Тырыстары - SCR

Дом
Тырыстары - SCR

VS-ST1200C16K3P

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1200C16K3P

частка акцыі: 239

Напружанне - выключанае: 1.6kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.73V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 1650A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 3080A,

Ліст з жаданняў

VS-ST110S14P0PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST110S14P0PBF

частка акцыі: 1122

Напружанне - выключанае: 1.4kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 150mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.52V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 110A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 175A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-111RKI40PBF

частка акцыі: 2105

Напружанне - выключанае: 400V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 120mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.57V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 110A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 172A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1000C20K1

частка акцыі: 301

Напружанне - выключанае: 2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.8V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 1473A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 2913A,

Ліст з жаданняў

VS-ST230S04P1VPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230S04P1VPBF

частка акцыі: 1121

Напружанне - выключанае: 400V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 150mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.55V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 230A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 360A,

Ліст з жаданняў

VS-ST223C04CFN0

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST223C04CFN0

частка акцыі: 1134

Напружанне - выключанае: 400V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.58V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 390A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 745A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-81RIA40

частка акцыі: 2128

Напружанне - выключанае: 400V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 120mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.6V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 80A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 125A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST300C08L0

частка акцыі: 671

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 2.18V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 560A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 1115A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50RIA100M

частка акцыі: 2663

Напружанне - выключанае: 1kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 100mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.6V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 50A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 80A,

Ліст з жаданняў

VS-ST083S10PFK2P

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST083S10PFK2P

частка акцыі: 1018

Напружанне - выключанае: 1kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 2.15V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 85A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 135A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST780C06L1

частка акцыі: 556

Напружанне - выключанае: 600V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.31V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 1350A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 2700A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-110RKI80

частка акцыі: 1589

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 120mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.57V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 110A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 172A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST280CH04C0

частка акцыі: 1110

Напружанне - выключанае: 400V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 150mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.35V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 500A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 1130A,

Ліст з жаданняў

VS-ST333C04LFM1

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST333C04LFM1

частка акцыі: 504

Напружанне - выключанае: 400V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.96V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 720A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 1435A,

Ліст з жаданняў

VS-ST303C12LFH0

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303C12LFH0

частка акцыі: 421

Напружанне - выключанае: 1.2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 2.16V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 620A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 1180A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1000C22K0

частка акцыі: 391

Напружанне - выключанае: 2.2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.8V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 1473A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 2913A,

Ліст з жаданняў

VS-ST733C08LFM0L

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST733C08LFM0L

частка акцыі: 517

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.63V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 940A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 1900A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230S04P0V

частка акцыі: 828

Напружанне - выключанае: 400V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 150mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.55V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 230A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 360A,

Ліст з жаданняў

VS-110RKI120MPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-110RKI120MPBF

частка акцыі: 809

Напружанне - выключанае: 1.2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 120mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.57V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 110A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 172A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230C20C1

частка акцыі: 981

Напружанне - выключанае: 2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 150mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.69V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 410A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 780A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST730C18L1L

частка акцыі: 547

Напружанне - выключанае: 1.8kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.62V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 990A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 2000A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST380C04C1

частка акцыі: 849

Напружанне - выключанае: 400V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.6V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 960A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 1900A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25RIA40

частка акцыі: 7234

Напружанне - выключанае: 400V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 60mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.7V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 25A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 40A,

Ліст з жаданняў

VS-ST1000C22K1L

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1000C22K1L

частка акцыі: 311

Напружанне - выключанае: 2.2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.8V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 1473A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 2913A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST700C12L0L

частка акцыі: 635

Напружанне - выключанае: 1.2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.8V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 910A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 1857A,

Ліст з жаданняў

VS-ST303C08LFN0

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303C08LFN0

частка акцыі: 433

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 2.16V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 515A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 995A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16RIA60

частка акцыі: 5758

Напружанне - выключанае: 600V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 60mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.75V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 16A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 35A,

Ліст з жаданняў

VS-ST083S04PFN1P

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST083S04PFN1P

частка акцыі: 1092

Напружанне - выключанае: 400V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 2.15V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 85A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 135A,

Ліст з жаданняў

VS-ST380CH04C0L

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST380CH04C0L

частка акцыі: 755

Напружанне - выключанае: 400V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.58V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 960A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 2220A,

Ліст з жаданняў

VS-ST083S08PFN1P

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST083S08PFN1P

частка акцыі: 935

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 2.15V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 85A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 135A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230C04C0

частка акцыі: 1564

Напружанне - выключанае: 400V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 150mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.69V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 410A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 780A,

Ліст з жаданняў

VS-ST223C04CFN1

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST223C04CFN1

частка акцыі: 1059

Напружанне - выключанае: 400V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.58V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 390A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 745A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST300C04C0

частка акцыі: 1061

Напружанне - выключанае: 400V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 2.18V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 650A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 1290A,

Ліст з жаданняў

VS-ST333S04PFM0

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST333S04PFM0

частка акцыі: 402

Напружанне - выключанае: 400V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.96V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 330A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 518A,

Ліст з жаданняў

VS-ST083S10PFK0

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST083S10PFK0

частка акцыі: 749

Напружанне - выключанае: 1kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 2.15V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 85A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 135A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST700C08L0

частка акцыі: 460

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.8V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 910A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 1857A,

Ліст з жаданняў

742

«
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
»