Фіксаваныя індуктыўнасці

MLG1608B56NJTD25

MLG1608B56NJTD25

частка акцыі: 108895

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 56nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 400mA,

MLG1608B27NJTD25

MLG1608B27NJTD25

частка акцыі: 8051

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 27nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 500mA,

TSL1315RA-681KR99-PF

TSL1315RA-681KR99-PF

частка акцыі: 7789

Індуктыўнасць: 680µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 990mA, Ток - насычэнне: 1.5A,

CLF6045T-150M-H

CLF6045T-150M-H

частка акцыі: 152562

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 15µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 2A, Ток - насычэнне: 1.5A,

CLF12555T-1R5N-H

CLF12555T-1R5N-H

частка акцыі: 76595

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 1.5µH, Талерантнасць: ±30%, Бягучы рэйтынг: 6.7A, Ток - насычэнне: 16.4A,

TSL0709RA-681KR25-PF

TSL0709RA-681KR25-PF

частка акцыі: 7973

Індуктыўнасць: 680µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 250mA, Ток - насычэнне: 250mA,

NLC565050T-221K-PF

NLC565050T-221K-PF

частка акцыі: 7780

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 220µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 170mA,

MLG1608SR47JTD25

MLG1608SR47JTD25

частка акцыі: 8042

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 470nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 100mA,

TSL0808RA-472JR13-PF

TSL0808RA-472JR13-PF

частка акцыі: 7818

Індуктыўнасць: 4.7mH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 130mA, Ток - насычэнне: 150mA,

MLG1608B15NJTD25

MLG1608B15NJTD25

частка акцыі: 7966

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 15nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 600mA,

MLG1608SR39JTD25

MLG1608SR39JTD25

частка акцыі: 8030

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 390nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 100mA,

SLF7030T-680MR49-PF

SLF7030T-680MR49-PF

частка акцыі: 130780

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 68µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 490mA,

CLF10040T-1R5N-H

CLF10040T-1R5N-H

частка акцыі: 109544

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 1.5µH, Талерантнасць: ±30%, Бягучы рэйтынг: 10.6A, Ток - насычэнне: 5.8A,

CLF7045T-151M-H

CLF7045T-151M-H

частка акцыі: 141327

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 150µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 670mA, Ток - насычэнне: 610mA,

CLF12555T-331M-H

CLF12555T-331M-H

частка акцыі: 76672

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 330µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 700mA, Ток - насычэнне: 1.2A,

SLF10145T-100M2R5

SLF10145T-100M2R5

частка акцыі: 7482

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 10µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 2.5A, Ток - насычэнне: 3A,

TSL0809RA-331KR41-PF

TSL0809RA-331KR41-PF

частка акцыі: 6724

Індуктыўнасць: 330µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 410mA,

SLF6028T-470MR59

SLF6028T-470MR59

частка акцыі: 9840

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 47µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 920mA, Ток - насычэнне: 590mA,

CLF12555T-1R0N-H

CLF12555T-1R0N-H

частка акцыі: 76618

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 1µH, Талерантнасць: ±30%, Бягучы рэйтынг: 7.3A, Ток - насычэнне: 20A,

NLC453232T-1R0K

NLC453232T-1R0K

частка акцыі: 9746

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 1µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 1.05A,

NL322522T-1R0J

NL322522T-1R0J

частка акцыі: 7439

Індуктыўнасць: 1µH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 400mA,

CLF12555T-3R3N-H

CLF12555T-3R3N-H

частка акцыі: 76633

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 3.3µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 5.7A, Ток - насычэнне: 11.4A,

SLF6028T-4R7M1R6

SLF6028T-4R7M1R6

частка акцыі: 7461

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 4.7µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 2.5A, Ток - насычэнне: 1.6A,

CLF12555T-471M-H

CLF12555T-471M-H

частка акцыі: 76623

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 470µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 600mA, Ток - насычэнне: 1A,

NLC453232T-3R3K

NLC453232T-3R3K

частка акцыі: 7456

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 3.3µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 750mA,

CLF12555T-221M-H

CLF12555T-221M-H

частка акцыі: 76628

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 220µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 900mA, Ток - насычэнне: 1.5A,

TSL0808RA-3R3M3R8-PF

TSL0808RA-3R3M3R8-PF

частка акцыі: 7255

Індуктыўнасць: 3.3µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 3.8A, Ток - насычэнне: 4.5A,

CLF12555T-6R8N-H

CLF12555T-6R8N-H

частка акцыі: 76649

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 6.8µH, Талерантнасць: ±30%, Бягучы рэйтынг: 4.7A, Ток - насычэнне: 8A,

CLF10040T-100M-H

CLF10040T-100M-H

частка акцыі: 109558

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 10µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 4A, Ток - насычэнне: 3.3A,

CLF12555T-4R7N-H

CLF12555T-4R7N-H

частка акцыі: 76621

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 4.7µH, Талерантнасць: ±30%, Бягучы рэйтынг: 5.3A, Ток - насычэнне: 9.6A,

CLF12555T-100M-H

CLF12555T-100M-H

частка акцыі: 76577

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 10µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 3.9A, Ток - насычэнне: 6.7A,

TSL0709RA-220K1R3-PF

TSL0709RA-220K1R3-PF

частка акцыі: 9672

Індуктыўнасць: 22µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 1.3A, Ток - насычэнне: 1.4A,

MLG1608SR39JT000

MLG1608SR39JT000

частка акцыі: 6199

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 390nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 100mA,

MLG1608SR22JT000

MLG1608SR22JT000

частка акцыі: 6174

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 220nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 200mA,

CLF6045T-330M-H

CLF6045T-330M-H

частка акцыі: 152592

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 33µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.5A, Ток - насычэнне: 1.07A,

MLG0603Q3N7S

MLG0603Q3N7S

частка акцыі: 6207

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 3.7nH, Талерантнасць: ±0.3nH, Бягучы рэйтынг: 300mA,