Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя | Дыскрэтныя паўправадніковыя вырабы | 11

2SA1943N(S1,E,S)

частка акцыі: 30936

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 15A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 230V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, Ток - адсек калектара (макс.): 5µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3325-Y,LF

частка акцыі: 133517

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA2154CT-GR,L3F

частка акцыі: 125949

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2712-OTE85LF

частка акцыі: 103394

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 150mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3324GRTE85LF

частка акцыі: 72

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 120V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6026CTGRTPL3

частка акцыі: 154

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4944-GR(TE85L,F

частка акцыі: 155

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 150mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1182-Y,LF

частка акцыі: 105735

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 30V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1162-GR,LF

частка акцыі: 114972

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 150mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2713-BL,LF

частка акцыі: 141073

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 120V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1162-Y,LF

частка акцыі: 182069

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 150mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1298-Y,LF

частка акцыі: 110660

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 800mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 25V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2712-BL,LF

частка акцыі: 194721

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 150mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1588-O,LF

частка акцыі: 146528

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 30V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1312-BL(TE85L,F

частка акцыі: 123

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 120V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1832-Y,LF

частка акцыі: 160315

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 150mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB906-Y(TE16L1,NQ

частка акцыі: 107

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 3A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.7V @ 300mA, 3A, Ток - адсек калектара (макс.): 100µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1586-Y,LF

частка акцыі: 100369

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 150mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4213BTE85LF

частка акцыі: 179590

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 300mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 20V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30A, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4116-BL,LF

частка акцыі: 124685

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 150mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1588-GR,LF

частка акцыі: 122917

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 30V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4738-Y,LF

частка акцыі: 134403

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 150mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6026MFVGR,L3F

частка акцыі: 189199

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 150mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1832-GR,LF

частка акцыі: 172547

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 150mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6076(TE16L1,NV)

частка акцыі: 135662

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 3A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 80V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Ток - адсек калектара (макс.): 1µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1587-BL,LF

частка акцыі: 106998

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 120V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5242-O(Q)

частка акцыі: 515

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 15A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 230V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, Ток - адсек калектара (макс.): 5µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1962-O(Q)

частка акцыі: 22703

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 15A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 230V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, Ток - адсек калектара (макс.): 5µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1943-O(Q)

частка акцыі: 22767

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 15A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 230V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, Ток - адсек калектара (макс.): 5µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5200N(S1,E,S)

частка акцыі: 30915

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 15A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 230V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, Ток - адсек калектара (макс.): 5µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1721RTE85LF

частка акцыі: 7061

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 300V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 10V,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y,T6NSF(J

частка акцыі: 7009

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 2A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Ток - адсек калектара (макс.): 1µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y,T6WNLF(J

частка акцыі: 7019

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 2A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Ток - адсек калектара (макс.): 1µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y,F(M

частка акцыі: 7049

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 2A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Ток - адсек калектара (макс.): 1µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2695,T6F(M

частка акцыі: 7066

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 2A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Ток - адсек калектара (макс.): 10µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2695,T6F(J

частка акцыі: 6988

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 2A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Ток - адсек калектара (макс.): 10µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Ліст з жаданняў