Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Тырыстары - SCR

  • Дом
  •  
  • Тырыстары - SCR
VS-ST380CH04C1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST380CH04C1

частка акцыі: 693

Напружанне - выключанае: 400V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.58V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 960A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 2220A,

Ліст з жаданняў
VS-ST103S04PFL0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST103S04PFL0

частка акцыі: 653

Напружанне - выключанае: 400V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.73V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 105A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 165A,

Ліст з жаданняў
VS-10RIA40
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10RIA40

частка акцыі: 7804

Напружанне - выключанае: 400V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 60mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.75V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 10A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 25A,

Ліст з жаданняў
VS-30TPS12-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30TPS12-M3

частка акцыі: 11422

Напружанне - выключанае: 1.2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 45mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.3V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 20A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 30A,

Ліст з жаданняў
VS-ST083S04PFM1P
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST083S04PFM1P

частка акцыі: 1037

Напружанне - выключанае: 400V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 2.15V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 85A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 135A,

Ліст з жаданняў
VS-25RIA60M
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25RIA60M

частка акцыі: 4527

Напружанне - выключанае: 600V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 60mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.7V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 25A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 40A,

Ліст з жаданняў
VS-ST780C04L1L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST780C04L1L

частка акцыі: 602

Напружанне - выключанае: 400V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.31V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 1350A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 2700A,

Ліст з жаданняў
VS-ST300C18C0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST300C18C0

частка акцыі: 543

Напружанне - выключанае: 1.8kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 2.18V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 650A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 1290A,

Ліст з жаданняў
VS-ST183C04CFL0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST183C04CFL0

частка акцыі: 1195

Напружанне - выключанае: 400V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.8V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 370A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 690A,

Ліст з жаданняў
VS-ST330S16M1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330S16M1

частка акцыі: 448

Напружанне - выключанае: 1.6kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.52V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 330A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 520A,

Ліст з жаданняў
VS-ST1000C22K1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1000C22K1

частка акцыі: 349

Напружанне - выключанае: 2.2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.8V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 1473A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 2913A,

Ліст з жаданняў
VS-ST183C08CFN1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST183C08CFN1

частка акцыі: 1066

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.8V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 370A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 690A,

Ліст з жаданняў
VS-ST103S08PFN2P
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST103S08PFN2P

частка акцыі: 1068

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.73V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 105A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 165A,

Ліст з жаданняў
VS-110RKI120
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-110RKI120

частка акцыі: 1323

Напружанне - выключанае: 1.2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 120mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.57V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 110A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 172A,

Ліст з жаданняў
VS-ST780C04L1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST780C04L1

частка акцыі: 630

Напружанне - выключанае: 400V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.31V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 1350A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 2700A,

Ліст з жаданняў
VS-ST303C04CFL0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303C04CFL0

частка акцыі: 860

Напружанне - выключанае: 400V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 2.16V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 620A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 1180A,

Ліст з жаданняў
VS-ST103S04PFL0P
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST103S04PFL0P

частка акцыі: 1060

Напружанне - выключанае: 400V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.73V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 105A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 165A,

Ліст з жаданняў
VS-ST083S08PFN0P
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST083S08PFN0P

частка акцыі: 1080

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 2.15V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 85A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 135A,

Ліст з жаданняў
VS-111RKI40
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-111RKI40

частка акцыі: 1740

Напружанне - выключанае: 400V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 120mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.57V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 110A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 172A,

Ліст з жаданняў
VS-ST1280C06K1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1280C06K1

частка акцыі: 323

Напружанне - выключанае: 600V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.44V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 2310A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 4150A,

Ліст з жаданняў
VS-ST730C20L1L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST730C20L1L

частка акцыі: 657

Напружанне - выключанае: 2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.62V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 990A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 2000A,

Ліст з жаданняў
VS-2N690
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-2N690

частка акцыі: 6823

Напружанне - выключанае: 600V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 40mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 2V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 16A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 25A,

Ліст з жаданняў
VS-ST230S04M1V
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230S04M1V

частка акцыі: 668

Напружанне - выключанае: 400V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 150mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.55V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 230A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 360A,

Ліст з жаданняў
VS-ST380C06C1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST380C06C1

частка акцыі: 877

Напружанне - выключанае: 600V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.6V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 960A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 1900A,

Ліст з жаданняў
VS-16RIA60M
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16RIA60M

частка акцыі: 4603

Напружанне - выключанае: 600V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 60mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.75V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 16A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 35A,

Ліст з жаданняў
VS-ST330C16C1L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330C16C1L

частка акцыі: 710

Напружанне - выключанае: 1.6kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.96V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 720A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 1420A,

Ліст з жаданняў
VS-ST230C16C0L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230C16C0L

частка акцыі: 1079

Напружанне - выключанае: 1.6kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 150mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.69V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 410A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 780A,

Ліст з жаданняў
VS-111RKI80PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-111RKI80PBF

частка акцыі: 1912

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 120mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.57V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 110A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 172A,

Ліст з жаданняў
VS-ST1200C12K1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1200C12K1

частка акцыі: 326

Напружанне - выключанае: 1.2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.73V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 1650A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 3080A,

Ліст з жаданняў
VS-25TTS08FPPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25TTS08FPPBF

частка акцыі: 20137

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 45mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.25V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 16A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 25A,

Ліст з жаданняў
VS-ST330C04L0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330C04L0

частка акцыі: 692

Напружанне - выключанае: 400V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.9V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 650A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 1230A,

Ліст з жаданняў
VS-ST300C12C0L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST300C12C0L

частка акцыі: 843

Напружанне - выключанае: 1.2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 2.18V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 650A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 1290A,

Ліст з жаданняў
VS-ST1200C18K0P
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1200C18K0P

частка акцыі: 311

Напружанне - выключанае: 1.8kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.73V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 1650A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 3080A,

Ліст з жаданняў
VS-ST1200C18K1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1200C18K1

частка акцыі: 319

Напружанне - выключанае: 1.8kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.73V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 1650A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 3080A,

Ліст з жаданняў
VS-ST110S04P1VPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST110S04P1VPBF

частка акцыі: 1302

Напружанне - выключанае: 400V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 150mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.52V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 110A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 175A,

Ліст з жаданняў
VS-ST230S04M1VPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230S04M1VPBF

частка акцыі: 653

Напружанне - выключанае: 400V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 150mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.55V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 230A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 360A,

Ліст з жаданняў