Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Тырыстары - SCR

  • Дом
  •  
  • Тырыстары - SCR
VS-25TTS12PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25TTS12PBF

частка акцыі: 28426

Напружанне - выключанае: 1.2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 45mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.25V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 16A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 25A,

Ліст з жаданняў
VS-30TPS12PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30TPS12PBF

частка акцыі: 22962

Напружанне - выключанае: 1.2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 45mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.3V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 20A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 30A,

Ліст з жаданняў
VS-ST083S08MFM1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST083S08MFM1

частка акцыі: 771

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 2.15V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 85A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 135A,

Ліст з жаданняў
VS-40TPS12LHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40TPS12LHM3

частка акцыі: 2674

Напружанне - выключанае: 1.2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1.7V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 150mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.85V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 35A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 55A,

Ліст з жаданняў
VS-40TPS08PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40TPS08PBF

частка акцыі: 15736

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 150mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.85V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 35A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 55A,

Ліст з жаданняў
VS-16TTS16STRLPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16TTS16STRLPBF

частка акцыі: 32695

Напружанне - выключанае: 1.6kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 60mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.4V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 10A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 16A,

Ліст з жаданняў
VS-16TTS16STRRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16TTS16STRRPBF

частка акцыі: 24670

Напружанне - выключанае: 1.6kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 60mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.4V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 10A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 16A,

Ліст з жаданняў
VS-40TPS12ALHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40TPS12ALHM3

частка акцыі: 2719

Напружанне - выключанае: 1.2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1.7V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 150mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.85V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 35A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 55A,

Ліст з жаданняў
VS-25TTS12SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25TTS12SPBF

частка акцыі: 22139

Напружанне - выключанае: 1.2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 45mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.25V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 16A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 25A,

Ліст з жаданняў
VS-70TPS16PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-70TPS16PBF

частка акцыі: 8888

Напружанне - выключанае: 1.6kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1.5V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 100mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.4V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 70A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 75A,

Ліст з жаданняў
VS-70TPS12PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-70TPS12PBF

частка акцыі: 9398

Напружанне - выключанае: 1.2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1.5V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 100mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.4V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 70A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 75A,

Ліст з жаданняў
VS-ST180S16P1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST180S16P1

частка акцыі: 724

Напружанне - выключанае: 1.6kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 150mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.75V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 200A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 314A,

Ліст з жаданняў
VS-16TTS08STRLPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16TTS08STRLPBF

частка акцыі: 44068

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 60mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.4V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 10A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 16A,

Ліст з жаданняў
VS-25TTS08SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25TTS08SPBF

частка акцыі: 22667

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 45mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.25V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 16A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 25A,

Ліст з жаданняў
ST3230C16R0
Vishay Semiconductor Diodes Division

ST3230C16R0

частка акцыі: 7510

Напружанне - выключанае: 1.6kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 4V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 400mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.3V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 2785A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 5970A,

Ліст з жаданняў
VS-40TTS12PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40TTS12PBF

частка акцыі: 29901

Напружанне - выключанае: 1.2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1.3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 35mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.6V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 25A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 40A,

Ліст з жаданняў
VS-25TTS16STRLPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25TTS16STRLPBF

частка акцыі: 25224

Напружанне - выключанае: 1.6kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 45mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.25V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 16A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 25A,

Ліст з жаданняў
VS-10TTS08STRLPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10TTS08STRLPBF

частка акцыі: 79778

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 15mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.15V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 6.5A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 10A,

Ліст з жаданняў
VS-25TTS08STRLPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25TTS08STRLPBF

частка акцыі: 36195

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 45mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.25V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 16A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 25A,

Ліст з жаданняў
VS-40TPS08APBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40TPS08APBF

частка акцыі: 15760

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 150mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.85V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 35A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 55A,

Ліст з жаданняў
VS-16TTS08STRRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16TTS08STRRPBF

частка акцыі: 44106

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 60mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.4V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 10A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 16A,

Ліст з жаданняў
VS-10TTS08STRRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10TTS08STRRPBF

частка акцыі: 40892

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 15mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.15V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 6.5A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 10A,

Ліст з жаданняў