Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Транзістары - IGBT - адзінкавыя

NGB18N40ACLBT4G
Littelfuse Inc.

NGB18N40ACLBT4G

частка акцыі: 88358

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 430V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 18A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 50A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 4V, 15A, Магутнасць - Макс: 115W,

Пажаданні
IKP20N65F5XKSA1
Infineon Technologies

IKP20N65F5XKSA1

частка акцыі: 43996

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 42A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 60A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 125W,

Пажаданні
IKD06N60RFATMA1
Infineon Technologies

IKD06N60RFATMA1

частка акцыі: 117907

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 12A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 18A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 6A, Магутнасць - Макс: 100W,

Пажаданні
IHW15N120R3FKSA1
Infineon Technologies

IHW15N120R3FKSA1

частка акцыі: 426

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 30A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 45A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 15A, Магутнасць - Макс: 254W,

Пажаданні
IKP15N65F5XKSA1
Infineon Technologies

IKP15N65F5XKSA1

частка акцыі: 29090

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 30A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 45A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A, Магутнасць - Макс: 105W,

Пажаданні
IKY40N120CH3XKSA1
Infineon Technologies

IKY40N120CH3XKSA1

частка акцыі: 10258

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 160A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 500W,

Пажаданні
IKD03N60RFATMA1
Infineon Technologies

IKD03N60RFATMA1

частка акцыі: 156738

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 6.5A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 7.5A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 2.5A, Магутнасць - Макс: 53.6W,

Пажаданні
IRG4BC40WPBF
Infineon Technologies

IRG4BC40WPBF

частка акцыі: 21260

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 40A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 160A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 160W,

Пажаданні
IGW60N60H3FKSA1
Infineon Technologies

IGW60N60H3FKSA1

частка акцыі: 17056

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 180A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A, Магутнасць - Макс: 416W,

Пажаданні
IRG4PC50UPBF
Infineon Technologies

IRG4PC50UPBF

частка акцыі: 11342

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 55A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 220A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 27A, Магутнасць - Макс: 200W,

Пажаданні
FGH20N60SFDTU
ON Semiconductor

FGH20N60SFDTU

частка акцыі: 36732

Тып IGBT: Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 40A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 60A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 165W,

Пажаданні
NGTB30N60L2WG
ON Semiconductor

NGTB30N60L2WG

частка акцыі: 20768

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 60A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 225W,

Пажаданні
FGH50T65SQD-F155
ON Semiconductor

FGH50T65SQD-F155

частка акцыі: 5157

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 200A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 268W,

Пажаданні
FGP20N60UFDTU
ON Semiconductor

FGP20N60UFDTU

частка акцыі: 26370

Тып IGBT: Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 40A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 60A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 165W,

Пажаданні
ISL9V2040D3ST
ON Semiconductor

ISL9V2040D3ST

частка акцыі: 125426

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 430V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 10A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 4V, 6A, Магутнасць - Макс: 130W,

Пажаданні
FGH40T65SQD-F155
ON Semiconductor

FGH40T65SQD-F155

частка акцыі: 2943

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 160A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 238W,

Пажаданні
HGTG18N120BND
ON Semiconductor

HGTG18N120BND

частка акцыі: 10214

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 54A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 160A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 18A, Магутнасць - Макс: 390W,

Пажаданні
STGW40V60DF
STMicroelectronics

STGW40V60DF

частка акцыі: 15791

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 160A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 283W,

Пажаданні
STGWA30M65DF2
STMicroelectronics

STGWA30M65DF2

частка акцыі: 16047

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 60A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 258W,

Пажаданні
STGFW35HF60W
STMicroelectronics

STGFW35HF60W

частка акцыі: 10183

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 36A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 150A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 88W,

Пажаданні
STGWT30V60DF
STMicroelectronics

STGWT30V60DF

частка акцыі: 19696

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 60A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 258W,

Пажаданні
STGWT20H65FB
STMicroelectronics

STGWT20H65FB

частка акцыі: 18491

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 40A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 80A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 168W,

Пажаданні
STGB30H60DFB
STMicroelectronics

STGB30H60DFB

частка акцыі: 57432

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 60A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 260W,

Пажаданні
STGP10H60DF
STMicroelectronics

STGP10H60DF

частка акцыі: 75638

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 20A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 40A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 10A, Магутнасць - Макс: 115W,

Пажаданні
IXYH12N250CV1HV
IXYS

IXYH12N250CV1HV

частка акцыі: 3882

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 2500V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 28A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 80A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 4.5V @ 15V, 12A, Магутнасць - Макс: 310W,

Пажаданні
IXXH30N60C3D1
IXYS

IXXH30N60C3D1

частка акцыі: 14144

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 60A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 110A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 24A, Магутнасць - Макс: 270W,

Пажаданні
IXGA42N30C3
IXYS

IXGA42N30C3

частка акцыі: 25095

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 300V, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 250A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 42A, Магутнасць - Макс: 223W,

Пажаданні
IXGH40N120C3D1
IXYS

IXGH40N120C3D1

частка акцыі: 7056

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 180A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 4.4V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 380W,

Пажаданні
IXYP20N120C3
IXYS

IXYP20N120C3

частка акцыі: 16233

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 40A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 96A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 278W,

Пажаданні
IXGH25N160
IXYS

IXGH25N160

частка акцыі: 6761

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 200A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 4.7V @ 20V, 100A, Магутнасць - Макс: 300W,

Пажаданні
IXYT80N90C3
IXYS

IXYT80N90C3

частка акцыі: 8696

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 900V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 165A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 360A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 80A, Магутнасць - Макс: 830W,

Пажаданні
IXYH8N250C
IXYS

IXYH8N250C

частка акцыі: 5574

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 2500V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 29A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 70A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 8A, Магутнасць - Макс: 280W,

Пажаданні
IXXH30N65B4
IXYS

IXXH30N65B4

частка акцыі: 15132

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 65A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 146A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 230W,

Пажаданні
IXGA20N120A3
IXYS

IXGA20N120A3

частка акцыі: 13268

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 40A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 180W,

Пажаданні
IXBF42N300
IXYS

IXBF42N300

частка акцыі: 1553

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 3000V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 60A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 380A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 42A, Магутнасць - Макс: 240W,

Пажаданні
RJH60F3DPQ-A0#T0
Renesas Electronics America

RJH60F3DPQ-A0#T0

частка акцыі: 16631

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 40A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.82V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 178.5W,

Пажаданні