Фіксаваныя індуктыўнасці

NLC565050T-561K-PF

NLC565050T-561K-PF

частка акцыі: 5630

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 560µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 110mA,

NLC565050T-820K-PF

NLC565050T-820K-PF

частка акцыі: 155875

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 82µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 270mA,

NLC565050T-331K-PF

NLC565050T-331K-PF

частка акцыі: 5634

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 330µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 140mA,

CPL2512TR47M

CPL2512TR47M

частка акцыі: 5453

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 470nH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.6A, Ток - насычэнне: 1.8A,

VLS4012T-1R0N1R6

VLS4012T-1R0N1R6

частка акцыі: 169836

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 1µH, Талерантнасць: ±30%, Бягучы рэйтынг: 1.6A, Ток - насычэнне: 2.5A,

VLS252012T-100MR59

VLS252012T-100MR59

частка акцыі: 134405

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 10µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 590mA, Ток - насычэнне: 810mA,

VLS4012T-330MR44

VLS4012T-330MR44

частка акцыі: 139558

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 33µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 440mA, Ток - насычэнне: 470mA,

FLF3215T-101M

FLF3215T-101M

частка акцыі: 5511

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 100µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 280mA, Ток - насычэнне: 200mA,

CPL2510T1R5M

CPL2510T1R5M

частка акцыі: 5485

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 1.5µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1A, Ток - насычэнне: 1A,

FLF3215T-1R0N

FLF3215T-1R0N

частка акцыі: 5558

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 1µH, Талерантнасць: ±30%, Бягучы рэйтынг: 2.35A, Ток - насычэнне: 2A,

FL3215T-470K

FL3215T-470K

частка акцыі: 5469

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 47µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 300mA, Ток - насычэнне: 210mA,

FL3215T-680K

FL3215T-680K

частка акцыі: 5460

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 68µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 240mA, Ток - насычэнне: 180mA,

FL3215T-330K

FL3215T-330K

частка акцыі: 5537

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 33µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 340mA, Ток - насычэнне: 270mA,

VLS252015T-1R0N1R7

VLS252015T-1R0N1R7

частка акцыі: 143873

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 1µH, Талерантнасць: ±30%, Бягучы рэйтынг: 1.7A, Ток - насычэнне: 2.3A,

VLF4010AT-4R7M1R0

VLF4010AT-4R7M1R0

частка акцыі: 5505

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 4.7µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1A, Ток - насычэнне: 1A,

FLF3215T-4R7M

FLF3215T-4R7M

частка акцыі: 5505

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 4.7µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.36A, Ток - насычэнне: 1A,

NLC565050T-180K-PF

NLC565050T-180K-PF

частка акцыі: 5688

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 18µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 530mA,

FL3215T-100K

FL3215T-100K

частка акцыі: 5461

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 10µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 650mA, Ток - насычэнне: 520mA,

FLF3215T-R47N

FLF3215T-R47N

частка акцыі: 5567

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 470nH, Талерантнасць: ±30%, Бягучы рэйтынг: 2.8A, Ток - насычэнне: 2.8A,

CPL2512T1R0M

CPL2512T1R0M

частка акцыі: 5480

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 1µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.3A, Ток - насычэнне: 1.5A,

FLF3215T-100M

FLF3215T-100M

частка акцыі: 5530

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 10µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 900mA, Ток - насычэнне: 700mA,

FL3215T-220K

FL3215T-220K

частка акцыі: 5545

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 22µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 440mA, Ток - насычэнне: 340mA,

FLF3215T-2R2M

FLF3215T-2R2M

частка акцыі: 5536

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 2.2µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.8A, Ток - насычэнне: 1.4A,

CPL2512T3R3M

CPL2512T3R3M

частка акцыі: 5475

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 3.3µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 730mA, Ток - насычэнне: 730mA,

CPL2512TR33M

CPL2512TR33M

частка акцыі: 5449

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 330nH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.8A, Ток - насычэнне: 2A,

VLS252012T-1R5N1R4

VLS252012T-1R5N1R4

частка акцыі: 178666

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 1.5µH, Талерантнасць: ±30%, Бягучы рэйтынг: 1.5A, Ток - насычэнне: 2A,

NLC565050T-2R7K-PF

NLC565050T-2R7K-PF

частка акцыі: 5646

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 2.7µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 1.2A,

VLS4012T-100MR82

VLS4012T-100MR82

частка акцыі: 130558

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 10µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 820mA, Ток - насычэнне: 890mA,

FL3215T-101K

FL3215T-101K

частка акцыі: 5534

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 100µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 200mA, Ток - насычэнне: 140mA,

FL3215T-150K

FL3215T-150K

частка акцыі: 5501

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 15µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 500mA, Ток - насычэнне: 400mA,

GLCR2012T220M-HC

GLCR2012T220M-HC

частка акцыі: 5131

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 22µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 250mA, Ток - насычэнне: 105mA,

GLF201208T470M

GLF201208T470M

частка акцыі: 5170

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 47µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 120mA, Ток - насычэнне: 60mA,

TSL0808RA-150K2R1-PF

TSL0808RA-150K2R1-PF

частка акцыі: 5258

Індуктыўнасць: 15µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 2.1A, Ток - насычэнне: 2.1A,

GLFR2012T100M-LR

GLFR2012T100M-LR

частка акцыі: 9998

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 10µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 500mA, Ток - насычэнне: 100mA,

SL1215-152KR42-PF

SL1215-152KR42-PF

частка акцыі: 5257

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 1.5mH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 420mA, Ток - насычэнне: 900mA,

NLC565050T-101K-PF

NLC565050T-101K-PF

частка акцыі: 5131

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 100µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 250mA,