Транзістары - FET, MOSFET - масівы | Дыскрэтныя паўправадніковыя вырабы | 100

ALD110908PAL

частка акцыі: 31426

Тып FET: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 10.6V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 12mA, 3mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 4.8V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 820mV @ 1µA,

Пажаданні

Advanced Linear Devices Inc.

ALD110900SAL

частка акцыі: 21983

Тып FET: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 10.6V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 4V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 20mV @ 1µA,

Пажаданні

Advanced Linear Devices Inc.

ALD1102ASAL

частка акцыі: 12301

Тып FET: 2 P-Channel (Dual) Matched Pair, Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 10.6V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 Ohm @ 5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.2V @ 10µA,

Пажаданні

Advanced Linear Devices Inc.

ALD310702APCL

частка акцыі: 13531

Тып FET: 4 P-Channel, Matched Pair, Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 8V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 180mV @ 1µA,

Пажаданні

Advanced Linear Devices Inc.

ALD210804PCL

частка акцыі: 24505

Тып FET: 4 N-Channel, Matched Pair, Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 10.6V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 80mA, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 20mV @ 10µA,

Пажаданні

Advanced Linear Devices Inc.

ALD1102BSAL

частка акцыі: 18978

Тып FET: 2 P-Channel (Dual) Matched Pair, Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 10.6V,

Пажаданні

Advanced Linear Devices Inc.

ALD310702ASCL

частка акцыі: 13769

Тып FET: 4 P-Channel, Matched Pair, Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 8V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 180mV @ 1µA,

Пажаданні

Advanced Linear Devices Inc.

ALD210802SCL

частка акцыі: 24458

Тып FET: 4 N-Channel, Matched Pair, Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 10.6V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 80mA, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 20mV @ 10µA,

Пажаданні

Advanced Linear Devices Inc.

ALD114913SAL

частка акцыі: 21986

Тып FET: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, Функцыя FET: Depletion Mode, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 10.6V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 12mA, 3mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 2.7V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.26V @ 1µA,

Пажаданні

Advanced Linear Devices Inc.

ALD1108EPCL

частка акцыі: 21736

Тып FET: 4 N-Channel, Matched Pair, Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.01V @ 1µA,

Пажаданні

Advanced Linear Devices Inc.

ALD310704SCL

частка акцыі: 17106

Тып FET: 4 P-Channel, Matched Pair, Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 8V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 380mV @ 1µA,

Пажаданні

Advanced Linear Devices Inc.

ALD114804ASCL

частка акцыі: 18441

Тып FET: 4 N-Channel, Matched Pair, Функцыя FET: Depletion Mode, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 10.6V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 12mA, 3mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 3.6V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 380mV @ 1µA,

Пажаданні

Advanced Linear Devices Inc.

ALD110808PCL

частка акцыі: 26016

Тып FET: 4 N-Channel, Matched Pair, Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 10.6V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 12mA, 3mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 4.8V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 820mV @ 1µA,

Пажаданні

Advanced Linear Devices Inc.

ALD1110ESAL

частка акцыі: 20569

Тып FET: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.01V @ 1µA,

Пажаданні

Advanced Linear Devices Inc.

ALD212914PAL

частка акцыі: 25540

Тып FET: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 10.6V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 80mA, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 20mV @ 10µA,

Пажаданні

Advanced Linear Devices Inc.

ALD310700ASCL

частка акцыі: 13763

Тып FET: 4 P-Channel, Matched Pair, Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 8V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 20mV @ 1µA,

Пажаданні

Advanced Linear Devices Inc.

ALD114913PAL

частка акцыі: 27278

Тып FET: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, Функцыя FET: Depletion Mode, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 10.6V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 12mA, 3mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 2.7V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.26V @ 1µA,

Пажаданні

Advanced Linear Devices Inc.

ALD110908APAL

частка акцыі: 25518

Тып FET: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 10.6V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 12mA, 3mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 4.8V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 810mV @ 1µA,

Пажаданні

Advanced Linear Devices Inc.

