Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя

Дом
Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя

Toshiba Semiconductor and Storage

TK15S04N1L,LQ

частка акцыі: 110924

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 40V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 15A (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.8 mOhm @ 7.5A, 10V,

Ліст з жаданняў

TK5P50D(T6RSS-Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

TK5P50D(T6RSS-Q)

частка акцыі: 127525

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 500V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 5A (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 2.5A, 10V,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

TPH2010FNH,L1Q

частка акцыі: 117809

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 250V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 5.6A (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198 mOhm @ 2.8A, 10V,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

TPH1110ENH,L1Q

частка акцыі: 110777

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 200V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 7.2A (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 114 mOhm @ 3.6A, 10V,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K35CTC,L3F

частка акцыі: 122010

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 250mA (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 1.2V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 150mA, 4.5V,

Ліст з жаданняў

TK20S06K3L(T6L1,NQ

Toshiba Semiconductor and Storage

TK20S06K3L(T6L1,NQ

частка акцыі: 135950

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 20A (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 10A, 10V,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8133,LQ(S

частка акцыі: 142820

Тып FET: P-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 40V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 9A (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 4.5A, 10V,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

TPH7R006PL,L1Q

частка акцыі: 145095

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 60A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 10A, 4.5V,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

TK60P03M1,RQ(S

частка акцыі: 152903

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 60A (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4 mOhm @ 30A, 10V,

Ліст з жаданняў

TK80S06K3L(T6L1,NQ

Toshiba Semiconductor and Storage

TK80S06K3L(T6L1,NQ

частка акцыі: 78944

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 80A (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 40A, 10V,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K339R,LF

частка акцыі: 190791

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 40V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 2A (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 1.8V, 8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185 mOhm @ 1A, 8V,

Ліст з жаданняў

TJ40S04M3L(T6L1,NQ

Toshiba Semiconductor and Storage

TJ40S04M3L(T6L1,NQ

частка акцыі: 105767

Тып FET: P-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 40V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 40A (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1 mOhm @ 20A, 10V,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

TPN1110ENH,L1Q

частка акцыі: 113296

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 200V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 7.2A (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 114 mOhm @ 3.6A, 10V,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

TPH8R008NH,L1Q

частка акцыі: 104295

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 80V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 34A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 17A, 10V,

Ліст з жаданняў

TK10S04K3L(T6L1,NQ

Toshiba Semiconductor and Storage

TK10S04K3L(T6L1,NQ

частка акцыі: 144152

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 40V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 10A (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 5A, 10V,

Ліст з жаданняў

TJ10S04M3L(T6L1,NQ

Toshiba Semiconductor and Storage

TJ10S04M3L(T6L1,NQ

частка акцыі: 135878

Тып FET: P-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 40V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 10A (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44 mOhm @ 5A, 10V,

Ліст з жаданняў

SSM3K15AMFV,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K15AMFV,L3F

частка акцыі: 170532

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 100mA (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 2.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 Ohm @ 10mA, 4V,

Ліст з жаданняў

TK6P53D(T6RSS-Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

TK6P53D(T6RSS-Q)

частка акцыі: 115497

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 525V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 6A (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3 Ohm @ 3A, 10V,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

TK560P65Y,RQ

частка акцыі: 135881

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 650V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 7A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560 mOhm @ 3.5A, 10V,

Ліст з жаданняў

TJ20S04M3L(T6L1,NQ

Toshiba Semiconductor and Storage

TJ20S04M3L(T6L1,NQ

частка акцыі: 135946

Тып FET: P-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 40V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 20A (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.2 mOhm @ 10A, 10V,

Ліст з жаданняў

TK30S06K3L(T6L1,NQ

Toshiba Semiconductor and Storage

TK30S06K3L(T6L1,NQ

частка акцыі: 128540

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 30A (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 Ohm @ 15A, 10V,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

TK9P65W,RQ

частка акцыі: 93752

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 650V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 9.3A (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560 mOhm @ 4.6A, 10V,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

TPH1R712MD,L1Q

частка акцыі: 128383

Тып FET: P-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 60A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 30A, 4.5V,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

TPH4R606NH,L1Q

частка акцыі: 83323

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 32A (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 6.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 16A, 10V,

Ліст з жаданняў

TPCA8056-H,LQ(M

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8056-H,LQ(M

частка акцыі: 105511

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 48A (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2 mOhm @ 24A, 10V,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

TPH1110FNH,L1Q

частка акцыі: 95924

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 250V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 10A (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112 mOhm @ 5A, 10V,

Ліст з жаданняў

TK80S04K3L(T6L1,NQ

Toshiba Semiconductor and Storage

TK80S04K3L(T6L1,NQ

частка акцыі: 78949

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 40V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 80A (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1 mOhm @ 40A, 10V,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

TPH1R005PL,L1Q

частка акцыі: 82892

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 45V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 150A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.04 mOhm @ 50A, 10V,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

TPN2010FNH,L1Q

частка акцыі: 110042

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 250V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 5.6A (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198 mOhm @ 2.8A, 10V,

Ліст з жаданняў

TK8A50D(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

TK8A50D(STA4,Q,M)

частка акцыі: 98335

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 500V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 8A (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 4A, 10V,

Ліст з жаданняў

TJ8S06M3L(T6L1,NQ)

Toshiba Semiconductor and Storage

TJ8S06M3L(T6L1,NQ)

частка акцыі: 144102

Тып FET: P-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 8A (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104 mOhm @ 4A, 10V,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

TPH4R10ANL,L1Q

частка акцыі: 7692

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 100V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 92A (Ta), 70A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1 mOhm @ 35A, 10V,

Ліст з жаданняў

Toshiba Semiconductor and Storage

TK6P65W,RQ

частка акцыі: 129654

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 650V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 5.8A (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05 Ohm @ 2.9A, 10V,

Ліст з жаданняў

TJ15S06M3L(T6L1,NQ

Toshiba Semiconductor and Storage

TJ15S06M3L(T6L1,NQ

частка акцыі: 135951

Тып FET: P-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 15A (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 7.5A, 10V,

Ліст з жаданняў

TK20S04K3L(T6L1,NQ

Toshiba Semiconductor and Storage

TK20S04K3L(T6L1,NQ

частка акцыі: 135921

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 40V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 20A (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 10A, 10V,

Ліст з жаданняў

TJ30S06M3L(T6L1,NQ

Toshiba Semiconductor and Storage

TJ30S06M3L(T6L1,NQ

частка акцыі: 104508

Тып FET: P-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 30A (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.8 mOhm @ 15A, 10V,

Ліст з жаданняў

741

«
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
»