Фіксаваныя індуктыўнасці

MHQ0402P22NJT000

MHQ0402P22NJT000

частка акцыі: 8474

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 22nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 140mA,

MHQ0402P0N7CT000

MHQ0402P0N7CT000

частка акцыі: 8401

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 0.7nH, Талерантнасць: ±0.2nH, Бягучы рэйтынг: 320mA,

MLF2012E8R2MT

MLF2012E8R2MT

частка акцыі: 127214

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 8.2µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 15mA,

MHQ0402P3N2CT000

MHQ0402P3N2CT000

частка акцыі: 8495

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 3.2nH, Талерантнасць: ±0.2nH, Бягучы рэйтынг: 200mA,

MHQ0402P1N6ST000

MHQ0402P1N6ST000

частка акцыі: 8291

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 1.6nH, Талерантнасць: ±0.3nH, Бягучы рэйтынг: 320mA,

MHQ0402P30NJT000

MHQ0402P30NJT000

частка акцыі: 8484

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 30nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 130mA,

MHQ0402P0N6BT000

MHQ0402P0N6BT000

частка акцыі: 8430

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 0.6nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 320mA,

MHQ0402P3N1ST000

MHQ0402P3N1ST000

частка акцыі: 8494

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 3.1nH, Талерантнасць: ±0.3nH, Бягучы рэйтынг: 200mA,

MHQ0402P0N9BT000

MHQ0402P0N9BT000

частка акцыі: 8375

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 0.9nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 320mA,

MHQ0402P22NHT000

MHQ0402P22NHT000

частка акцыі: 8475

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 22nH, Талерантнасць: ±3%, Бягучы рэйтынг: 140mA,

MHQ0402P0N5BT000

MHQ0402P0N5BT000

частка акцыі: 8442

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 0.5nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 320mA,

GLFR1608T6R8M-LRHF

GLFR1608T6R8M-LRHF

частка акцыі: 8448

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 6.8µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 400mA, Ток - насычэнне: 90mA,

CPL2510T4R7M

CPL2510T4R7M

частка акцыі: 7836

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 4.7µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 650mA, Ток - насычэнне: 650mA,

MLG1608B3N3STD25

MLG1608B3N3STD25

частка акцыі: 119536

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 3.3nH, Талерантнасць: ±0.3nH, Бягучы рэйтынг: 600mA,

NL565050T-392J-PF

NL565050T-392J-PF

частка акцыі: 7769

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 3.9mH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 38mA,

MLG1608BR10JTD25

MLG1608BR10JTD25

частка акцыі: 7976

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 100nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 300mA,

NL565050T-822J-PF

NL565050T-822J-PF

частка акцыі: 9828

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 8.2mH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 28mA,

MLG1608B33NJTD25

MLG1608B33NJTD25

частка акцыі: 7988

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 33nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 500mA,

VLS252010T-1R0N

VLS252010T-1R0N

частка акцыі: 198830

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 1µH, Талерантнасць: ±30%, Бягучы рэйтынг: 1.7A, Ток - насычэнне: 1.8A,

TSL0709RA-101KR66-PF

TSL0709RA-101KR66-PF

частка акцыі: 7890

Індуктыўнасць: 100µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 660mA, Ток - насычэнне: 660mA,

MLG1608B18NJTD25

MLG1608B18NJTD25

частка акцыі: 8034

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 18nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 600mA,

MLG1608SR82JTD25

MLG1608SR82JTD25

частка акцыі: 106045

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 820nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 70mA,

MLG1608B82NJT000

MLG1608B82NJT000

частка акцыі: 186188

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 82nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 300mA,

MLG0603Q5N1S

MLG0603Q5N1S

частка акцыі: 7652

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 5.1nH, Талерантнасць: ±0.3nH, Бягучы рэйтынг: 250mA,

SL1923-103KR33-PF

SL1923-103KR33-PF

частка акцыі: 7779

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 10mH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 330mA, Ток - насычэнне: 460mA,

SLF7028T-150MR88-PF

SLF7028T-150MR88-PF

частка акцыі: 183084

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 15µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 880mA,

GLCR2012T4R7M-HC

GLCR2012T4R7M-HC

частка акцыі: 7766

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 4.7µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 500mA, Ток - насычэнне: 225mA,

SLF7030T-150M1R0-PF

SLF7030T-150M1R0-PF

частка акцыі: 130783

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 15µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1A,

VLS252010T-1R5N

VLS252010T-1R5N

частка акцыі: 122931

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 1.5µH, Талерантнасць: ±30%, Бягучы рэйтынг: 1.4A, Ток - насычэнне: 1.5A,

MLG1005S6N2J

MLG1005S6N2J

частка акцыі: 7926

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 6.2nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 600mA,

CPL2510T3R3M

CPL2510T3R3M

частка акцыі: 7816

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 3.3µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 700mA, Ток - насычэнне: 700mA,

VLC5020T-1R5N

VLC5020T-1R5N

частка акцыі: 7899

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 1.5µH, Талерантнасць: ±30%, Бягучы рэйтынг: 3.3A, Ток - насычэнне: 3.3A,

MLG1608B8N2DTD25

MLG1608B8N2DTD25

частка акцыі: 8014

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 8.2nH, Талерантнасць: ±0.5nH, Бягучы рэйтынг: 600mA,

VLC5020T-2R2N

VLC5020T-2R2N

частка акцыі: 7943

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 2.2µH, Талерантнасць: ±30%, Бягучы рэйтынг: 3A, Ток - насычэнне: 3A,

SL1720-471K1R3-PF

SL1720-471K1R3-PF

частка акцыі: 7842

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 470µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 1.3A, Ток - насычэнне: 1.7A,

MLG0603Q7N5J

MLG0603Q7N5J

частка акцыі: 7650

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 7.5nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 220mA,