Тырыстары - SCR

Дом
Тырыстары - SCR

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST180C18C0

частка акцыі: 711

Напружанне - выключанае: 1.8kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 150mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.96V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 350A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 660A,

Ліст з жаданняў

VS-ST333C04CFL0

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST333C04CFL0

частка акцыі: 847

Напружанне - выключанае: 400V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.96V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 720A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 1435A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25RIA60

частка акцыі: 5109

Напружанне - выключанае: 600V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 60mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.7V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 25A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 40A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50RIA120M

частка акцыі: 2667

Напружанне - выключанае: 1.2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 100mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.6V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 50A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 80A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330C12C0L

частка акцыі: 804

Напружанне - выключанае: 1.2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.96V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 720A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 1420A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12TTS08-M3

частка акцыі: 42474

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 15mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.2V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 8A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 12.5A,

Ліст з жаданняў

VS-ST083S08PFM0P

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST083S08PFM0P

частка акцыі: 929

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 2.15V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 85A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 135A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330S16M1L

частка акцыі: 432

Напружанне - выключанае: 1.6kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.52V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 330A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 520A,

Ліст з жаданняў

VS-16TTS08STRL-M3

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16TTS08STRL-M3

частка акцыі: 58873

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 60mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.4V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 10A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 16A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1280C04K0

частка акцыі: 407

Напружанне - выключанае: 400V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.44V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 2310A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 4150A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230C08C0L

частка акцыі: 1219

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 150mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.69V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 410A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 780A,

Ліст з жаданняў

VS-ST303S12PFK0

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303S12PFK0

частка акцыі: 336

Напружанне - выключанае: 1.2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 2.16V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 300A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 471A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST300C12L0

частка акцыі: 642

Напружанне - выключанае: 1.2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 2.18V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 560A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 1115A,

Ліст з жаданняў

VS-ST083S04PFN1

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST083S04PFN1

частка акцыі: 926

Напружанне - выключанае: 400V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 2.15V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 85A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 135A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST180S04P1V

частка акцыі: 829

Напружанне - выключанае: 400V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 150mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.75V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 200A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 314A,

Ліст з жаданняў

VS-ST303S12PFK1

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303S12PFK1

частка акцыі: 329

Напружанне - выключанае: 1.2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 2.16V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 300A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 471A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1200C14K0

частка акцыі: 318

Напружанне - выключанае: 1.4kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.73V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 1650A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 3080A,

Ліст з жаданняў

VS-ST1230C12K0L

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1230C12K0L

частка акцыі: 233

Напружанне - выключанае: 1.2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.62V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 1745A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 3200A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-80RIA80PBF

частка акцыі: 2343

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 120mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.6V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 80A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 125A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230C08C1

частка акцыі: 1403

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 150mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.69V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 410A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 780A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-22RIA120

частка акцыі: 3619

Напружанне - выключанае: 1.2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 60mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.7V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 22A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 35A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST730C18L0

частка акцыі: 506

Напружанне - выключанае: 1.8kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.62V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 990A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 2000A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50RIA10

частка акцыі: 6606

Напружанне - выключанае: 100V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 100mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.6V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 50A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 80A,

Ліст з жаданняў

VS-25TTS12STRR-M3

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25TTS12STRR-M3

частка акцыі: 60224

Напружанне - выключанае: 1.2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 45mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.25V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 16A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 25A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40TPS08A-M3

частка акцыі: 12948

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 150mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.85V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 35A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 55A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST780C04L0

частка акцыі: 634

Напружанне - выключанае: 400V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.31V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 1350A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 2700A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230C14C1

частка акцыі: 1122

Напружанне - выключанае: 1.4kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 150mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.69V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 410A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 780A,

Ліст з жаданняў

VS-ST1200C16K0P

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1200C16K0P

частка акцыі: 375

Напружанне - выключанае: 1.6kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.73V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 1650A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 3080A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330S08P1

частка акцыі: 467

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.52V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 330A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 520A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST300C16L0

частка акцыі: 570

Напружанне - выключанае: 1.6kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 2.18V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 560A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 1115A,

Ліст з жаданняў

VS-ST303S04PFN0

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303S04PFN0

частка акцыі: 486

Напружанне - выключанае: 400V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 2.16V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 300A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 471A,

Ліст з жаданняў

VS-ST230S08P1VPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230S08P1VPBF

частка акцыі: 1014

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 150mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.55V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 230A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 360A,

Ліст з жаданняў

VS-ST183C04CFN1

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST183C04CFN1

частка акцыі: 1066

Напружанне - выключанае: 400V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.8V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 370A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 690A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST300C20L0

частка акцыі: 509

Напружанне - выключанае: 2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 2.18V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 560A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 1115A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330C04C1

частка акцыі: 1010

Напружанне - выключанае: 400V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.96V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 720A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 1420A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-22RIA20

частка акцыі: 7817

Напружанне - выключанае: 200V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 60mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.7V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 22A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 35A,

Ліст з жаданняў

742

«
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
»