Фіксаваныя індуктыўнасці

GLF201208T1R0M

GLF201208T1R0M

частка акцыі: 5146

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 1µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 650mA, Ток - насычэнне: 340mA,

TSL1112RA-151K1R1-PF

TSL1112RA-151K1R1-PF

частка акцыі: 5300

Індуктыўнасць: 150µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 1.1A, Ток - насычэнне: 1.3A,

GLCR2012T100M-HC

GLCR2012T100M-HC

частка акцыі: 9594

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 10µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 380mA, Ток - насычэнне: 155mA,

NL565050T-562J-PF

NL565050T-562J-PF

частка акцыі: 5139

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 5.6mH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 33mA,

NLC565050T-270K-PF

NLC565050T-270K-PF

частка акцыі: 155861

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 27µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 440mA,

TSL1315RA-680K3R0-PF

TSL1315RA-680K3R0-PF

частка акцыі: 5249

Індуктыўнасць: 68µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 3A, Ток - насычэнне: 4.8A,

GLCR2012T470M-HC

GLCR2012T470M-HC

частка акцыі: 5210

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 47µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 170mA, Ток - насычэнне: 70mA,

SL1215-470K2R0-PF

SL1215-470K2R0-PF

частка акцыі: 5311

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 47µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 2A, Ток - насычэнне: 4.9A,

NLC565050T-220K-PF

NLC565050T-220K-PF

частка акцыі: 9535

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 22µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 480mA,

TSL1112RA-103JR14-PF

TSL1112RA-103JR14-PF

частка акцыі: 5316

Індуктыўнасць: 10mH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 140mA, Ток - насычэнне: 170mA,

MLF1005AR47KT

MLF1005AR47KT

частка акцыі: 5116

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 470nH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 10mA,

NLC565050T-1R0K-PF

NLC565050T-1R0K-PF

частка акцыі: 5115

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 1µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 1.8A,

TSL0808RA-220K1R7-PF

TSL0808RA-220K1R7-PF

частка акцыі: 5229

Індуктыўнасць: 22µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 1.7A, Ток - насычэнне: 1.7A,

SL1215-222KR31-PF

SL1215-222KR31-PF

частка акцыі: 5284

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 2.2mH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 310mA, Ток - насычэнне: 700mA,

NL565050T-472J-PF

NL565050T-472J-PF

частка акцыі: 5202

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 4.7mH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 36mA,

NLHV25T-R39J-PF

NLHV25T-R39J-PF

частка акцыі: 5143

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 390nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 375mA,

TSL1112RA-102JR50-PF

TSL1112RA-102JR50-PF

частка акцыі: 5340

Індуктыўнасць: 1mH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 500mA, Ток - насычэнне: 510mA,

MLF1005AR39KT

MLF1005AR39KT

частка акцыі: 5139

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 390nH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 10mA,

TSL0808RA-2R2M3R9-PF

TSL0808RA-2R2M3R9-PF

частка акцыі: 9608

Індуктыўнасць: 2.2µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 3.9A, Ток - насычэнне: 5.6A,

GLCR2012T101M-HC

GLCR2012T101M-HC

частка акцыі: 9600

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 100µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 130mA, Ток - насычэнне: 40mA,

NLC565050T-150K-PF

NLC565050T-150K-PF

частка акцыі: 5128

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 15µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 580mA,

SL1215-100K3R6-PF

SL1215-100K3R6-PF

частка акцыі: 5270

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 10µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 3.6A, Ток - насычэнне: 9.8A,

TSL1112RA-471KR72-PF

TSL1112RA-471KR72-PF

частка акцыі: 5293

Індуктыўнасць: 470µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 720mA, Ток - насычэнне: 750mA,

SL1720-222KR60-PF

SL1720-222KR60-PF

частка акцыі: 5285

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 2.2mH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 600mA, Ток - насычэнне: 810mA,

TSL0808RA-330K1R4-PF

TSL0808RA-330K1R4-PF

частка акцыі: 5188

Індуктыўнасць: 33µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 1.4A, Ток - насычэнне: 1.4A,

NLC565050T-102K-PF

NLC565050T-102K-PF

частка акцыі: 5027

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 1mH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 85mA,

NLHV25T-R82J-PF

NLHV25T-R82J-PF

частка акцыі: 5226

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 820nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 280mA,

SL1215-220K2R8-PF

SL1215-220K2R8-PF

частка акцыі: 5311

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 22µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 2.8A, Ток - насычэнне: 7.2A,

SL1720-102KR90-PF

SL1720-102KR90-PF

частка акцыі: 5306

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 1mH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 900mA, Ток - насычэнне: 1.1A,

TSL1112RA-152JR38-PF

TSL1112RA-152JR38-PF

частка акцыі: 5289

Індуктыўнасць: 1.5mH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 380mA, Ток - насычэнне: 430mA,

SL1215-101K1R5-PF

SL1215-101K1R5-PF

частка акцыі: 5305

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 100µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 1.5A, Ток - насычэнне: 3.4A,

TSL0808RA-332KR14-PF

TSL0808RA-332KR14-PF

частка акцыі: 115869

Індуктыўнасць: 3.3mH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 140mA, Ток - насычэнне: 140mA,

NLC565050T-821K-PF

NLC565050T-821K-PF

частка акцыі: 9519

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 820µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 90mA,

TSL1112RA-682JR18-PF

TSL1112RA-682JR18-PF

частка акцыі: 5259

Індуктыўнасць: 6.8mH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 180mA, Ток - насычэнне: 200mA,

SL2125-222KR87-PF

SL2125-222KR87-PF

частка акцыі: 5330

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 2.2mH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 870mA, Ток - насычэнне: 1.1A,

NLC565050T-680K-PF

NLC565050T-680K-PF

частка акцыі: 5203

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 68µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 290mA,