Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Транзістары - IGBT - адзінкавыя

92-0235
Infineon Technologies

92-0235

частка акцыі: 6584

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 430V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 20A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.75V @ 5V, 14A, Магутнасць - Макс: 125W,

Пажаданні
92-0065
Infineon Technologies

92-0065

частка акцыі: 6576

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 60A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 31A, Магутнасць - Макс: 160W,

Пажаданні
AUIRGS30B60KTRL
Infineon Technologies

AUIRGS30B60KTRL

частка акцыі: 26291

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 78A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 370W,

Пажаданні
AUIRG4BC30USTRL
Infineon Technologies

AUIRG4BC30USTRL

частка акцыі: 36699

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 23A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 92A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A, Магутнасць - Макс: 100W,

Пажаданні
AUIRG4BC30SSTRL
Infineon Technologies

AUIRG4BC30SSTRL

частка акцыі: 36716

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 34A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 68A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 18A, Магутнасць - Макс: 100W,

Пажаданні
AUIRGS4062D1TRL
Infineon Technologies

AUIRGS4062D1TRL

частка акцыі: 18059

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 59A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 72A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.77V @ 15V, 24A, Магутнасць - Макс: 246W,

Пажаданні
AUIRGPS4070D0
Infineon Technologies

AUIRGPS4070D0

частка акцыі: 10054

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 240A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 360A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 120A, Магутнасць - Макс: 750W,

Пажаданні
AIKW50N65DH5XKSA1
Infineon Technologies

AIKW50N65DH5XKSA1

частка акцыі: 13988

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 150A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 270W,

Пажаданні
APT85GR120L
Microsemi Corporation

APT85GR120L

частка акцыі: 4352

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 170A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 340A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 85A, Магутнасць - Макс: 962W,

Пажаданні
APT64GA90B2D30
Microsemi Corporation

APT64GA90B2D30

частка акцыі: 5459

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 900V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 117A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 193A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 38A, Магутнасць - Макс: 500W,

Пажаданні
APT25GR120S
Microsemi Corporation

APT25GR120S

частка акцыі: 8706

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 100A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 25A, Магутнасць - Макс: 521W,

Пажаданні
APT35GP120B2DQ2G
Microsemi Corporation

APT35GP120B2DQ2G

частка акцыі: 3425

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 96A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 140A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 35A, Магутнасць - Макс: 543W,

Пажаданні
APT30GP60BG
Microsemi Corporation

APT30GP60BG

частка акцыі: 6877

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 100A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 463W,

Пажаданні
APT25GN120BG
Microsemi Corporation

APT25GN120BG

частка акцыі: 9003

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 67A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 75A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A, Магутнасць - Макс: 272W,

Пажаданні
APT50GR120B2
Microsemi Corporation

APT50GR120B2

частка акцыі: 6076

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 117A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 200A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 694W,

Пажаданні
APT50GT120B2RDLG
Microsemi Corporation

APT50GT120B2RDLG

частка акцыі: 3743

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 106A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 150A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 694W,

Пажаданні
APT80GA60B
Microsemi Corporation

APT80GA60B

частка акцыі: 6029

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 143A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 240A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 47A, Магутнасць - Макс: 625W,

Пажаданні
APT36GA60BD15
Microsemi Corporation

APT36GA60BD15

частка акцыі: 8494

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 65A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 109A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 290W,

Пажаданні
APT40GR120B2D30
Microsemi Corporation

APT40GR120B2D30

частка акцыі: 5976

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 88A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 160A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 500W,

Пажаданні
APT70GR120B2
Microsemi Corporation

APT70GR120B2

частка акцыі: 5872

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 160A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 280A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 70A, Магутнасць - Макс: 961W,

Пажаданні
APT70GR120L
Microsemi Corporation

APT70GR120L

частка акцыі: 5006

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 160A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 280A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 70A, Магутнасць - Макс: 961W,

Пажаданні
APT70GR65B
Microsemi Corporation

APT70GR65B

частка акцыі: 9503

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 134A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 260A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 70A, Магутнасць - Макс: 595W,

Пажаданні
APT40GR120S
Microsemi Corporation

APT40GR120S

частка акцыі: 6836

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 88A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 160A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 500W,

Пажаданні
APT50GN120B2G
Microsemi Corporation

APT50GN120B2G

частка акцыі: 6219

Тып IGBT: NPT, Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 134A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 150A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 543W,

Пажаданні
APT35GP120BG
Microsemi Corporation

APT35GP120BG

частка акцыі: 4037

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 96A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 140A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 35A, Магутнасць - Макс: 543W,

Пажаданні
APT50GR120L
Microsemi Corporation

APT50GR120L

частка акцыі: 7440

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 117A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 200A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 694W,

Пажаданні
APT25GP120BG
Microsemi Corporation

APT25GP120BG

частка акцыі: 6960

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 69A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 90A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 25A, Магутнасць - Макс: 417W,

Пажаданні
APT13GP120BG
Microsemi Corporation

APT13GP120BG

частка акцыі: 10841

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 41A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 50A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 13A, Магутнасць - Макс: 250W,

Пажаданні
APT68GA60B
Microsemi Corporation

APT68GA60B

частка акцыі: 7230

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 121A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 202A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 520W,

Пажаданні
APT35GN120L2DQ2G
Microsemi Corporation

APT35GN120L2DQ2G

частка акцыі: 5728

Тып IGBT: NPT, Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 94A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 105A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A, Магутнасць - Макс: 379W,

Пажаданні
APT15GT60BRG
Microsemi Corporation

APT15GT60BRG

частка акцыі: 17440

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 42A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 45A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A, Магутнасць - Макс: 184W,

Пажаданні
APT50GS60BRDLG
Microsemi Corporation

APT50GS60BRDLG

частка акцыі: 7256

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 93A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 195A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.15V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 415W,

Пажаданні
APT100GN60B2G
Microsemi Corporation

APT100GN60B2G

частка акцыі: 6392

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 229A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 300A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 100A, Магутнасць - Макс: 625W,

Пажаданні
APT30GT60BRG
Microsemi Corporation

APT30GT60BRG

частка акцыі: 10467

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 64A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 110A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 250W,

Пажаданні
AOK20B120E1
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOK20B120E1

частка акцыі: 20878

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 40A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 80A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 333W,

Пажаданні
AOK20B135D1
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOK20B135D1

частка акцыі: 18224

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1350V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 40A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 80A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 340W,

Пажаданні