Тырыстары - SCR

Дом
Тырыстары - SCR

VS-ST223C08CFN1

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST223C08CFN1

частка акцыі: 1056

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.58V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 390A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 745A,

Ліст з жаданняў

VS-ST110S04P0VPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST110S04P0VPBF

частка акцыі: 1296

Напружанне - выключанае: 400V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 150mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.52V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 110A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 175A,

Ліст з жаданняў

VS-ST180S04P0VPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST180S04P0VPBF

частка акцыі: 1194

Напружанне - выключанае: 400V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 150mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.75V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 200A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 314A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10RIA80M

частка акцыі: 4562

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 60mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.75V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 25A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 10A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST730C20L1

частка акцыі: 601

Напружанне - выключанае: 2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.62V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 990A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 2000A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50RIA40

частка акцыі: 5710

Напружанне - выключанае: 400V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 100mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.6V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 50A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 80A,

Ліст з жаданняў

VS-ST223C04CFL1

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST223C04CFL1

частка акцыі: 1184

Напружанне - выключанае: 400V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.58V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 390A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 745A,

Ліст з жаданняў

VS-ST330S12P0PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330S12P0PBF

частка акцыі: 699

Напружанне - выключанае: 1.2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.52V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 330A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 520A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST650C24L1

частка акцыі: 467

Напружанне - выключанае: 2.4kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 2.07V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 790A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 1557A,

Ліст з жаданняў

VS-ST333C04LFL1

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST333C04LFL1

частка акцыі: 489

Напружанне - выключанае: 400V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.96V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 720A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 1435A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-80RIA40MPBF

частка акцыі: 816

Напружанне - выключанае: 400V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 120mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.6V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 80A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 125A,

Ліст з жаданняў

VS-ST173C10CFP1

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST173C10CFP1

частка акцыі: 1039

Напружанне - выключанае: 1kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 2.07V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 330A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 610A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1000C18K1

частка акцыі: 332

Напружанне - выключанае: 1.8kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.8V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 1473A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 2913A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST180S12M1L

частка акцыі: 694

Напружанне - выключанае: 1.2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 150mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.75V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 200A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 314A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST300C08C0L

частка акцыі: 763

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 2.18V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 650A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 1290A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-110RKI40

частка акцыі: 1575

Напружанне - выключанае: 400V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 120mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.57V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 110A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 172A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50RIA100

частка акцыі: 4863

Напружанне - выключанае: 1kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 100mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.6V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 50A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 80A,

Ліст з жаданняў

VS-ST733C04LFL1

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST733C04LFL1

частка акцыі: 607

Напружанне - выключанае: 400V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.63V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 940A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 1900A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST700C16L0

частка акцыі: 619

Напружанне - выключанае: 1.6kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.8V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 910A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 1857A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25TTS12S-M3

частка акцыі: 72684

Напружанне - выключанае: 1.2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 45mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.25V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 16A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 25A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-110RKI120M

частка акцыі: 764

Напружанне - выключанае: 1.2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 120mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.57V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 110A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 172A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16RIA120

частка акцыі: 3873

Напружанне - выключанае: 1.2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 60mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.75V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 16A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 35A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST380C04C0

частка акцыі: 821

Напружанне - выключанае: 400V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.6V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 960A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 1900A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-80RIA80

частка акцыі: 1704

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 120mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.6V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 80A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 125A,

Ліст з жаданняў

VS-16TTS16STRL-M3

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16TTS16STRL-M3

частка акцыі: 52805

Напружанне - выключанае: 1.6kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 60mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.4V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 10A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 16A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST280C06C0

частка акцыі: 1292

Напружанне - выключанае: 600V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 150mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.36V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 500A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 960A,

Ліст з жаданняў

VS-ST733C04LFM1

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST733C04LFM1

частка акцыі: 600

Напружанне - выключанае: 400V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.63V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 940A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 1900A,

Ліст з жаданняў

VS-ST303S12PFK0P

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303S12PFK0P

частка акцыі: 456

Напружанне - выключанае: 1.2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 2.16V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 300A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 471A,

Ліст з жаданняў

VS-16TTS08STRR-M3

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16TTS08STRR-M3

частка акцыі: 59477

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 60mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.4V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 10A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 16A,

Ліст з жаданняў

VS-ST1200C20K1P

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1200C20K1P

частка акцыі: 222

Напружанне - выключанае: 2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.73V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 1650A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 3080A,

Ліст з жаданняў

VS-ST333S08MFL1P

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST333S08MFL1P

частка акцыі: 405

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.96V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 330A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 518A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330S04P0

частка акцыі: 537

Напружанне - выключанае: 400V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.52V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 330A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 520A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST730C20L0

частка акцыі: 642

Напружанне - выключанае: 2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.62V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 990A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 2000A,

Ліст з жаданняў

VS-16TTS16STRR-M3

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16TTS16STRR-M3

частка акцыі: 52780

Напружанне - выключанае: 1.6kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 60mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.4V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 10A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 16A,

Ліст з жаданняў

VS-ST330S04P0PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330S04P0PBF

частка акцыі: 459

Напружанне - выключанае: 400V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.52V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 330A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 520A,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50RIA120S90

частка акцыі: 2606

Напружанне - выключанае: 1.2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 100mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.6V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 50A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 80A,

Ліст з жаданняў

742

«
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
»