Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Транзістары - IGBT - адзінкавыя

NGB8206ANSL3G
Littelfuse Inc.

NGB8206ANSL3G

частка акцыі: 55812

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 390V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 20A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 50A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 4.5V, 20A, Магутнасць - Макс: 150W,

Пажаданні
RGW80TS65DGC11
Rohm Semiconductor

RGW80TS65DGC11

частка акцыі: 2917

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 78A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 160A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 214W,

Пажаданні
RGW60TS65GC11
Rohm Semiconductor

RGW60TS65GC11

частка акцыі: 2827

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 60A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 178W,

Пажаданні
RGTV00TK65DGC11
Rohm Semiconductor

RGTV00TK65DGC11

частка акцыі: 2789

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 45A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 200A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 94W,

Пажаданні
STGB6M65DF2
STMicroelectronics

STGB6M65DF2

частка акцыі: 124579

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 12A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 24A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 6A, Магутнасць - Макс: 88W,

Пажаданні
STGW60V60F
STMicroelectronics

STGW60V60F

частка акцыі: 13237

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 240A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A, Магутнасць - Макс: 375W,

Пажаданні
STGWA75M65DF2
STMicroelectronics

STGWA75M65DF2

частка акцыі: 12670

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 120A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 225A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A, Магутнасць - Макс: 468W,

Пажаданні
STGW8M120DF3
STMicroelectronics

STGW8M120DF3

частка акцыі: 260

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 16A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 32A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 8A, Магутнасць - Макс: 167W,

Пажаданні
STGWT30V60F
STMicroelectronics

STGWT30V60F

частка акцыі: 22373

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 60A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 260W,

Пажаданні
STGW20IH125DF
STMicroelectronics

STGW20IH125DF

частка акцыі: 18725

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1250V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 40A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 80A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A, Магутнасць - Макс: 259W,

Пажаданні
STGWT20V60DF
STMicroelectronics

STGWT20V60DF

частка акцыі: 22221

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 40A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 80A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 167W,

Пажаданні
STGWT80H65FB
STMicroelectronics

STGWT80H65FB

частка акцыі: 6478

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 120A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 240A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A, Магутнасць - Макс: 469W,

Пажаданні
IRG4BC20FDPBF
Infineon Technologies

IRG4BC20FDPBF

частка акцыі: 29652

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 16A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 64A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 9A, Магутнасць - Макс: 60W,

Пажаданні
IGP20N65F5XKSA1
Infineon Technologies

IGP20N65F5XKSA1

частка акцыі: 60280

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 42A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 60A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 125W,

Пажаданні
IGW75N60TFKSA1
Infineon Technologies

IGW75N60TFKSA1

частка акцыі: 10915

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 150A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 225A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A, Магутнасць - Макс: 428W,

Пажаданні
IRGP4066D-EPBF
Infineon Technologies

IRGP4066D-EPBF

частка акцыі: 6253

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 140A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 225A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A, Магутнасць - Макс: 454W,

Пажаданні
IKP04N60TXKSA1
Infineon Technologies

IKP04N60TXKSA1

частка акцыі: 80940

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 8A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 12A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 4A, Магутнасць - Макс: 42W,

Пажаданні
IKW25N120T2FKSA1
Infineon Technologies

IKW25N120T2FKSA1

частка акцыі: 3168

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 50A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 100A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A, Магутнасць - Макс: 349W,

Пажаданні
IXDP20N60BD1
IXYS

IXDP20N60BD1

частка акцыі: 16353

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 32A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 40A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 140W,

Пажаданні
IXYH24N90C3D1
IXYS

IXYH24N90C3D1

частка акцыі: 7698

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 900V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 44A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 105A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 24A, Магутнасць - Макс: 200W,

Пажаданні
IXBH5N160G
IXYS

IXBH5N160G

частка акцыі: 12996

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 5.7A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 7.2V @ 15V, 3A, Магутнасць - Макс: 68W,

Пажаданні
IXXX300N60B3
IXYS

IXXX300N60B3

частка акцыі: 2780

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 550A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 1140A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 100A, Магутнасць - Макс: 2300W,

Пажаданні
IXBH42N170A
IXYS

IXBH42N170A

частка акцыі: 3755

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1700V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 42A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 265A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 21A, Магутнасць - Макс: 357W,

Пажаданні
IXGK64N60B3D1
IXYS

IXGK64N60B3D1

частка акцыі: 6931

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 400A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 460W,

Пажаданні
IXBH20N300
IXYS

IXBH20N300

частка акцыі: 1970

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 3000V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 50A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 140A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 250W,

Пажаданні
IXYP15N65C3D1
IXYS

IXYP15N65C3D1

частка акцыі: 30334

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 38A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 80A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A, Магутнасць - Макс: 200W,

Пажаданні
IXGP30N60C3D4
IXYS

IXGP30N60C3D4

частка акцыі: 21976

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 60A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 150A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 220W,

Пажаданні
IXBT2N250
IXYS

IXBT2N250

частка акцыі: 4763

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 2500V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 5A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 13A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 2A, Магутнасць - Макс: 32W,

Пажаданні
IXGT6N170AHV
IXYS

IXGT6N170AHV

частка акцыі: 6987

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1700V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 6A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 14A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 7V @ 15V, 3A, Магутнасць - Макс: 75W,

Пажаданні
IXBH16N170A
IXYS

IXBH16N170A

частка акцыі: 5395

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1700V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 16A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 40A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 10A, Магутнасць - Макс: 150W,

Пажаданні
IXXX200N60B3
IXYS

IXXX200N60B3

частка акцыі: 173

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 380A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 900A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 100A, Магутнасць - Макс: 1630W,

Пажаданні
FGP3040G2-F085
ON Semiconductor

FGP3040G2-F085

частка акцыі: 2590

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 400V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 41A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A, Магутнасць - Макс: 150W,

Пажаданні
NGTB40N60L2WG
ON Semiconductor

NGTB40N60L2WG

частка акцыі: 15833

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 160A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.61V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 417W,

Пажаданні
NGTB15N120FLWG
ON Semiconductor

NGTB15N120FLWG

частка акцыі: 17142

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 30A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A, Магутнасць - Макс: 156W,

Пажаданні
NGTG15N120FL2WG
ON Semiconductor

NGTG15N120FL2WG

частка акцыі: 24869

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 30A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 60A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A, Магутнасць - Макс: 294W,

Пажаданні
HGTG12N60C3D
ON Semiconductor

HGTG12N60C3D

частка акцыі: 11041

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 24A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 96A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A, Магутнасць - Макс: 104W,

Пажаданні