Транзістары - FET, MOSFET - масівы

Microsemi Corporation

APTM10AM02FG

частка акцыі: 400

Тып FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 100V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 495A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 200A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 4V @ 10mA,

Пажаданні

APTM10DSKM09T3G

Microsemi Corporation

APTM10DSKM09T3G

частка акцыі: 1457

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 100V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 139A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 69.5A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 4V @ 2.5mA,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APTC60BBM24T3G

частка акцыі: 1133

Тып FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 600V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 95A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 3.9V @ 5mA,

Пажаданні

APTML602U12R020T3AG

Microsemi Corporation

APTML602U12R020T3AG

частка акцыі: 485

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 600V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 45A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 22.5A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 4V @ 2.5mA,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APTC60HM70BT3G

частка акцыі: 1289

Тып FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 600V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 39A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 3.9V @ 2.7mA,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APTM20HM16FTG

частка акцыі: 748

Тып FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 200V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 104A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 52A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 5V @ 2.5mA,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APTM20AM10FTG

частка акцыі: 856

Тып FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 200V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 175A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 87.5A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 5V @ 5mA,

Пажаданні

APTMC120AM09CT3AG

Microsemi Corporation

APTMC120AM09CT3AG

частка акцыі: 162

Тып FET: 2 N Channel (Phase Leg), Функцыя FET: Silicon Carbide (SiC), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 1200V (1.2kV), Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 295A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 200A, 20V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.4V @ 40mA (Typ),

Пажаданні

APTC60DDAM70T1G

Microsemi Corporation

APTC60DDAM70T1G

частка акцыі: 2258

Тып FET: 2 N Channel (Dual Buck Chopper), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 600V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 39A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 3.9V @ 2.7mA,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APTC60AM45BC1G

частка акцыі: 1478

Тып FET: 3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 600V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 49A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 3.9V @ 3mA,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APTM10TAM09FPG

частка акцыі: 558

Тып FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 100V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 139A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 69.5A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 4V @ 2.5mA,

Пажаданні

APTM100DSK35T3G

Microsemi Corporation

APTM100DSK35T3G

частка акцыі: 1267

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 1000V (1kV), Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 22A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 5V @ 2.5mA,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APTC60AM45B1G

частка акцыі: 1093

Тып FET: 3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 600V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 49A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 3.9V @ 3mA,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APTM100H46FT3G

частка акцыі: 1492

Тып FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 1000V (1kV), Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 19A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 552 mOhm @ 16A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 5V @ 2.5mA,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APTM50HM75FTG

частка акцыі: 809

Тып FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 500V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 46A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 23A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 5V @ 2.5mA,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APTC60HM24T3G

частка акцыі: 757

Тып FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Функцыя FET: Super Junction, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 600V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 95A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 3.9V @ 5mA,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APTM100AM90FG

частка акцыі: 379

Тып FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 1000V (1kV), Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 78A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 5V @ 10mA,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APTM20DUM05G

частка акцыі: 536

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 200V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 317A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 158.5A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 5V @ 10mA,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APTM100H35FTG

частка акцыі: 731

Тып FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 1000V (1kV), Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 22A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 5V @ 2.5mA,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APTM50AM35FTG

частка акцыі: 766

Тып FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 500V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 99A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 49.5A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 5V @ 5mA,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APTM50HM65FTG

частка акцыі: 767

Тып FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 500V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 51A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 25.5A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 5V @ 2.5mA,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APTM100TA35FPG

частка акцыі: 533

Тып FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 1000V (1kV), Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 22A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 5V @ 2.5mA,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APTC60HM70T1G

частка акцыі: 1743

Тып FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 600V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 39A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 3.9V @ 2.7mA,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APTM50HM35FG

частка акцыі: 448

Тып FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 500V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 99A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 49.5A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 5V @ 5mA,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APTM60A11FT1G

частка акцыі: 2026

Тып FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 600V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 40A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 132 mOhm @ 33A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 5V @ 2.5mA,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APTC60DHM24T3G

частка акцыі: 1204

Тып FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Функцыя FET: Super Junction, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 600V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 95A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 3.9V @ 5mA,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APTC60AM24SCTG

частка акцыі: 712

Тып FET: 2 N Channel (Phase Leg), Функцыя FET: Super Junction, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 600V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 95A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 3.9V @ 5mA,

Пажаданні

APTMC120HM17CT3AG

Microsemi Corporation

APTMC120HM17CT3AG

частка акцыі: 306

Тып FET: 4 N-Channel, Функцыя FET: Silicon Carbide (SiC), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 1200V (1.2kV), Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 147A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 100A, 20V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 4V @ 30mA,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APTM50DDA10T3G

частка акцыі: 1671

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 500V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 37A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 18.5A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 5V @ 1mA,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APTM50HM38FG

частка акцыі: 461

Тып FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 500V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 90A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 45A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 5V @ 5mA,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APTM120A15FG

частка акцыі: 396

Тып FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 1200V (1.2kV), Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 60A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175 mOhm @ 30A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 5V @ 10mA,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APTC80TDU15PG

частка акцыі: 936

Тып FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 800V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 28A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 14A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 3.9V @ 2mA,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APTM50AM17FG

частка акцыі: 423

Тып FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 500V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 180A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 90A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 5V @ 10mA,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APTM10DUM02G

частка акцыі: 488

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 100V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 495A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 200A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 4V @ 10mA,

Пажаданні

APTMC170AM60CT1AG

Microsemi Corporation

APTMC170AM60CT1AG

частка акцыі: 196

Тып FET: 2 N Channel (Phase Leg), Функцыя FET: Silicon Carbide (SiC), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 1700V (1.7kV), Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 50A, 20V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.3V @ 2.5mA (Typ),

Пажаданні

APTC60VDAM45T1G

Microsemi Corporation

APTC60VDAM45T1G

частка акцыі: 1797

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Super Junction, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 600V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 49A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 3.9V @ 3mA,

Пажаданні

3600

«
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
»