Тырыстары - SCR | Дыскрэтныя паўправадніковыя вырабы | 21

12TTS08STRR

частка акцыі: 4797

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 15mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.2V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 8A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 12.5A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

10TTS08STRL

частка акцыі: 7584

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 15mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.15V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 6.5A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 10A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

10TTS08STRR

частка акцыі: 7614

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 15mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.15V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 6.5A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 10A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

12TTS08

частка акцыі: 7644

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 15mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.2V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 8A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 12.5A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

12TTS08S

частка акцыі: 4813

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 15mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.2V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 8A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 12.5A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

10TTS08S

частка акцыі: 7583

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 15mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.15V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 6.5A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 10A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

10TTS08

частка акцыі: 7620

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 15mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.15V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 6.5A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 10A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

16TTS12STRR

частка акцыі: 7665

Напружанне - выключанае: 1.2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 60mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.4V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 10A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 16A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

16TTS12STRL

частка акцыі: 7597

Напружанне - выключанае: 1.2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 60mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.4V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 10A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 16A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

16TTS08STRR

частка акцыі: 7581

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 60mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.4V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 10A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 16A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

112RKI80

частка акцыі: 7616

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 120mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.57V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 110A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 172A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

16TTS08STRL

частка акцыі: 7605

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 60mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.4V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 10A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 16A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

112RKI40

частка акцыі: 7639

Напружанне - выключанае: 400V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 120mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.57V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 110A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 172A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

16TTS12FP

частка акцыі: 7603

Напружанне - выключанае: 1.2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 60mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.4V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 10A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 16A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

16TTS08FP

частка акцыі: 7640

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 60mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.4V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 10A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 16A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

16TTS12S

частка акцыі: 7612

Напружанне - выключанае: 1.2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 60mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.4V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 10A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 16A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

16TTS12

частка акцыі: 7561

Напружанне - выключанае: 1.2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 60mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.4V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 10A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 16A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

16TTS08S

частка акцыі: 7567

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 60mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.4V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 10A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 16A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

16TTS08

частка акцыі: 7649

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 60mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.4V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 10A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 16A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

12TTS08STRL

частка акцыі: 7552

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 15mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.2V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 8A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 12.5A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

2N5204

частка акцыі: 6353

Напружанне - выключанае: 600V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 40mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 2.3V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 22A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 35A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

25TTS12STRR

частка акцыі: 7636

Напружанне - выключанае: 1.2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 45mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.25V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 16A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 25A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

25TTS12STRL

частка акцыі: 7571

Напружанне - выключанае: 1.2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 45mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.25V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 16A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 25A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

25TTS08STRR

частка акцыі: 7576

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 45mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.25V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 16A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 25A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

25TTS12FP

частка акцыі: 7581

Напружанне - выключанае: 1.2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 45mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.25V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 16A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 25A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

25TTS12S

частка акцыі: 7613

Напружанне - выключанае: 1.2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 45mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.25V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 16A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 25A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

25TTS08STRL

частка акцыі: 7660

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 45mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.25V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 16A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 25A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

25TTS12

частка акцыі: 7607

Напружанне - выключанае: 1.2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 45mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.25V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 16A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 25A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

25TTS08FP

частка акцыі: 7638

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 45mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.25V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 16A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 25A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

25TTS08S

частка акцыі: 7653

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 45mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.25V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 16A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 25A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

25TTS08

частка акцыі: 7614

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 45mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.25V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 16A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 25A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

30TPS12

частка акцыі: 7665

Напружанне - выключанае: 1.2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 45mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.3V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 20A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 30A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

30TPS08

частка акцыі: 4828

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 45mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.3V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 20A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 30A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

40TPS08A

частка акцыі: 4854

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 150mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.85V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 35A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 55A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

40TPS12A

частка акцыі: 4839

Напружанне - выключанае: 1.2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 150mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.85V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 35A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 55A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

40TPS08

частка акцыі: 7657

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 150mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.85V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 35A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 55A,

Ліст з жаданняў