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 10.5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
BZX84C13LT3
ON Semiconductor

BZX84C13LT3

частка акцыі: 5281

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 13V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 225mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
BZX84C12LT3G
ON Semiconductor

BZX84C12LT3G

частка акцыі: 5302

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 12V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 250mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 25 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
BZX84C10LT3G
ON Semiconductor

BZX84C10LT3G

частка акцыі: 5242

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 10V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 225mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 20 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 200nA @ 7V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
BZX84C12ET3
ON Semiconductor

BZX84C12ET3

частка акцыі: 5222

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 12V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 225mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 25 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў