Тырыстары - SCR

Дом
Тырыстары - SCR

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST180C20C1

частка акцыі: 670

Напружанне - выключанае: 2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 150mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.96V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 350A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 660A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230C14C0

частка акцыі: 1095

Напружанне - выключанае: 1.4kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 150mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.69V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 410A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 780A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330C14C1L

частка акцыі: 761

Напружанне - выключанае: 1.4kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.96V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 720A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 1420A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST700C20L0L

частка акцыі: 591

Напружанне - выключанае: 2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.8V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 910A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 1857A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50RIA40M

частка акцыі: 2684

Напружанне - выключанае: 400V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 100mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.6V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 50A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 80A,

Ліст з жаданняў

VS-25TTS16SLHM3

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25TTS16SLHM3

частка акцыі: 114

Напружанне - выключанае: 1.6kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 45mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.25V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 16A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 25A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST700C20L0

частка акцыі: 527

Напружанне - выключанае: 2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.8V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 910A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 1857A,

Ліст з жаданняў

VS-111RKI120PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-111RKI120PBF

частка акцыі: 1652

Напружанне - выключанае: 1.2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 120mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.57V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 110A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 172A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330C08L0

частка акцыі: 809

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.9V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 650A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 1230A,

Ліст з жаданняў

VS-ST173S12PFP0

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST173S12PFP0

частка акцыі: 863

Напружанне - выключанае: 1.2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 2.07V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 175A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 275A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST300C16C1

частка акцыі: 781

Напружанне - выключанае: 1.6kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 2.18V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 650A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 1290A,

Ліст з жаданняў

VS-ST083S08PFM1P

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST083S08PFM1P

частка акцыі: 924

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 2.15V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 85A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 135A,

Ліст з жаданняў

VS-10TTS08STRL-M3

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10TTS08STRL-M3

частка акцыі: 70526

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 15mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.15V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 6.5A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 10A,

Ліст з жаданняў

VS-ST230S12M0VPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230S12M0VPBF

частка акцыі: 707

Напружанне - выключанае: 1.2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 150mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.55V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 230A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 360A,

Ліст з жаданняў

VS-ST110S12P2VPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST110S12P2VPBF

частка акцыі: 1173

Напружанне - выключанае: 1.2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 150mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.52V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 110A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 175A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST700C16L1

частка акцыі: 643

Напружанне - выключанае: 1.6kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.8V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 910A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 1857A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST180C16C1L

частка акцыі: 1039

Напружанне - выключанае: 1.6kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 150mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.96V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 350A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 660A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-110RKI40PBF

частка акцыі: 2060

Напружанне - выключанае: 400V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 120mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.57V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 110A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 172A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330C12C1

частка акцыі: 783

Напружанне - выключанае: 1.2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.96V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 720A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 1420A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1000C14K1

частка акцыі: 355

Напружанне - выключанае: 1.4kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.8V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 1473A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 2913A,

Ліст з жаданняў

VS-ST180S12P1VPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST180S12P1VPBF

частка акцыі: 950

Напружанне - выключанае: 1.2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 150mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.75V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 200A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 314A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1230C08K1

частка акцыі: 293

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.62V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 1745A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 3200A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST280C04C0

частка акцыі: 1319

Напружанне - выключанае: 400V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 150mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.36V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 500A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 960A,

Ліст з жаданняў

VS-ST173S12PFK0

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST173S12PFK0

частка акцыі: 580

Напружанне - выключанае: 1.2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 2.07V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 175A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 275A,

Ліст з жаданняў

VS-ST303C12CCL1

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303C12CCL1

частка акцыі: 633

Напружанне - выключанае: 1.2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 2.16V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 620A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 1180A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-181RKI40PBF

частка акцыі: 1525

Напружанне - выключанае: 400V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 150mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.35V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 180A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 285A,

Ліст з жаданняў

VS-ST1230C14K0L

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1230C14K0L

частка акцыі: 279

Напружанне - выключанае: 1.4kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.62V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 1745A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 3200A,

Ліст з жаданняў

VS-ST303C04LFL0

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303C04LFL0

частка акцыі: 560

Напружанне - выключанае: 400V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 2.16V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 515A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 995A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50RIA80

частка акцыі: 3651

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 100mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.6V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 50A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 80A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230S12P1V

частка акцыі: 651

Напружанне - выключанае: 1.2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 150mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.55V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 230A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 360A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330S16P0

частка акцыі: 412

Напружанне - выключанае: 1.6kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.52V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 330A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 520A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-80RIA120PBF

частка акцыі: 2059

Напружанне - выключанае: 1.2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 120mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.6V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 80A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 125A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-181RKI80

частка акцыі: 1180

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 150mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.35V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 180A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 285A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40TPS12A-M3

частка акцыі: 8210

Напружанне - выключанае: 1.2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 150mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.85V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 35A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 55A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST180C14C0L

частка акцыі: 1010

Напружанне - выключанае: 1.4kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 150mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.96V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 350A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 660A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16TTS16S-M3

частка акцыі: 65156

Напружанне - выключанае: 1.6kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 60mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.4V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 10A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 16A,

Ліст з жаданняў

742

«
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
»