Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Тырыстары - SCR

  • Дом
  •  
  • Тырыстары - SCR
VS-ST103S08PFL1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST103S08PFL1

частка акцыі: 876

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.73V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 105A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 165A,

Ліст з жаданняў
VS-ST330S12P1PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330S12P1PBF

частка акцыі: 495

Напружанне - выключанае: 1.2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.52V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 330A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 520A,

Ліст з жаданняў
VS-16TTS12FP-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16TTS12FP-M3

частка акцыі: 27291

Напружанне - выключанае: 1.2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 60mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.4V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 10A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 16A,

Ліст з жаданняў
VS-ST083S12PFK0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST083S12PFK0

частка акцыі: 866

Напружанне - выключанае: 1.2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 2.15V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 85A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 135A,

Ліст з жаданняў
VS-ST1230C12K1P
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1230C12K1P

частка акцыі: 306

Напружанне - выключанае: 1.2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.62V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 1745A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 3200A,

Ліст з жаданняў
VS-ST280CH04C1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST280CH04C1

частка акцыі: 1104

Напружанне - выключанае: 400V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 150mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.35V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 500A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 960A,

Ліст з жаданняў
VS-ST110S16P0PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST110S16P0PBF

частка акцыі: 1089

Напружанне - выключанае: 1.6kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 150mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.52V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 110A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 175A,

Ліст з жаданняў
VS-ST280C04C1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST280C04C1

частка акцыі: 1294

Напружанне - выключанае: 400V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 150mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.36V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 500A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 960A,

Ліст з жаданняў
VS-ST303C10CFJ0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303C10CFJ0

частка акцыі: 704

Напружанне - выключанае: 1kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 2.16V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 620A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 1180A,

Ліст з жаданняў
VS-ST1000C20K0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1000C20K0

частка акцыі: 370

Напружанне - выключанае: 2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.8V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 1473A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 2913A,

Ліст з жаданняў
VS-16TTS08-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16TTS08-M3

частка акцыі: 30099

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 60mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.4V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 10A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 16A,

Ліст з жаданняў
VS-ST1000C18K0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1000C18K0

частка акцыі: 335

Напружанне - выключанае: 1.8kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.8V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 1473A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 2913A,

Ліст з жаданняў
VS-ST230C12C0L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230C12C0L

частка акцыі: 1238

Напружанне - выключанае: 1.2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 150mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.69V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 410A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 780A,

Ліст з жаданняў
VS-ST1000C24K0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1000C24K0

частка акцыі: 296

Напружанне - выключанае: 2.4kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.8V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 1473A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 2913A,

Ліст з жаданняў
VS-ST330C08C1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330C08C1

частка акцыі: 931

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.96V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 720A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 1420A,

Ліст з жаданняў
VS-ST083S08PFN1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST083S08PFN1

частка акцыі: 797

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 2.15V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 85A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 135A,

Ліст з жаданняў
VS-ST780C04L0L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST780C04L0L

частка акцыі: 599

Напружанне - выключанае: 400V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.31V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 1350A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 2700A,

Ліст з жаданняў
VS-81RIA40PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-81RIA40PBF

частка акцыі: 2444

Напружанне - выключанае: 400V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 120mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.6V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 80A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 125A,

Ліст з жаданняў
VS-ST1200C20K0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1200C20K0

частка акцыі: 250

Напружанне - выключанае: 2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.73V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 1650A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 3080A,

Ліст з жаданняў
VS-ST180S12P1V
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST180S12P1V

частка акцыі: 711

Напружанне - выключанае: 1.2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 150mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.75V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 200A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 314A,

Ліст з жаданняў
VS-2N692
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-2N692

частка акцыі: 4718

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 40mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 2V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 16A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 25A,

Ліст з жаданняў
VS-ST083S08PFN0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST083S08PFN0

частка акцыі: 758

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 2.15V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 85A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 135A,

Ліст з жаданняў
VS-2N684
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-2N684

частка акцыі: 10050

Напружанне - выключанае: 150V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 40mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 2V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 16A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 25A,

Ліст з жаданняў
VS-ST280S06P0V
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST280S06P0V

частка акцыі: 1202

Напружанне - выключанае: 600V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 150mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.28V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 280A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 440A,

Ліст з жаданняў
VS-12TTS08STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12TTS08STRL-M3

частка акцыі: 73596

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 15mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.2V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 8A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 12.5A,

Ліст з жаданняў
VS-ST110S08P1V
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST110S08P1V

частка акцыі: 967

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 150mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.52V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 110A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 175A,

Ліст з жаданняў
VS-81RIA120PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-81RIA120PBF

частка акцыі: 1984

Напружанне - выключанае: 1.2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 120mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.6V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 80A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 125A,

Ліст з жаданняў
VS-ST300C20L1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST300C20L1

частка акцыі: 571

Напружанне - выключанае: 2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 2.18V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 650A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 1290A,

Ліст з жаданняў
VS-ST1200C16K1L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1200C16K1L

частка акцыі: 236

Напружанне - выключанае: 1.6kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.73V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 1650A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 3080A,

Ліст з жаданняў
VS-50RIA80M
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50RIA80M

частка акцыі: 2600

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 100mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.6V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 50A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 80A,

Ліст з жаданняў
VS-ST110S08P1VPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST110S08P1VPBF

частка акцыі: 1239

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 150mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.52V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 110A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 175A,

Ліст з жаданняў
VS-ST300S18M0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST300S18M0

частка акцыі: 355

Напружанне - выключанае: 1.8kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.66V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 300A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 470A,

Ліст з жаданняў
VS-ST180S20P0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST180S20P0

частка акцыі: 546

Напружанне - выключанае: 2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 150mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.75V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 200A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 314A,

Ліст з жаданняў
VS-25RIA120M
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25RIA120M

частка акцыі: 3528

Напружанне - выключанае: 1.2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 60mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.7V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 25A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 40A,

Ліст з жаданняў
VS-ST300C04C1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST300C04C1

частка акцыі: 1082

Напружанне - выключанае: 400V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 2.18V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 650A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 1290A,

Ліст з жаданняў
VS-ST180S08P0VPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST180S08P0VPBF

частка акцыі: 965

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 150mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.75V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 200A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 314A,

Ліст з жаданняў