Транзістары - FET, MOSFET - масівы | Дыскрэтныя паўправадніковыя вырабы | 100

AO6808

частка акцыі: 128425

Тып FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 4.6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1V @ 250µA,

Пажаданні

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6810

частка акцыі: 195

Тып FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 25A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.2V @ 250µA,

Пажаданні

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOC2870

частка акцыі: 192

Тып FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Функцыя FET: Standard, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.3V @ 250µA,

Пажаданні

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOE6932

частка акцыі: 253

Тып FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 55A (Tc), 85A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V, 1.4 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.2V @ 250µA, 1.9V @ 250µA,

Пажаданні

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6906A

частка акцыі: 141209

Тып FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 9.1A, 10A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4 mOhm @ 9.1A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.4V @ 250µA,

Пажаданні

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6992

частка акцыі: 167444

Тып FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 19A, 31A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.2V @ 250µA,

Пажаданні

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO7800

частка акцыі: 101225

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 900mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 900mA, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 900mV @ 250µA,

Пажаданні

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6934A

частка акцыі: 192175

Тып FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 22A, 30A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.2V @ 250µA,

Пажаданні

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON5816

частка акцыі: 242

Тып FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 12A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 12A, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.3V @ 250µA,

Пажаданні

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON3820

частка акцыі: 237

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 24V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9 mOhm @ 8A, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.3V @ 250µA,

Пажаданні

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6926

частка акцыі: 176157

Тып FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 11A, 12A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.5V @ 250µA,

Пажаданні

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4616

частка акцыі: 137081

Тып FET: N and P-Channel, Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 8A, 7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.4V @ 250µA,

Пажаданні

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOSD62666E

частка акцыі: 234

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 9.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5 mOhm @ 9.5A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.2V @ 250µA,

Пажаданні

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4892

частка акцыі: 184805

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 100V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.8V @ 250µA,

Пажаданні

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4832

частка акцыі: 146127

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 10A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.5V @ 250µA,

Пажаданні

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD607A

частка акцыі: 189762

Тып FET: N and P-Channel Complementary, Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 8A (Tc), 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 8A, 10V, 27 mOhm @ 12A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.6V @ 250µA, 2.4V @ 250µA,

Пажаданні

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO9926C

частка акцыі: 121665

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 7.6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 7.6A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.1V @ 250µA,

Пажаданні

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4854

частка акцыі: 178118

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.4V @ 250µA,

Пажаданні

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOE6930

частка акцыі: 215

Тып FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 22A (Tc), 85A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 20A, 10V, 0.83 mOhm @ 30A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.1V @ 250µA, 1.9V @ 250µA,

Пажаданні

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO6608

частка акцыі: 153844

Тып FET: N and P-Channel Complementary, Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 3.4A (Ta), 3.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 3.4A, 10V, 75 mOhm @ 3.3A, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.5V @ 250µA, 1V @ 250µA,

Пажаданні

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6994

частка акцыі: 185070

Тып FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 19A, 26A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.2V @ 250µA,

Пажаданні

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6912A

частка акцыі: 191296

Тып FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 10A, 13.8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.7 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.5V @ 250µA,

Пажаданні

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO8808A

частка акцыі: 192801

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1V @ 250µA,

Пажаданні

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON2810

частка акцыі: 115713

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.4V @ 250µA,

Пажаданні

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO6802

частка акцыі: 113666

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 3.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.5V @ 250µA,

Пажаданні

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON5820

частка акцыі: 177428

Тып FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 10A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 10A, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1V @ 250µA,

Пажаданні

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6934

частка акцыі: 185097

Тып FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 22A, 30A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.2V @ 250µA,

Пажаданні

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4884

частка акцыі: 124312

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 40V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 10A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.7V @ 250µA,

Пажаданні

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO9926B

частка акцыі: 120793

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 7.6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 7.6A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.1V @ 250µA,

Пажаданні

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO6601

частка акцыі: 110328

Тып FET: N and P-Channel Complementary, Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 3.4A, 2.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.5V @ 250µA,

Пажаданні

Advanced Linear Devices Inc.

ALD212900APAL

частка акцыі: 19683

Тып FET: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 10.6V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 80mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 Ohm, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 10mV @ 20µA,

Пажаданні

Advanced Linear Devices Inc.

ALD110800PCL

частка акцыі: 22645

Тып FET: 4 N-Channel, Matched Pair, Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 10.6V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 4V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 20mV @ 1µA,

Пажаданні

Advanced Linear Devices Inc.

ALD110800ASCL

частка акцыі: 15215

Тып FET: 4 N-Channel, Matched Pair, Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 10.6V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 4V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 10mV @ 1µA,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APTM100H45SCTG

частка акцыі: 480

Тып FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 1000V (1kV), Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 18A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 5V @ 2.5mA,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APTM100A13SCG

частка акцыі: 292

Тып FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 1000V (1kV), Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 65A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156 mOhm @ 32.5A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 5V @ 6mA,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APTM50AM24SCG

частка акцыі: 372

Тып FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Функцыя FET: Silicon Carbide (SiC), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 500V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 150A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 75A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 5V @ 6mA,

Пажаданні