ALD110808ASCL

частка акцыі: 18900

Тып FET: 4 N-Channel, Matched Pair, Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 10.6V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 12mA, 3mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 4.8V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 810mV @ 1µA,

Пажаданні

Advanced Linear Devices Inc.

ALD110804SCL

частка акцыі: 19158

Тып FET: 4 N-Channel, Matched Pair, Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 10.6V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 12mA, 3mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 4.4V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 420mV @ 1µA,

Пажаданні

Advanced Linear Devices Inc.

ALD210814PCL

частка акцыі: 24429

Тып FET: 4 N-Channel, Matched Pair, Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 10.6V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 80mA, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 20mV @ 10µA,

Пажаданні

Advanced Linear Devices Inc.

ALD114904APAL

частка акцыі: 24412

Тып FET: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, Функцыя FET: Depletion Mode, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 10.6V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 12mA, 3mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 3.6V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 380mV @ 1µA,

Пажаданні

Advanced Linear Devices Inc.

ALD310708APCL

частка акцыі: 13520

Тып FET: 4 P-Channel, Matched Pair, Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 8V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 780mV @ 1µA,

Пажаданні

Advanced Linear Devices Inc.

ALD110814PCL

частка акцыі: 24870

Тып FET: 4 N-Channel, Matched Pair, Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 10.6V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 12mA, 3mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 5.4V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.42V @ 1µA,

Пажаданні

Advanced Linear Devices Inc.

ALD1115SAL

частка акцыі: 34315

Тып FET: N and P-Channel Complementary, Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 10.6V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1800 Ohm @ 5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1V @ 1µA,

Пажаданні

Advanced Linear Devices Inc.

ALD110800SCL

частка акцыі: 28251

Тып FET: 4 N-Channel, Matched Pair, Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 10.6V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 4V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 20mV @ 1µA,

Пажаданні

Advanced Linear Devices Inc.

ALD110914PAL

частка акцыі: 31443

Тып FET: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 10.6V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 12mA, 3mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 5.4V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.42V @ 1µA,

Пажаданні

Advanced Linear Devices Inc.

ALD310702SCL

частка акцыі: 17093

Тып FET: 4 P-Channel, Matched Pair, Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 8V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 180mV @ 1µA,

Пажаданні

Advanced Linear Devices Inc.

ALD114935PAL

частка акцыі: 27703

Тып FET: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, Функцыя FET: Depletion Mode, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 10.6V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 12mA, 3mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540 Ohm @ 0V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 3.45V @ 1µA,

Пажаданні

Advanced Linear Devices Inc.

ALD110908SAL

частка акцыі: 31474

Тып FET: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 10.6V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 12mA, 3mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 4.8V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 820mV @ 1µA,

Пажаданні

Advanced Linear Devices Inc.

ALD212908APAL

частка акцыі: 23468

Тып FET: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 10.6V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 80mA, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 20mV @ 10µA,

Пажаданні

Advanced Linear Devices Inc.

ALD310708ASCL

частка акцыі: 13761

Тып FET: 4 P-Channel, Matched Pair, Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 8V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 780mV @ 1µA,

Пажаданні

Advanced Linear Devices Inc.

ALD310704PCL

частка акцыі: 15955

Тып FET: 4 P-Channel, Matched Pair, Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 8V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 380mV @ 1µA,

Пажаданні

Advanced Linear Devices Inc.

ALD212908PAL

частка акцыі: 29354

Тып FET: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 10.6V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 80mA, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 20mV @ 10µA,

Пажаданні

Advanced Linear Devices Inc.

ALD110802PCL

частка акцыі: 19193

Тып FET: 4 N-Channel, Matched Pair, Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 10.6V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 4.2V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 220mV @ 1µA,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APTM100H45STG

частка акцыі: 605

Тып FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 1000V (1kV), Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 18A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 5V @ 2.5mA,

Пажаданні