Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Транзістары - IGBT - адзінкавыя

IKP40N65H5XKSA1
Infineon Technologies

IKP40N65H5XKSA1

частка акцыі: 21487

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 74A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 255W,

Пажаданні
IGW75N60H3FKSA1
Infineon Technologies

IGW75N60H3FKSA1

частка акцыі: 347

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 140A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 225A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A, Магутнасць - Макс: 428W,

Пажаданні
IKW50N65EH5XKSA1
Infineon Technologies

IKW50N65EH5XKSA1

частка акцыі: 13357

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 200A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 275W,

Пажаданні
IRG4PC50SPBF
Infineon Technologies

IRG4PC50SPBF

частка акцыі: 11887

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 70A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 140A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.36V @ 15V, 41A, Магутнасць - Макс: 200W,

Пажаданні
IRG4PSH71UDPBF
Infineon Technologies

IRG4PSH71UDPBF

частка акцыі: 4434

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 99A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 200A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 70A, Магутнасць - Макс: 350W,

Пажаданні
IKY40N120CS6XKSA1
Infineon Technologies

IKY40N120CS6XKSA1

частка акцыі: 1487

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 160A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 500W,

Пажаданні
IHW40N60RFKSA1
Infineon Technologies

IHW40N60RFKSA1

частка акцыі: 517

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 305W,

Пажаданні
IKW30N65H5XKSA1
Infineon Technologies

IKW30N65H5XKSA1

частка акцыі: 21153

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 55A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 90A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 188W,

Пажаданні
IKA15N65F5XKSA1
Infineon Technologies

IKA15N65F5XKSA1

частка акцыі: 29092

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 14A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 45A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A, Магутнасць - Макс: 33.3W,

Пажаданні
IGW30N60TPXKSA1
Infineon Technologies

IGW30N60TPXKSA1

частка акцыі: 23334

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 53A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 90A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 200W,

Пажаданні
IGB50N65S5ATMA1
Infineon Technologies

IGB50N65S5ATMA1

частка акцыі: 48121

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 200A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 270W,

Пажаданні
IRGP4066DPBF
Infineon Technologies

IRGP4066DPBF

частка акцыі: 6386

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 140A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 225A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A, Магутнасць - Макс: 454W,

Пажаданні
IKFW40N60DH3EXKSA1
Infineon Technologies

IKFW40N60DH3EXKSA1

частка акцыі: 1427

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 34A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 90A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 111W,

Пажаданні
IKY75N120CH3XKSA1
Infineon Technologies

IKY75N120CH3XKSA1

частка акцыі: 5600

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 150A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 300A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 75A, Магутнасць - Макс: 938W,

Пажаданні
IKB10N60TATMA1
Infineon Technologies

IKB10N60TATMA1

частка акцыі: 70092

Тып IGBT: NPT, Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 20A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 30A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A, Магутнасць - Макс: 110W,

Пажаданні
IXBT20N300HV
IXYS

IXBT20N300HV

частка акцыі: 1842

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 3000V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 50A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 140A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 250W,

Пажаданні
IXYH30N65C3
IXYS

IXYH30N65C3

частка акцыі: 22795

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 60A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 118A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 270W,

Пажаданні
IXGF32N170
IXYS

IXGF32N170

частка акцыі: 4033

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1700V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 44A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 200A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 32A, Магутнасць - Макс: 200W,

Пажаданні
IXYH12N250C
IXYS

IXYH12N250C

частка акцыі: 5169

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 2500V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 28A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 80A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 4.5V @ 15V, 12A, Магутнасць - Макс: 310W,

Пажаданні
IXXH60N65B4
IXYS

IXXH60N65B4

частка акцыі: 12915

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 116A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 250A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A, Магутнасць - Макс: 455W,

Пажаданні
IXGH56N60A3
IXYS

IXGH56N60A3

частка акцыі: 12369

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 150A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 370A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 44A, Магутнасць - Макс: 330W,

Пажаданні
IXGH28N60A3
IXYS

IXGH28N60A3

частка акцыі: 249

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 170A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 24A, Магутнасць - Макс: 190W,

Пажаданні
IXYH80N90C3
IXYS

IXYH80N90C3

частка акцыі: 9634

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 900V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 165A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 360A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 80A, Магутнасць - Макс: 830W,

Пажаданні
FGH40N65UFDTU
ON Semiconductor

FGH40N65UFDTU

частка акцыі: 29738

Тып IGBT: Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 290W,

Пажаданні
FGA30T65SHD
ON Semiconductor

FGA30T65SHD

частка акцыі: 27345

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 60A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 90A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 238W,

Пажаданні
HGTG30N60B3
ON Semiconductor

HGTG30N60B3

частка акцыі: 20902

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 60A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 220A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 208W,

Пажаданні
FGH40N60UFDTU
ON Semiconductor

FGH40N60UFDTU

частка акцыі: 22929

Тып IGBT: Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 290W,

Пажаданні
HGTG40N60B3
ON Semiconductor

HGTG40N60B3

частка акцыі: 8155

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 70A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 330A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 290W,

Пажаданні
NGTG35N65FL2WG
ON Semiconductor

NGTG35N65FL2WG

частка акцыі: 23259

Тып IGBT: Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 70A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 35A, Магутнасць - Макс: 300W,

Пажаданні
FGH40N60SFDTU
ON Semiconductor

FGH40N60SFDTU

частка акцыі: 23931

Тып IGBT: Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 290W,

Пажаданні
HGTG11N120CND
ON Semiconductor

HGTG11N120CND

частка акцыі: 21846

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 43A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 80A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 11A, Магутнасць - Макс: 298W,

Пажаданні
STGWT20H60DF
STMicroelectronics

STGWT20H60DF

частка акцыі: 22167

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 40A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 80A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 167W,

Пажаданні
STGWA8M120DF3
STMicroelectronics

STGWA8M120DF3

частка акцыі: 279

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 16A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 32A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 8A, Магутнасць - Макс: 167W,

Пажаданні
STGWA60NC60WDR
STMicroelectronics

STGWA60NC60WDR

частка акцыі: 8845

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 130A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 250A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 340W,

Пажаданні
RGTV60TS65DGC11
Rohm Semiconductor

RGTV60TS65DGC11

частка акцыі: 2739

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 60A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 194W,

Пажаданні
SLA5222
Sanken

SLA5222

частка акцыі: 7982

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 30A,

Пажаданні