Тырыстары - SCR | Дыскрэтныя паўправадніковыя вырабы | 21

VS-25TTS08STRL-M3

частка акцыі: 60563

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 45mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.25V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 16A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 25A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST333C08CFL0

частка акцыі: 783

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.96V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 720A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 1435A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25TTS12-M3

частка акцыі: 30781

Напружанне - выключанае: 1.2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 45mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.25V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 16A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 25A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST730C12L1

частка акцыі: 575

Напружанне - выключанае: 1.2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.62V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 990A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 2000A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST180C04C0

частка акцыі: 1588

Напружанне - выключанае: 400V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 150mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.96V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 350A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 660A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30TPS16-M3

частка акцыі: 16019

Напружанне - выключанае: 1.6kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 45mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.3V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 20A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 30A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST700C18L0

частка акцыі: 564

Напружанне - выключанае: 1.8kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.8V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 910A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 1857A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST730C14L0L

частка акцыі: 610

Напружанне - выключанае: 1.4kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.62V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 990A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 2000A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST103S08PFN1P

частка акцыі: 1051

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.73V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 105A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 165A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16RIA100

частка акцыі: 5219

Напружанне - выключанае: 1kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 60mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.75V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 16A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 35A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1200C16K1

частка акцыі: 285

Напружанне - выключанае: 1.6kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.73V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 1650A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 3080A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1000C16K1

частка акцыі: 339

Напружанне - выключанае: 1.6kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.8V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 1473A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 2913A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST730C16L0

частка акцыі: 622

Напружанне - выключанае: 1.6kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.62V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 990A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 2000A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-80RIA40

частка акцыі: 2180

Напружанне - выключанае: 400V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 120mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.6V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 80A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 125A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST300C14C0L

частка акцыі: 754

Напружанне - выключанае: 1.4kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 2.18V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 650A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 1290A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16TTS08FP-M3

частка акцыі: 27770

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 60mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.4V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 10A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 16A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330C08L1

частка акцыі: 638

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.96V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 720A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 1420A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16TTS12STRL-M3

частка акцыі: 59516

Напружанне - выключанае: 1.2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 60mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.4V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 10A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 16A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330C16C0L

частка акцыі: 754

Напружанне - выключанае: 1.6kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.96V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 720A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 1420A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-111RKI120

частка акцыі: 1575

Напружанне - выключанае: 1.2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 120mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.57V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 110A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 172A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230S12P1VPBF

частка акцыі: 768

Напружанне - выключанае: 1.2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 150mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.55V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 230A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 360A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST333C08LFL0

частка акцыі: 481

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.96V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 720A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 1435A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST173C12CFK0L

частка акцыі: 1030

Напружанне - выключанае: 1.2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 2.07V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 330A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 610A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303S08PFL1P

частка акцыі: 398

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 2.16V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 300A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 471A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30TPS16LHM3

частка акцыі: 2702

Напружанне - выключанае: 1.6kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 45mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.3V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 20A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 30A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST730C16L1L

частка акцыі: 586

Напружанне - выключанае: 1.6kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.62V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 990A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 2000A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST180C12C0L

частка акцыі: 1205

Напружанне - выключанае: 1.2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 150mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.96V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 350A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 660A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST300C18L1

частка акцыі: 560

Напружанне - выключанае: 1.8kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 2.18V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 650A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 1290A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25RIA100M

частка акцыі: 4609

Напружанне - выключанае: 1kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 60mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.7V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 25A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 40A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25TTS16S-M3

частка акцыі: 63639

Напружанне - выключанае: 1.6kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 45mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.25V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 16A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 25A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330S16M1PBF

частка акцыі: 419

Напружанне - выключанае: 1.6kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.52V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 330A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 520A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330C08C0

частка акцыі: 927

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.96V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 720A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 1420A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST083S08PFN2P

частка акцыі: 948

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 2.15V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 85A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 135A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST650C22L1

частка акцыі: 523

Напружанне - выключанае: 2.2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 2.07V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 790A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 1557A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303C08CFK1

частка акцыі: 829

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 2.16V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 620A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 1180A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST650C24L0

частка акцыі: 500

Напружанне - выключанае: 2.4kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 2.07V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 790A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 1557A,

Ліст з жаданняў